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41.
Takuma Suzuki Hang-Ju Ko Agus Setiawan Jung-Jin Kim Koh Saitoh Masami Terauchi Takafumi Yao 《Materials Science in Semiconductor Processing》2003,6(5-6):519-521
We report the successful growth of Ga-polar GaN epilayers on O-polar ZnO templates pre-deposited on c-sapphire. Prior to GaN growth, NH3 is exposed onto the ZnO template. The polarity of the GaN layers is confirmed by etching of the surface and by conversion beam electron diffraction (CBED), while the O-polar ZnO is confirmed by CBED. It is suggested that the NH3 pre-exposure helps form a Zn3N2 layer, which possesses inversion symmetry and inverts the crystal from anion polar to cation polar. 相似文献
42.
针对TPS/TDC30 0 0系统串口通讯方式、机理进行了一般性的介绍 ,对规划与应用中常见的的问题 ,根据实际工程应用经验提出了解决方案。 相似文献
43.
O.V. TretyakV.A. Skryshevsky V.A. VikulovYu.V. Boyko V.M. Zinchuk 《Thin solid films》2003,445(1):144-150
The character of electronic states in porous silicon (PS)-Si, Pd-PS interfaces, and/or PS bulk at the formation of the metal-PS-silicon heterostructure was studied. The energy parameters were estimated using the deep-level transient spectroscopy and capacitance-voltage characteristics at the accounting of the voltage drop distribution along the structure. The analytical expression for voltage drop distribution along dielectric layer, porous layer and space charge region in silicon was obtained by solving the equation for continuity of the electrostatic induction vector. The electronic states studied were shown to manifest the quasi-continuous sub-band in the energy gap if the porous layer was 30-nm thick. Their density increased, as the energy position was being transformed to a deeper energy level of Ev+0.81 eV at the PS layer growing to 90 nm wide. 相似文献
44.
网络虚接口对特殊数据包的处理起着很大的作用。文章介绍了网络虚接口的概念,在对传统的网络接口比较分析的基础上,设计和实现了一个基于量Linux的用于对发送数据包的内容进行特殊处理的网络虚接口。 相似文献
45.
46.
Moshe Eisenberger 《International journal for numerical methods in engineering》2003,57(11):1603-1614
This work presents the derivation of the exact dynamic stiffness matrix for a high‐order beam element. The terms are found directly from the solutions of the differential equations that describe the deformations of the cross‐section according to the high‐order theory, which include cubic variation of the axial displacements over the cross‐section of the beam. The model has six degrees of freedom at the two ends, one transverse displacement and two rotations, and the end forces are a shear force and two end moments. Using the dynamic stiffness matrix exact vibration frequencies for beams with various combinations of boundary conditions are tabulated and compared with results from the Bernoulli–Euler and Timoshenko beam models. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
47.
48.
地震复合波地质属性的研究方法 总被引:1,自引:0,他引:1
何隆运 《石油地球物理勘探》1992,27(5):681-687,692
在地震资料解释中,地震复合波的地质属性问题一直没有得到很好地解决。本文针对松辽盆地砂泥岩薄互层的地质特点,提出了用波形合成追踪法研究地震复合波地质属性的方法。该方法在地震复合波正演合成过程中有五个可以识别的特征界面,其中 C 界面是地震复合波形成的主导界面;C 至 D 界面间的地层为形成地震复合波的主要地层。因此,找准 C 界面深度是建立地震复合波与钻孔地层间有机联系的关键,对地震地质层位准确标定和利用地震剖面复合波波形信息进行岩性预测极为重要。文中的应用实例表明,用该方法在松辽盆地较好地建立了地震信息与地质信息间的对应关系,解决了一些疑难地质问题,取得了较好的勘探效果。 相似文献
49.
The thermal stability of interfaces between metals (Ni, Pt, Ti, Mo) and III-V compound semiconductors has been investigated
by the application of Rutherford backscattering spectrometry. Metal diffusion and interfacial lattice disorder of the semiconductors
were analyzed for various metal/semiconductor samples annealed at temperatures up to 500°C. The interfaces of Ni/GaAs and
Ti/GaAs were found to be more stable than those of Ni/In-based semiconductors and Ti/ In-based semiconductors, respectively.
Faster diffusion of Pt atoms was ob-served in In-and As-containing materials than in P-containing materials. Mo/ semiconductor
interfaces were the most stable. 相似文献
50.
在宝钢2030mm冷轧厂酸洗机组中,为了满足厚规格IF钢的生产,拟将原有的气动式剪切机改成液压式剪切机。为此,设计了一套中高压大流量的液压系统以满足3号横剪大剪切力(最高达700kN)和快速剪切(3秒/次)的需要。由于采用了蓄能器增速回路和二通插装阀控制技术,使该液压系统较传统的剪切机液压系统具有响应速度快、体积小、重量轻、发热少和降低电机能耗等优点。 相似文献