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171.
用于电热化学发射实验的脉冲电源系统   总被引:4,自引:0,他引:4  
目前用于中小口径电热化学发射实验研究的脉冲电源系统,基于电客储能原理,包括4个容量为500kJ可程序控制的电源模块,可为电热电磁发射研究提供灵活可靠的电源供应.每个500kJ电源模块都包括30kV电容器组,触发真空开关,高压快速硅堆以及调波电感器,并通过同轴电缆向负载输出脉冲电能.整个2MJ系统可以提供峰值50~300kA,脉宽0.5~3ms的脉冲电流.在此脉冲电源系统的基础上已经进行了大量实验,取得了一定的研究成果.  相似文献   
172.
为了减少太阳能LED草坪灯控制系统的成本,降低对太阳能电池的要求,设计了一种能工作在0.8V的低压太阳能LED草坪灯驱动控制器.该电路的输出电流可以在5mA~100mA范围内调节,能够满足各种不同LED对电流的需求.控制充电回路通断的开关管集成在芯片内部,减少了外围器件,使得整个草坪灯系统只需外接一个电感、二极管、电容...  相似文献   
173.
表面放电型彩色AC-PDP驱动技术的新进展   总被引:3,自引:1,他引:3  
制约等离子体显示器件(PDP)发展的两个关键问题是成本和画质,采用不同的驱动技术可以降低PDP的成本和提高画质.主要介绍实现上述目的的最新驱动技术.  相似文献   
174.
通过两阶段充电时间序列设计与试验研究,分析充电电流分别与碳基超级电容器的实际电容量、有效储能量和充电效率之间的定量拟合关系。在室温条件下,实际电容量与充电电流的定量关系比较符合指数函数描述,拟合曲线的相关系数均大于0.99;标称电容量为0.5MF的碳基超级电容器在充电电流小于220A的条件下保持着较高的储能水平,但当充电电流超过220A,该超级电容器的总有效储能量急剧衰减,这表明超级电容器的最佳储能水平受充电参数优化范围的制约。  相似文献   
175.
毛细管放电激励类氖-氩离子X光激光研究   总被引:1,自引:3,他引:1  
以类氖 氩离子跃迁线为例 ,应用一维的Lagrangian程序———XDCH研究了毛细管放电碰撞机制激励软X光激光的物理机制 ;对等离子体的Z 箍缩过程和 46 9nm谱线产生增益的条件进行了讨论 ;并分析了毛细管放电装置中产生软X激光的可能性。  相似文献   
176.
通过分析ESD模拟器的波形测量数据,提出了一个新的ESD波形指标:前60ns放电能量。该指标比传统指标更能反映ESD扰度的总体特性,试验证明该指标测量一致性较高,测量误差小。在ESD模拟器的合格判定和问题诊断中,该指标可以起辅助作用。  相似文献   
177.
廖斌  周蓓  曹焕丽  朱守正 《电子学报》2009,37(8):1860-1864
 本文提出一种基于平面螺旋微带的2.45GHz小功率电感耦合微波等离子体源,根据等效变压器耦合模型分析等离子体源的谐振特性,通过微波等离子体吸收功率与等离子体阻抗之间的关系,研究不同气压条件下的放电规律.研究表明,在低气压条件下,输入功率不超过220mW时,空气开始放电;而在常压条件下,输入功率不超过1.5W时,氩气开始放电;随着微波等离子体的激励,小功率微波等离子体源的谐振频率和S参数都发生变化.这为电感耦合微波等离子体源的小型化研究提供了理论基础.  相似文献   
178.
r of the GGNMOS devices under high ESD current stress, and design area-efficient ESD protection circuits to sustain the required ESD level.Optimized layout rules for ESD protection in 0.13-μm silicide CMOS technology are also presented.  相似文献   
179.
吴辉  吴建强  于俊华 《激光技术》2005,29(6):582-584,588
为减小Blum lein电路中的寄生电阻与电感,自行设计了传输线电容与储能电容,以平行平板电容器结构代替了原来的无感电容与传输线电容的结构,使得电路中寄生电感下降1倍以上,电路性能得到很大改进,满足了S2激光器产生辉光放电的要求.  相似文献   
180.
张浩  李智群  王志功 《半导体学报》2010,31(11):115008-8
本文给出了一个应用于GPS、北斗、伽利略和Glonass四种卫星导航接收机的高性能双频多模射频前端。该射频前端主要包括有可配置的低噪声放大器、宽带有源单转双电路、高线性度的混频器和带隙基准电路。详细分析了寄生电容对源极电感负反馈低噪声放大器输入匹配的影响,通过在输入端使用两个不同的LC匹配网络和输出端使用开关电容的方法使低噪声放大器可以工作在1.2GHz和1.5GHz频带。同时使用混联的有源单转双电路在较大的带宽下仍能获得较好的平衡度。另外,混频器采用MGTR技术在低功耗的条件下来获得较高的线性度,并不恶化电路的其他性能。测试结果表明:在1227.6MHz和1557.42MHz频率下,噪声系数分别为2.1dB和2.0dB,增益分别为33.9dB和33.8dB,输入1dB压缩点分别0dBm和1dBm,在1.8V电源电压下功耗为16mW。  相似文献   
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