单交叉口交通灯模糊控制器的设计与实现

针对城市单交叉口交通信号控制问题,提出了一种应用模糊控制理论的单交叉口交通灯控制器,并给出了基于大规模可编程逻辑器件的完整设计实现方案.通过感应线圈检测器对4个方向的排队车辆进行统计,并以此为输入查找按照模糊控制规则预先离线运算的控制表,得到绿灯延时.结果表明,与传统的定时控制方式相比,在交叉口交通负荷较小时的情况下,该控制器可以有效的降低车辆等待延时.     

关于功率外送型电网孤网高频后解决措施分析

为了解决外送型电网大功率外送时联络线故障跳闸造成孤网高频的隐患,提高电网的频率稳定性,首先阐述了孤网高频问题及危害,然后针对性地提出了4种措施:切机、快速调节汽门、快速切辅机( runback,RB)和快速切负荷(fast cut back,FCB),对比分析每种措施的效果及对电网和发电厂的影响.并通过仿真分析,验证了...     

单点交叉口信号灯优化配时研究

提出了单点交叉口信号灯优化控制新算法，通过对单点交叉口每个方向每条车道未来时刻车辆到达数的有效预测，采用模糊控制推理信号灯下一个周期的时长．在此基础上，建立以车辆平均延误最小和交通流量最大为目标的多目标优化模型，采用排序-遗传算法优化得到每个相位的绿信比，根据此绿信比将周期时长分配到各个相位，从而得到了最优的信号灯配时．仿真试验表明该算法是有效的．     

低剂量CT投影图像噪声分析及去噪算法研究

提高低剂量CT图像的信噪比(SNR)是使低剂量CT获得有效临床应用的关键。本文对低剂量CT投影数据噪声研究发现,在投影图像的某些区域中可能会存在一些孤立的噪声点,滤除这些孤立点后的投影数据近似服从非平稳高斯噪声分布。由此,提出一种低剂量CT图像降噪算法,包括孤立点检测与滤波(IDE),基于最大后验概率(MAP)的高斯噪声滤波及FBP重建过程。计算机仿真以及真实数据实验表明,本文提出的去噪算法获得的重建CT图像,SNR及视觉效果均有明显的提高。     

阻燃导热型硅橡胶绝缘涂料在高压开关柜中的应用

文章结合六安供电公司某配电房10kV高压开关柜绝缘故障治理工作,简要说明造成高压开关柜绝缘故障产生的原因,并介绍新型绝缘涂料相比传统热缩式绝缘护套所具有的优点。通过新型绝缘涂料在现场使用效果说明采用新型绝缘涂料在处理高压开关柜绝缘故障方面的有效性。     

大型LRB隔震储罐地震反应参数研究

铅芯橡胶支座(LRB)支座参数的最优设计范围是大型隔震储罐研究的关键问题.研究利用Bouc-Wen模型模拟LRB的力-变形非线性行为,结合Newmark增量法和龙格库塔积分法求解隔震储罐非线性动力方程,得到不同类型场地上大型LRB隔震储罐的地震响应特点,总结出LRB参数对大型隔震储罐地震反应(基底剪力、支座位移、晃动波高)的影响规律.研究表明:支座隔震频率是影响大型隔震储罐减震性能的主要参数.Ⅰ类场地上最优隔震频率范围为0.5～5 rad/s,Ⅱ类、Ⅲ类场地上最优隔震频率范围为2～5 rad/s,Ⅳ类场地上最优隔震频率范围为1.5～3 rad/s.支座屈服强度对储罐地震响应的影响取决于场地类型和隔震频率.在Ⅱ类和Ⅲ类场地上存在最优屈服强度使得基底剪力最小,并且最优屈服强度随隔震频率增加而增大.     

同步整流反激逆变器研究

研究了由两路双向反激直流变换器输入并联输出串联构成的反激逆变器。在连续工作模式的反激逆变器的基础上，提出同步整流控制方案，即输出功率较大时实现同步整流，较小时实现零电压开通，大大简化了传统电流源高频链逆变器的控制方案，从而有效地降低了整流二极管导通损耗，将整机效率提高到85.8%。研究内容包括工作模式、控制策略、关键参数设计准则、同步整流或零电压开通的实现和边界问题。原理试验样机验证了该逆变器及其控制策略的正确性和先进性，证实其适合于低压大电流变换场合。     

分布式高压隔离辅助电源供电装置

针对传统辅助电源存在高压隔离性能差、安装方式不够灵活、成本高等问题,提出了一种新型的分布式高压隔离辅助电源供电装置的设计方案,介绍了该装置的硬件电路、软件设计。并且对该装置的主回路进行了仿真分析,并且和实际的实验结果做了对比说明。该装置可实现多路高压隔离输出,可以根据需要输出不同的电压等级,具有输出稳定性好、电气绝缘性能可靠且易于实现、抗干扰性能优异、安装方式灵活、成本低的特点。     

孤网频率稳定控制综述

分析了孤网频率特性,提出了适合孤网频率控制的调速器、水轮机、汽轮机、负荷、OPC模型和控制方法;阐述了HVDC的辅助调频和一次调频的协调,探讨了在事故状态下对孤网运行的高频切机与低频减载措施和相互间的协调;另外,给出了各频率的分层分散协调控制措施,使其能够最大限度地抑制事故状态下孤网的异常动态频率行为。     

功率MOSFET隔离驱动电路设计分析

半导体开关管器件作为开关电源中的关键器件,其驱动电路的设计是电源领域的关键技术之一,普通大功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)由于器件结构不同,驱动要求和技术也不相同,小功率MOSFET的栅源极寄生电容一般为10~100 pF,而大功率MOSFET的栅源极寄生电容则可达1~10 nF,因此需较大的动态驱动功率。目前,对于MOSFET隔离驱动方式主要有光电耦合隔离和磁耦合隔离,一般以磁隔离为主要应用方式,在传统的MOSFET磁隔离驱动电路中,若占空比出现突变,其隔离输出的低电平则会出现上扬现象,导致开关管出现误动作,严重可能导致MOSFET器件烧毁,给出载波隔离驱动方法和边沿触发隔离驱动方法,两种方法都能克服低电平的上扬问题,通过测试对比两种驱动方式的优缺点。