高性能调度技术中应用程序调度模型设计--地理空间信息网格调度技术的研究

地理空间信息网格调度技术，要比传统的高性能计算中的调度技术复杂，原因是如果将全部网格资源作为一个应用程序的调度和执行目标，必将导致通信延迟、成本昂贵、执行低效等。为此，综合考虑应用程序特性、机器特性等，研究设计了地理空间信息网格高性能调度技术中的应用程序调度模型，包括地理空间信息网格应用程序分析；资源特性分析；应用程序分解；性能预测；资源调度；机器选择；任务映射；任务调度；任务调度器和调度器管理模块。以实现为不同的应用程序匹配不同的计算资源，提高计算资源的利用率和应用程序的执行效率。     

超高压大容量铝电解电容器的研制

分析了大功率设备用超高压大容量铝电解电容器的特点,通过研制工作电解液、制订制作工艺及零部件设计方案,研制出的超高压大容量铝电解电容器具有损耗角正切小(tgδ为0.25)、承受纹波电流能力强(100 Hz,2.12～27.8 A)及寿命长的特点,耐久性达到85℃,5 000 h。     

WC/Cu复合材料制备及其高温性能

用机械合金化法结合冷变形，制备了WC／Cu复合材料，研究了冷变形后复合材料的组织特征和高温退火时韵性能变化。结果表明：烧结后的材料经冷变形，组织呈显著纤维状，WC颗粒弥散分布，密度明显提高，达到理论密度的99．2％；复合材料经600～900℃高温退火，强度和硬度略有下降，塑性则有大幅提高；900℃退火时未发生明显的再结晶，界面结合良好；所制备的WC／Cu复合材料有优良的综合性能。     

激光剥离GaN/Al2O3材料温度分布的解析分析

分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型，给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN／Al2O3材料温度分布的解析形式，得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明，单脉冲作用下分界面的温度与加热时间的平方根成正比，并得出脉冲过后随着深度变化温度梯度的分布。在连续脉冲作用时，分界面的温度呈锯齿状不断升高。     

用于磁场测量的高精度500A/30V零压开关直流稳流电源

研制了一种带有无源辅助网络的全桥移相脉宽调制零压开关(FB PSPWMZVS)高精度磁铁稳流电源,并在电磁铁磁场测量中得到应用,其电流稳定度在8h内优于±1×10-4。     

Al-10Mg型固溶合金自然时效稳定性研究

测定了ZL30 5合金自然时效 33年的力学性能变化 ,观察了晶界的析出相 ,研究了组织和性能的关系 ,从而确定了ZL30 5合金具有长期自然时效稳定性。     

微流控分析芯片制作中的低温键合技术

微流控分析芯片制作方法的研究是微流控分析的基础。制作性能良好的微流控分析芯片时,基片与盖片的键合技术十分重要。本文针对近年来发展迅速的低温键合技术,对各种方法进行了评价,并对其发展前景进行了展望。     

Science in High Magnetic Fields: What Could Be Learned?

High magnetic fields are one of the most powerful tools available to scientists for the study, modification and control of matter. This includes the knowledge on correlations effects, interaction mechanisms, structural information and understanding of mesoscopic effects. In this context, a review of recent scientific achievements at the Grenoble High Magnetic Laboratory is given to illustrate, on specific examples, the power of the Magnetic Field probe.     

洪家渡水电站工程高边坡综述

乌江洪家渡水电站坝址河谷深切300余m,硬质岩与软质岩相间分布,岸坡地形陡峻,软弱夹层发育,卸荷、崩塌等物理地质作用强烈。根据坝址地质条件与电站枢纽布置,工程存在:隧洞群进水口同向高边坡整体稳定问题;坝肩开挖、隧洞进出口开挖、厂房开挖及料场开挖等高边坡稳定问题;泄洪冲刷及雾化区1号、2号塌滑体高边坡稳定问题;王家渡堆料场、瓦房寨砂石系统高边坡稳定问题。因此,工程高边坡稳定问题是本工程的主要工程问题之一,但通过参建各方共同努力,本工程高边坡处理都取得了圆满成功。     

Curie Temperatures of III–V Diluted Magnetic Semiconductors Calculated from First-Principles in Mean Field Approximation

Electronic structure and ferromagnetism in III–V compound-based diluted magnetic semiconductors (DMS) are investigated based on first-principles calculations by using the Korringa-Kohn-Rostoker method combined with the coherent-potential-approximation. The stability of the ferromagnetic phase in GaN-, GaAs-, GaP-, GaSb-based DMS is investigated systematically. The calculations show that 3d-impurities from the first-half of the transition metal series favor the ferromagnetic state, while impurities from the latter-half of the series exhibit spin-glass behavior. This chemical trend in the magnetism is explained by the double exchange mechanism taking the local symmetry at the impurity gap states into account. Curie temperatures of GaAs- and GaN-based DMS are estimated by using the Heisenberg model in a mean field approximation with the parameters calculated from first-principles. It is suggested that room-temperature ferromagnetism can be realized in these systems.