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901.
The phenomena of natural convection caused by a concentration gradient usually creates currents as a result of buoyancy forces. These forces are formed from the combined effect of a fluid density gradient and the body force (gravitational force). The above phenomenon was studied experimentally in a circular glass column of 0.08 m diameter and 1 m length. This column was erected vertically and filled with distilled water with a salt bag placed on top of it and partially immersed in water. The dissolution mechanism was then modelled and a finite difference method was used to solve the formulated equations by using the implicit scheme of MacCormack (Anderson et al., 1984). The experimental results and the numerical predictions are represented graphically and give compatible agreement.  相似文献   
902.
高强IF钢析出物的析出特征   总被引:3,自引:0,他引:3  
王作成  朱学刚 《钢铁》1995,30(2):63-68
高强IF钢是汽车用深冲钢板中深冲性能最好的高强度钢板。目前,国际上对该钢种的研究十分活跃。本文在实验条件下,通过对高强IF钢析出物的观察研究了高强IF钢析出物的析出特征,发现了新的析出相TiFeP,并对磷对深冲性能影响的作用机制,进行了探讨。  相似文献   
903.
无间隙原子钢的微观结构特征和塑性应变比   总被引:1,自引:0,他引:1  
何崇智  温熙宇 《钢铁》1995,30(3):53-57
采用X射线衍射的ODF和LP分析技术,SEM电子通道花样和蚀坑技术观测,研究了超深冲无间隙原子钢板的微观结构特征。结果表明:控制化学成分、保证基体纯净、优选工艺参数,促进强的γ-〈111〉∥N.D纤维织构的形成是获得优异成型性的关键。用CMTP方法,由ODF织构数据从理论计算了塑性应变比(r),表明rm值高达3.18。文中讨论了再结晶织构形成机制。  相似文献   
904.
详细介绍了一种新颖、快速响应的金属-绝缘层-半导体构成的MIS型单晶硅液晶光阀的结构、工作机理、制作工艺和性能参数测试。液晶采用45°扭曲向列型混合场效应工作模式。所得到的光阀的极限分辨率为40lp/mm,口径40mm,最大对比度>100:1,在930nm(△λ=40nm)写入光灵敏度为20μW/cm2,响应时间为15ms。报道了该光阀在大屏幕投影显示中的应用。  相似文献   
905.
一种改进的4.8kb/s码激励线性预测语音编码   总被引:1,自引:0,他引:1  
鲍长春  诸庆麟 《电子学报》1995,23(4):107-110
本文介绍了码激励线性预测(CELP)语音编码的基本原理,研究了一种制约随机激励的线性预测编码方案。它将随机激励码字进入合成滤波器的数量与自适应码本的性能指标联系起来,有效地减少了激励噪声对合成语音的影响。计算机模拟结果表明,这种方法在主观上改善了语音质量。  相似文献   
906.
A multiresolution analysis of digital gray-level images is presented. A gray-level multi-scale framework is determined from two main assumptions: the gray scale is binary at the finest spatial resolution, and the gray levels of composed regions are obtained additively. In order to interrelate the gray-level histograms of the same image at different resolutions, probabilistic linear models are developed, which are then applied for estimation. Linear-optimization theory is used as a way of constructing such models. A general procedure for image processing is sketched, based on gray-level estimation. A versatile algorithm for nonlinear filtering is derived. Some examples of prospective applications are given.This work was partially supported by grant TIC91-646 from the DGYCIT of the Spanish Government.  相似文献   
907.
The growth of nominally undoped GaSb layers by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy on GaSb and GaAs substrates is studied. Trimethylgallium and trimethylantimony are used as precursors for the growth at 600°C in a horizontal reactor. The effect of carrier gas flow, V/III-ratio, and trimethylgallium partial pressure on surface morphology, electrical properties and photoluminescence is investigated. The optimum values for the growth parameters are established. The carrier gas flow is shown to have a significant effect on the surface morphology. The optimum growth rate is found to be 3–8 μm/ h, which is higher than previously reported. The 2.5 μm thick GaSb layers on GaAs are p-type, having at optimized growth conditions room-temperature hole mobility and hole concentration of 800 cm2 V−1 s−1 and 3·1016 cm-3, respectively. The homoepitaxial GaSb layer grown with the same parameters has mirror-like surface and the photoluminescence spectrum is dominated by strong excitonic lines.  相似文献   
908.
Epitaxial CdTe layers were grown using organometallic vapor phase epitaxy on Si substrates with a Ge buffer layer. Ge layer was grown in the same reactor using germane gas and the reaction of germane gas with the native Si surface is studied in detail at low temperature. It is shown that germane gas can be used to “clean” the Si surface oxide prior to CdTe growth by first reducing the thin native oxide that may be present on Si. When Ge layer was grown on Si using germane gas, an induction period was observed before the continuous layer of Ge growth starts. This induction period is a function of the thickness of the native oxide present on Si and possible reasons for this behavior are outlined. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) data show negligible outdiffusion and cross contamination of Ge in CdTe.  相似文献   
909.
铯原子激光共振电离   总被引:1,自引:0,他引:1  
用Nd:YAG及其泵浦的染料激光进行铯原子三步共振电离。求解了非饱和共振过程速率方程,计算出基态和激发态共振吸收截面,给出电离效率分别与激发电离速率以及作用时间的变化关系,得到饱和激发电离的流量条件和通量条件。  相似文献   
910.
多功能滚齿机的数字控制系统   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文叙述了以STDPC/XT(或PC/AT)机为主要核心构成的滚齿机数字控制系统的结构,软件设计和特点,系统采用混合语言编程,极大地提高了软件设计的灵活性与快速性,也分析了CNC系统的加工过程,提出了加工中的软件预处理控制方法,并给出了轴伺服控制的并行算法分析与实现。  相似文献   
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