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61.
最大塑性功原理在烧结体上限分析中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
最大塑性功原理又称第二塑性变分原理,在致密体塑性变形分析叶l是运用能量法进行变形力能计算的基础。本文从分析Drucker公设的亢要条件出发,证明了烧结体塑性变形最大塑性功原理的存在,片在该原理的荩础卜,推导出塑性变形的上限功率表达式,并以平面挤压条件下的上限法应用作为实例加以说明。 相似文献
62.
In this article, the authors study the factorial structure of 2 versions (64 items and 32 items) of the Dutch translation of the Inventory of Interpersonal Problems (IIP; L. M. Horowitz, L. E. Alden, J. S. Wiggins, & A. L. Pincus, 2000) in both a clinical sample (n = 382) and a student sample (n = 287). First, the authors test whether both inventories are constituted by correlated uni-dimensional subscales, and they conclude that this is true only for the short version. Second, the authors study whether the correlations between the subscales follow a circumplex pattern. This proves to be true for both versions. Coefficients alpha and correlations between the IIP-64 and IIP-32 subscales are discussed. (PsycINFO Database Record (c) 2010 APA, all rights reserved) 相似文献
63.
利用两个不同比尺预制缝重力坝模型的试验成果,以有限元富集技术进行非线性断裂分析,建立了极限承载力和长度比尺的确定性尺寸效应公式。混凝土重力坝的断裂尺寸效应满足指数衰减关系,用三次指数衰减公式可以准确地预测原型的极限承载力。断裂过程区的相对长度是引起模型试验尺寸效应的主要原因。数值计算结果表明,断裂过程区相对长度不仅是与材料有关的参数,能否充分发展还取决于结构尺寸和几何形状;断裂过程区相对长度的尺寸效应不同于统计尺寸效应和断裂参数尺寸效应,具有尺寸范围效应。断裂过程区相对长度在小试件、大试件和相对无穷大试件的发展程度不同。 相似文献
64.
ZnO基薄膜晶体管的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。 相似文献
65.
对空监视雷达探测威力检飞的几个问题 总被引:5,自引:0,他引:5
以新的观点论证了对空监视雷达探测威力检验飞行中所需的采样点数和飞行架次,讨论了预警机雷达威力检飞的特殊问题,包括地区选择、航线设计和目标机标定等。 相似文献
66.
L. Gao P. Hrter Ch. Linsmeier J. Gstttner R. Emling D. Schmitt-Landsiedel 《Materials Science in Semiconductor Processing》2004,7(4-6):331
Deposition of Ag films by direct liquid injection-metal organic chemical vapor deposition (DLI-MOCVD) was chosen because this preparation method allows precise control of precursor flow and prevents early decomposition of the precursor as compared to the bubbler-delivery. Silver(I)-2,2-dimethyl-6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-3,5-octanedionato-triethylphosphine [Ag(fod)(PEt3)] as the precursor for Ag CVD was studied, which is liquid at 30 °C. Ag films were grown on different substrates of SiO2/Si and TiN/Si. Argon and nitrogen/hydrogen carrier gas was used in a cold wall reactor at a pressure of 50–500 Pa with deposition temperature ranging between 220 °C and 350 °C. Ag films deposited on a TiN/Si diffusion barrier layer have favorable properties over films deposited on SiO2/Si substrate. At lower temperature (220 °C), film growth is essentially reaction-limited on SiO2 substrate. Significant dependence of the surface morphology on the deposition conditions exists in our experiments. According to XPS analysis pure Ag films are deposited by DLI-MOCVD at 250 °C by using argon as carrier gas. 相似文献
67.
68.
Non-standard fault models often require the application of two-pattern testing. A fully-automated approach for generating a multiple scan chain-based architecture is presented so that two-pattern test sets generated for the combinational core can be applied to the sequential circuit. Test time and area overhead constraints are considered. 相似文献
69.
用矾土作为主原料,选择适当结合剂和添加剂,引入微粉技术,采用真空炼泥等工艺手段,研制成低水分抗热震高铝可塑料。该制品用作热媒加热炉衬里,显示出良好的耐高温和耐热冲击性能。 相似文献
70.
大牛地气田为低渗-致密气田,因存在启动压力梯度等因素,修正等时试井曲线按常规方法处理出现异常,无法准确获取气井的产能方程.采用LIT法和异常曲线校正法对气田异常试井资料进行了重新处理,最终获得气井产能方程,为同类气藏产能试井可能出现的异常资料处理解释探索了新的途径. 相似文献