高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

位山引黄灌区泥沙淤积原因及处理对策

位山灌区是黄河下游大型引黄灌区 ,渠系泥沙淤积严重 ,泥沙处理困难。通过采用远距离输沙、集中处理沉沙区泥沙、分散沉沙和节水减淤等技术措施 ,减少了渠系的泥沙淤积。对清淤产生的泥沙 ,采取综合开发利用的技术和管理措施 ,取得了比较可靠的效果。     

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作为一项钻井新技术，小眼井钻井可大幅度降低钻井成本,正愈来愈受到国内外各油气田的重视。小眼井钻井技术在中原油田主要用于φ139.7mm套管开窗侧钻井裸眼段的钻进，根据中原油田20余口φ139.7mm套管开窗侧钻井的钻井实践，探讨了中原油田φ118mm井眼钻 井的若干技术问题，其中包括钻头选择、钻井参数的优选、钻具组合和轨迹控制、固井技术及井下复杂情况和事故处理技术等。     

Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究

对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析，结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变，600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的，而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致，为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。     

PVD涂层工艺在M3滚刀上的应用

对M3滚刀进行了物理气相沉积 (PVD)工艺试验。经高温耐磨试验和切削试验证明 ,M3滚刀经TiN涂层后 ,其耐磨性和使用寿命显著提高。     

有水气藏开发早期可采储量的评价方法

有水气藏是天然气藏中的一个基本气藏类型，其采收率受多种因素的影响，如地面集输压力、井筒混合气水流动的液柱压力和储层物性等，目前普遍采用经验取值、物质平衡和气藏数值模拟等方法进行研究，但由于受开发评价阶段试采资料偏少和气藏数值模拟无法模拟井筒流动等因素的影响，早期采收率计算往往偏差较大，针对这些问题，从气田开发一体化的特点出发，提出了一种全面考虑地层→井筒→地面流动条件下，有水气藏（含凝析有水气藏）发废弃压力的计算方法，发展了利用物质平衡早期预测有水气藏采收率的理论，方法可靠、适用性强，能够推广应用。     

双跨换热器传热管在静水中阻尼特性的研究

本文对双跨换热器传热管在静水中的结构阻尼与粘滞阻尼作了简介,并对在总阻尼中占主导地位的挤压膜阻尼作了较深入的讨论。Mulcahy 于80年代初提出的挤压膜阻尼数学模型是较为完善的,其缺陷是未计入管子振幅的影响,本文对它进行了修正。为了验证理论分析的结果,笔者对双跨传热管在静水中的挤压膜阻尼作了实验研究,得出挤压膜阻尼与中间支承板厚度、管子-中间支承板间隙以及管子振幅之间的关系。     

NiTi形状记忆薄膜的显微结构和力学性能

NiTi形状记忆合金薄膜具有形状记忆效应，极有希望用于制造高技术领域微电子机械系统中的微型激发器。NiTi形状记忆合金薄膜在制备和使用过程中需要高品质（衬）底材。本文利用高分辨电子显微学和高分辨分析电子显微学详细研究了硅底材NiTi形状记忆合金薄膜的NiTi／Si和NiTi／SiO2微结构体系，包括薄膜精细结构和界面反应。也研究了其显微结构和力学性能的关系。特别给出了NiTi形状记忆合金薄膜产生疲劳过程的微观过程的起因，通过高达十万个使用热循环前后样品显微结构变化的比较，发现纳米尺度上的TiNi3新相的形成导致疲劳过程的发生。如何抑制TiNi3新相形成的研究正在进行之中，这将为进一步提高NiTi形状记忆合金的使用寿命指出方向。     

钻曲轴斜油孔工装工艺参数的实用算法研究

总结了一套钻孔曲轴斜油孔工装工艺参数的实用计算公式，并举例说明。     

生长温度对等离子体增强化学气相沉积生长ZnO薄膜质量的影响

以Zn(C2 H5) 2 和CO2 为反应源 ,在低温下用等离子体增强化学气相沉积方法 ,在Si衬底上外延生长了高质量的ZnO薄膜。用X射线衍射谱和光致发光谱研究了衬底温度对ZnO薄膜质量的影响。X射线衍射结果表明 ,在生长温度为2 3 0℃时制备出了高质量 ( 0 0 0 2 )择优取向的ZnO薄膜 ,其半高宽为 0 2 6°。光致发光谱显示出强的紫外自由激子发射与微弱的与氧空位相关的深缺陷发光 ,表明获得了接近化学配比的ZnO薄膜