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221.
报告了研制的 9.6mm栅宽双δ-掺杂功率 PHEMT,在 fo=1 1 .2 GHz、Vds=8.5 V时该器件输出功率3 7.2 8d Bm,功率增益 9.5 d B,功率附加效率 44.7% ,在 Vds=5~ 9V的范围内 ,该器件的功率附加效率均大于42 % ,两芯片合成 ,在 1 0 .5~ 1 1 .3 GHz范围内 ,输出功率大于 3 9.92 d Bm,最大功率达到 40 .3 7d Bm,功率增益大于 9.9d B,典型的功率附加效率 40 %。 相似文献
222.
Moshe Eisenberger 《International journal for numerical methods in engineering》2003,57(11):1603-1614
This work presents the derivation of the exact dynamic stiffness matrix for a high‐order beam element. The terms are found directly from the solutions of the differential equations that describe the deformations of the cross‐section according to the high‐order theory, which include cubic variation of the axial displacements over the cross‐section of the beam. The model has six degrees of freedom at the two ends, one transverse displacement and two rotations, and the end forces are a shear force and two end moments. Using the dynamic stiffness matrix exact vibration frequencies for beams with various combinations of boundary conditions are tabulated and compared with results from the Bernoulli–Euler and Timoshenko beam models. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
223.
建(构)筑物机械拆除方法综述 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了几种常用的建(构)筑物机械拆除方法,对其工作原理、特点、应用条件及局限性加以分析和说明。 相似文献
224.
225.
根据老矿山面临资源枯竭的现实,从技术、经济方面分析了开采薄小矿体的可行性。提出了有底柱浅孔留矿法高分段回采的方案,该方案已在易门矿的试验中获得成功,可供有关矿山借鉴。 相似文献
226.
织物-树脂复合材料层压板的准静态侵彻机理 总被引:4,自引:1,他引:3
本文利用MTS得到了芳纶和高强维纶织物复合材料层压板受尖头侵彻体穿孔的准静态侵彻曲线 ,比较和分析了不同类型纤维集合体与热固性树脂和热塑性树脂复合材料的破坏模式 ,并考察了芳纶织物复合材料层压板侵彻的逐步破坏过程 ,揭示了复合材料层压板的准静态侵彻机理。 相似文献
227.
电阻式电压传感器结构设计及误差特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
从路的角度分析了电阻式电压传感器的误差特性 ,从场的角度比较了几种结构方案的幅值误差、相角误差及最大场强 ,优化出最佳方案 ,并分析了该方案幅值误差的频率特性 相似文献
228.
229.
利用透射电子显微镜观察了铜在高纯净钢中的析出过程,发现早期析出阶段有类B2结构的亚稳相出现,分析了铜在高纯净钢中的析出贯序,研究结果对分析铜在高纯净钢中的时效强化机理具有重要意义。 相似文献
230.
Numerical Modeling of Silicon Photodiodes for High-Accuracy Applications Part I. Simulation Programs
Jon Geist Deane Chandler-Horowitz A. M. Robinson C. R. James 《Journal of research of the National Institute of Standards and Technology》1991,96(4):463-469
The suitability of the semiconductor-device modeling program PC-1D for high-accuracy simulation of silicon photodiodes is discussed. A set of user interface programs optimized to support high-accuracy batch-mode operation of PC-1D for modeling the internal quantum efficiency of photodiodes is also described. The optimization includes correction for the dark current under reverse- and forward-bias conditions before calculating the quantum efficiency, and easy access to the highest numerical accuracy available from PC-1D, neither of which is conveniently available with PC-1D’s standard user interface. 相似文献