Y-89在新桥矿选铜厂的应用实践

新桥矿选铜厂1999年使用捕收剂Y－89后，选铜回收率提高了4．82％，获得了显著的经济效益。     

10万t/a甲醇装置的设计及变更实践

介绍了10万t/a甲醇装置设计与变更的指导思想，变更内容及实际运行情况。实践证明，变更后工艺流程更加合理，各项消耗指标优于设计值。     

定向棱镜腔平顶高斯激光束特性的研究

在XeCl准分子激光器中,采用定向棱镜作为端反射镜与平面输出镜构成激光器谐振腔,获得了近场能量分布均匀、远场能量分布高度集中的相干平顶高斯激光束输出,并具有腔镜高抗失调能力,改善了激光束质量。     

Electrical and growth characteristics of Au/Al0.15Ga0.85N:Si structures with various Si incorporations

We have investigated the growth characteristics of n-Al_0.15Ga_0.85N:Si/GaN and the electronic properties of Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si diode structures grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) with various Si incorporations. The Al_0.15Ga_0.85N:Si layers were grown on undoped GaN/sapphire (0001) epitaxial layers in a horizontal MOCVD reactor at the reduced pressure of 300 torr. The mirrorlike surface, free of defects, such as cracks or hillocks, can be seen in the undoped Al_0.15Ga_0.85N epilayer, which was grown without any intentional flow of SiH₄. However, many cracks are observed in the n-Al_0.15Ga_0.85N:Si, which was grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min. While Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si diodes having low incorporation of Si showed retively good rectifying behavior, the samples having high Si incorporation exhibited leaky current-voltage (I-V) behavior. Particularly, the Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si structure grown with Si incorporation above 1.0 nmol/min cannot be used for electrical rectification. Both added tunneling components and thermionic emission influence the current transport at the Au/n-Al_0.15Ga_0.85N:Si barrier when Si incorporation becomes higher.     

法国产CT4型横拼双金属专用真空电子束焊机原理与构造

试述法国TECHMETA公司产的CT4型横拼双金属专用真空电子束焊机原理与构造，其中主要阐述电子枪控制电路板的原理。     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

步进式加热炉钢坯跑偏测试

钢坯在炉内的横向跑偏和纵向跑偏位移量,是步进式加热炉设备的重要性能之一.重点介绍了鞍钢1780热连轧生产线步进式加热炉钢坯跑偏测试的应用技术.     

8Li次级束的产生

在北京串列加速器次级束流线上通过2 H(7Li,8Li) 1H逆运动学反应产生了用于核天体物理研究的8Li次级束。准直后的次级束纯度达到 80 %以上 ,对于 44MeV的7Li强度约为 3 0s- 1·pnA- 1,可以用来进行逆几何转移反应的实验测量。