Ti改性催化裂化汽油选择加氢催化剂的研究

以氢氧化铝干胶和偏钛酸为主要原料制备了Al2O3-TiO2载体,采用等体积浸渍法制备出一系列不同TiO2含量及不同配体改性的CoMo/Al2O3-TiO2催化剂;采用BET,XRD,TPR,HRTEM等方法对所制备的催化剂进行了表征,在10 mL固定床评价装置上对所制备的两个系列催化剂进行了FCC汽油选择加氢脱硫活性评价。结果表明,载体中TiO2的质量分数为10%、浸渍液中添加乙二醇和磷酸改性的催化剂具有较高的加氢脱硫活性和选择性。     

Mn1-xAgxCo2O4尖晶石复合氧化物催化去除碳烟颗粒的研究

采用溶胶-凝胶法制备了Mn1-xAgxCo2O4催化剂,通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FT-IR)、氧气-程序升温吸附脱附（O2-TPD）和程序升温氧化（TPO）等手段对催化剂进行表征,在自制的反应装置上,利用程序升温技术对催化剂进行评价。结果表明,制备样品Mn1-xAgxCo2O4均为尖晶石型复合氧化物,且具有良好的催化碳烟燃烧活性,当x为0.4时,样品Mn0.6Ag0.4Co2O4的催化活性最好,其催化燃烧碳烟的T50 (50%碳烟的燃烧峰对应的温度)为325 ℃,比碳烟非催化燃烧时降低260 ℃。     

位阻胺选择性配方溶剂尾气处理装置工业应用

为了解决常规甲基二乙醇胺(MDEA)脱硫溶剂在低压下脱硫效果不理想,导致排放尾气中SO_2浓度升高的问题,利用位阻胺与H_2S反应具有良好活性、同时能较好抑制位阻胺与CO_2反应的特点,研究开发出了位阻胺选择性脱硫配方溶剂,并在处理量为1×10~4m~3/d的装置上进行中间放大试验的基础上,在中国石油西南油气田公司川中油气矿龙岗天然气净化厂硫磺回收加氢尾气脱硫装置上进行了工业应用。在工业应用期间,考察了溶剂在不同吸收塔板数、不同贫液入塔温度、不同溶液循环量等条件下的吸收性能,还考察了脱硫溶液的再生性能,确定了较适宜的工艺操作参数。应用1年后的考核结果表明:(1)该位阻胺选择性脱硫配方溶剂在进尾气脱硫吸收塔气体中H_2S含量为0.77%～3.96%、CO_2含量为23.91%～32.79%的气质条件下,可使净化尾气中H_2S含量低于30 mg/m~3;(2)与装置原用的常规MDEA相比,净化尾气中H_2S含量降低58.45%;(3)该位阻胺选择性脱硫配方溶剂的再生性能良好,再生后贫液中H_2S和CO_2含量均小于0.12 g/L。     

注氮剂量对SOI材料埋氧中电荷密度的影响

为对SIMOX SOI材料进行抗总剂量辐照加固,可向材料的埋氧（BOX）层中注入一定剂量的氮元素。但是,研究发现,注氮埋层中的初始电荷密度皆为正值且密度较高,而且随着注氮剂量的增加而上升。注氮埋层中较高的正电荷密度可归因于氮在退火过程中在Si-BOX界面的积累。另外,与注氮埋层不同的是,注氟的埋层却显示出具有负的电荷密度。为得到埋层的电荷密度,测试用样品制成金属-埋氧-半导体(MBS)电容结构,用于进行高频C-V测量分析。     

新型红光LED中ITO的特性研究

用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED 所用的ITO(indium tin oxide)膜。利用TLM(transmission line model)研究ITO与GaP接触特性。在氮气环境,435℃条件下,快速热退火40s能获得最小的接触电阻4.3×10-3Ωcm2。Hall测试和俄偈电子能谱表明,影响接触电阻的主要原因是ITO载流子浓度的改变和In,Ga,O的扩散。另外,制作了以300nm ITO为窗口层的新型AlGaInP红光LED并研究其可靠性。发现ITO的退化导致了LED的电压持续升高。而ITO与GaP热膨胀系数的不同导致了LED的最终失效。     

La基高k栅介质的研究进展

SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。     

掺钪钨粉的制备研究

采用液-固掺杂工艺,以Sc(NO3)3水溶液制备了Sc2O3掺杂的钨粉,研究了所获钨粉的形貌、Sc2O3的分布。扫描电镜显示掺杂钨粉颗粒表面和裂缝中均匀附着了Sc2O3粉末,选区能谱分析证明Sc2O3在钨颗粒的表面覆盖均匀。Sc2O3与钨接触面增多,增大了钪与钨的结合力,该掺杂钨粉能够用于制备热电子发射均匀、抗离子轰击能力强的含钪钡钨阴极。     

银掺杂量对ZnO压敏电阻电性能的影响

通过传统的固相反应法在920℃制备了银掺杂的ZnO压敏电阻样品,考察了银掺杂量对样品烧结特性和电性能的影响。结果表明,银掺杂不利于样品的致密,但对于ZnO压敏电阻的电性能有明显的影响。当银在ZnO基体中的质量分数由15%增加到25%时,样品的压敏电压由1900V/cm降到600V/cm,对应的非线性系数由15.4降到9.0。这为进一步控制ZnO压敏电阻的电性能提供了新的途径。     

电子发射材料组成对Ba-W阴极性能的影响

利用TGA-DSC和XRD对阴极铝酸盐添加氧化钪(Sc2O3)前后的合成工艺、产物物相等进行了研究,对合成后铝酸盐与钨基的浸渍工艺、阴极的发射性能及蒸发速率进行了分析。结果表明:铝酸盐主晶相为Ba5CaAl4O12,添加w(Sc2O3)3%后,主晶相改变为Ba3CaAl2O7,熔点下降了48.5℃,铝酸盐的浸渍温度降低了130℃,浸渍度略有升高,保温时间缩短了0.5min。在阴极工作温度(1000～1100℃)范围之内,添加Sc2O3后制备的铝酸盐阴极直流发射密度是普通铝酸盐阴极的2倍以上;1100℃时平均蒸发速率是普通铝酸盐的61.5%,性能明显优于普通铝酸盐。     

基于热传导技术的数据中心冷却系统的研究与应用

随着近年来国内外数据中心建设和运营的蓬勃发展,数据中心能耗问题也日益突出,如何有效减少能源浪费、增加能源使用效率成为数据中心节能减排工作重点。本文针对数据中心能耗占比较高的空调系统,提出了“液冷为主、风冷为辅”的双通道冷却系统架构,通过建立基于热传导技术的低热阻高效率导热通道,实现大部分热量的高效传导、自然冷却,同时大幅减少制冷系统能耗。