液态金属离子源发射尖的制备工艺与技术

发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一，其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计，开发了一套发射尖自动腐蚀装置，该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制，实现发射尖腐蚀工艺的重复性、可靠性，从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制、开发提供了一个有效的辅助工具。     

锂离子电池正极材料LiMn2O4的研究进展

具有尖晶石相的LiMn2O4因价格低、无毒、无环境污染、制备简单、研究较成熟,因此有着很好的应用前景,被看作最有可能成为新一代商用锂离子二次电池正极材料.由于LiMn2O4电化学循环稳定性能不好,表现在可逆容量衰减较大,尤其在高温下(>55℃)使用衰减更严重,从而限制了它的商业化应用.经过近十几年的研究,人们对其衰减机理有了比较清晰的了解,提出了造成容量衰减的几种可能原因如Jahn-Teller畸变效应、Mn2+在电解质中的溶解、出现稳定性较差的四方相以及电解质的分解等.通过掺杂、表面包覆、制备工艺的改进,人们已能制得循环稳定性能较好的尖晶相材料.本文结合我们研究小组的最新研究成果对锂离子二次电池正极材料LiMn2O4的最新研究进展进行综述和评论.     

Magnetic effects of direct ion implantation of Mn and Fe into p-GaN

In p-GaN implanted with Mn (3×10¹⁶ cm⁻² at 250 keV), the material after annealing shows ferromagnetic properties below 250 K. Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) revealed the presence of platelet structures with hexagonal symmetry. These regions are most likely Ga_xMn_1−xN, which produce the ferromagnetic contribution to the magnetization. In p-GaN implanted with Fe, the material after annealing showed ferromagnetic properties at temperatures that were dependent on the Fe dose, but were below 200 K in all cases. In these samples, TEM and diffraction analysis did not reveal any secondary phase formation. The results for the Fe implantation are similar to those reported for Fe doping during epitaxial growth of GaN.     

高含沙水深井泵站的综合治理

对攀钢动力厂深井泵站自投产以来出现的主要问题及其解决方案，方法进行了分析和论述。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明，李志能，陈秀峰（浙江大学信息与电子工程学系）关键词：真空微电子，反应离子刻蚀一、引言近十年来，随着真空微电子学的崛起，利用微细加工技术，使真空元器件集成化和高性能化已成为可能，一种新型场致发射阵列真空荧光平...     

碳黑对苯乙烯自由基聚合反应影响的研究

研究了碳黑对苯乙烯单体聚合物反应的影响，结果表明，用过氧化苯甲酰作引发剂，普通碳黑子对苯乙烯的聚合有强烈的阻聚作用，而用偶氮二异丁腈引发聚合物时，普通碳黑的阻聚性很小，当时碳黑进行接枝处理后，接枝碳黑对苯乙烯自由基聚合的影响程度与接枝方法有关，其中过氧化苯甲酰 自由基枝枝碳黑的聚性变化较大。     

采用纯化学物质校准仪器测定钛合金中碳量

采用纯化学物质对高频加热－红外检测碳硫仪校准，对钛合金中的碳量进行测定。     

离子注入中污染的产生及防护

本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施，特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ＵＬＳＩ加工对离子注入的要求。     

锰铜基高阻尼合金中锌量的测定──硫氰酸盐萃取分离络合滴定法

基于甲基异丁基甲酮于稀盐酸介质中定量地萃取Ｚｎ￣（２＋）与ＣＮＳ￣－形成的络阴离子。从而达到与共存的锰、镍、铝、铬的完全分离。在有氟化物、硫脲存在时Ｆｅ￣（３＋）、Ｃｎ￣（２＋）和Ａｇ￣＋也不被萃取。有机相中的锌于ＰＨ５．５“六胺”缓冲介质中返萃取回水相，用ＥＤＴＡ滴定。在文中给定的条件下锌的一次被萃取率可达９９％以上，成功地解决了锰铜基高阻尼合金中共存离子对锌量测定的干扰问题。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.