间接电氧化法合成氟代苯甲醛

在无隔膜电解槽中采用石墨电极,以稀HNO3为介质,Ce4+/Ce3+为氧化还原媒质,间接电氧化氟代甲苯法合成了邻(间、对)氟代苯甲醛。通过实验,得到了电解最佳条件,电流效率达到62%,氟代苯甲醛收率80%。     

激光重熔对CoCrAlYTa涂层组织及氧化性能的影响

采用等离子喷涂工艺在Co基合金表面制备CoCrAlYTa-Al_2O_3-ZrB_2复合涂层,并采用激光重熔工艺对涂层进行处理。通过扫描电镜(SEM)、和X射线衍射仪(XRD)对重熔前后试样进行检测,分析涂层的微观结构及物相组成,同时对涂层进行高温氧化实验,比较重熔前后试样的性能。结果表明,激光重熔消除了等离子喷涂层的片层状结构、孔隙等缺陷,涂层致密性有很大提高;激光重熔层截面显微硬度从平均899.47 HV提高到929.484 HV;激光重熔层氧化增重速率约为等离子喷涂层的1/6,且氧化膜均匀致密,有效阻止氧化的进一步进行,从而大大提高涂层的抗氧化性能。     

外加电压对激光电化学刻蚀硅的影响研究

激光电化学刻蚀是将激光加工技术和电化学加工技术有机结合起来而形成的一种复合型刻蚀工艺。为了研究外加电压对激光电化学刻蚀硅的影响,本文采用248nm KrF准分子激光作为光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极半导体n—Si上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,详细分析外加电压对刻蚀工艺的影响,并对其产生的原因进行了分析。试验结果表明其影响主要有两个方面：（1）正的外加电压保证了SiO2钝化膜生成,从而实现了选择性刻蚀;（2）外加电压的增大,刻蚀速率会相应减小。因而外加电压也是调节刻蚀速率的一个重要的手段。     

用AFM导电探针在n-Si(111)表面进行纳米加工的机理研究

本文介绍了在AFM针尖与氢钝化硅表面之间施加电场作用对硅表面进行修饰的纳米加工方法，重点讨论了加工机理。实验考虑了样品的表面状态，周围大气状况，所加电压的极性、大小和加压方式等影响纳米加工的因素。对机理的研究表明，针尖和样品之间发生的是场致电子发射而非热电子发射，电流热效应增强粒子的扩散能力，提高了电化学反应速度。最后给出了电场诱导阳极氧化扩散增强的加工机理。     

一种应用于全印制电子沉铜催化浆料制备及其应用

制备出一种应用于全印制电子沉铜催化浆料,采用电化学工作站的开路电位-时间(OCP-t)的技术,测定活化浆料引发沉铜的Emix-t曲线,比较不同含银量对引发过程的影响;在此基础上,应用于制造电子标签(RFID)。结果表明:随银含量增大,缓慢生成铜活性中心的诱导时间越短,活性越高;沉铜催化浆料及其对应的工艺加成法制作的电子标签导电性和结合力符合工业化要求,可以作为一种全印制电子技术来推广应用。     

TaN薄膜电阻的功率加载特性研究

通过射频反应溅射,在氧化铝基板上制备了TaN薄膜电阻。研究了TaN薄膜电阻在不同加载功率密度下表面温度的变化,研究了高温下TaN薄膜氧化所造成的电阻失效。按照混合集成电路规范的测试条件,在环境温度为70℃,TaN薄膜电阻的厚度为0.1μm,氧化铝基板厚度为0.125mm的条件下,TaN薄膜电阻可以耐受4W/mm2的功率密度,或者9.4W/mm2的1min瞬时功率密度冲击。     

铝衰减膜表面氧化对软X光透过率的影响与修正

对用不同方法制备的软Ｘ光激光实验用的Ａｌ衰减膜样品,用Ａｕｇｅｒ电子能谱（ＡＥＳ）结合氩离子束刻蚀进行了组分的表面和深度分布分析,结果表明表面氧化层主要由Ａｌ２Ｏ３组成,氧化达到饱和时的氧化层厚度≈７．５ｎｍ。由于在软Ｘ光波段内,氧的吸收系数比铝大一个多数量级,这一氧化层对软Ｘ光透过率的影响甚大。将ＡＥＳ测试结果作为参数,使用公式Ｉ＝Ｉ０·ｅｘｐ［－μ（Ｅ）·（ρｄ）］对Ｘ光透过强度进行修正。同步辐射软Ｘ光对样品透过率的直接测量表明,对于透过率大于２０％的Ａｌ膜,直接测量结果与按修正公式计算的结果在最大偏差１１％范围内符合。     

Layered Orthorhombic Nb2O5@Nb4C3Tx and TiO2@Ti3C2Tx Hierarchical Composites for High Performance Li‐ion Batteries

Engineering electrode nanostructures is critical in developing high‐capacity, fast rate‐response, and safe Li‐ion batteries. This study demonstrates the synthesis of orthorhombic Nb₂O₅@Nb₄C₃T_x (or @Nb₂CT_x) hierarchical composites via a one‐step oxidation —in flowing CO₂ at 850 °C —of 2D Nb₄C₃T_x (or Nb₂CT_x) MXene. The composites possess a layered architecture with orthorhombic Nb₂O₅ nanoparticles decorated uniformly on the surface of the MXene flakes and interconnected by disordered carbon. The composites have a capacity of 208 mAh g^?1 at a rate of 50 mA g^?1 (0.25 C) in 1–3 V versus Li⁺/Li, and retain 94% of the specific capacity with 100% Coulombic efficiency after 400 cycles. The good electrochemical performances could be attributed to three synergistic effects: (1) the high conductivity of the interior, unoxidized Nb₄C₃T_x layers, (2) the fast rate response and high capacity of the external Nb₂O₅ nanoparticles, and (3) the electron “bridge” effects of the disordered carbon. This oxidation method was successfully extended to Ti₃C₂T_x and Nb₂CT_x MXenes to prepare corresponding composites with similar hierarchical structures. Since this is an early report on producing this structure, there is much room to push the boundaries further and achieve better electrochemical performance.     

增材制造TC4钛合金在激光抛光前后的电化学腐蚀性能

对表面已进行喷砂处理的增材制造TC4钛合金在氩气环境下进行激光抛光实验,通过极化曲线测试研究了抛光前、后钛合金的耐蚀性,并结合表面粗糙度、晶粒尺寸、表面残余应力以及显微组织分析了激光抛光对TC4钛合金耐蚀性的影响。研究结果表明:抛光钛合金的自腐蚀电位与自腐蚀电流密度均大于未抛光钛合金,说明抛光钛合金相比于原始钛合金的被腐蚀倾向更小,但其一旦受到腐蚀,腐蚀速率会略大于原始钛合金。自腐蚀电位的升高源于钛合金表面粗糙度的降低,自腐蚀电流密度的增大则是因为表面晶粒的细化以及残余拉应力的存在。     

N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二

本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。