全文获取类型
收费全文 | 37282篇 |
免费 | 4100篇 |
国内免费 | 2675篇 |
专业分类
电工技术 | 3457篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 4535篇 |
化学工业 | 1854篇 |
金属工艺 | 1806篇 |
机械仪表 | 2707篇 |
建筑科学 | 7299篇 |
矿业工程 | 1503篇 |
能源动力 | 1042篇 |
轻工业 | 649篇 |
水利工程 | 1387篇 |
石油天然气 | 744篇 |
武器工业 | 428篇 |
无线电 | 5187篇 |
一般工业技术 | 4499篇 |
冶金工业 | 904篇 |
原子能技术 | 1175篇 |
自动化技术 | 4880篇 |
出版年
2024年 | 170篇 |
2023年 | 433篇 |
2022年 | 788篇 |
2021年 | 968篇 |
2020年 | 1206篇 |
2019年 | 1012篇 |
2018年 | 971篇 |
2017年 | 1247篇 |
2016年 | 1292篇 |
2015年 | 1396篇 |
2014年 | 2192篇 |
2013年 | 2284篇 |
2012年 | 2684篇 |
2011年 | 2907篇 |
2010年 | 2118篇 |
2009年 | 2384篇 |
2008年 | 2252篇 |
2007年 | 2675篇 |
2006年 | 2258篇 |
2005年 | 1895篇 |
2004年 | 1627篇 |
2003年 | 1395篇 |
2002年 | 1177篇 |
2001年 | 1048篇 |
2000年 | 939篇 |
1999年 | 778篇 |
1998年 | 617篇 |
1997年 | 570篇 |
1996年 | 494篇 |
1995年 | 403篇 |
1994年 | 371篇 |
1993年 | 250篇 |
1992年 | 226篇 |
1991年 | 205篇 |
1990年 | 172篇 |
1989年 | 135篇 |
1988年 | 123篇 |
1987年 | 72篇 |
1986年 | 53篇 |
1985年 | 26篇 |
1984年 | 49篇 |
1983年 | 24篇 |
1982年 | 34篇 |
1981年 | 25篇 |
1980年 | 31篇 |
1979年 | 27篇 |
1978年 | 12篇 |
1977年 | 14篇 |
1959年 | 15篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
MBE growth and properties of ZnO on sapphire and SiC substrates 总被引:9,自引:0,他引:9
M. A. L. Johnson Shizuo Fujita W. H. Rowland W. C. Hughes J. W. Cook J. F. Schetzina 《Journal of Electronic Materials》1996,25(5):855-862
Molecular beam epitaxy (MBE) of ZnO on both sapphire and SiC substrates has been demonstrated. ZnO was used as a buffer layer
for the epitaxial growth of GaN. ZnO is a würtzite crystal with a close lattice match (<2% mismatch) to GaN, an energy gap
of 3.3 eV at room temperature, a low predicted conduction band offset to both GaN and SiC, and high electron conductivity.
ZnO is relatively soft compared to the nitride semiconductors and is expected to act as a compliant buffer layer. Inductively
coupled radio frequency plasma sources were used to generate active beams of nitrogen and oxygen for MBE growth. Characterization
of the oxygen plasma by optical emission spectroscopy clearly indicated significant dissociation of O2 into atomic oxygen. Reflected high energy electron diffraction (RHEED) of the ZnO growth surface showed a two-dimensional
growth. ZnO layers had n-type carrier concentration of 9 × 1018 cm−3 with an electron mobility of 260 cm2/V-s. Initial I-V measurements displayed ohmic behavior across the SiC/ZnO and the ZnO/GaN heterointerfaces. RHEED of GaN
growth by MBE on the ZnO buffer layers also exhibited a two-dimensional growth. We have demonstrated the viability of using
ZnO as a buffer layer for the MBE growth of GaN. 相似文献
992.
993.
本文叙述均匀磁聚焦和周期磁聚焦部分屏蔽流过渡区设计的一种方法,指出对于阳极电位与慢波线电位不同的电子光学系统,以及这两个电位虽然相同,但导流系数大,阳极孔效应严重的电子光学系统,它们的过渡区的设计,必须采用非等位空间中的傍轴电子轨迹方程。并对用部分屏蔽流周期磁聚焦的电子光学系统,电子枪区中的电子轨迹与磁力线重合的问题提出一些看法。 相似文献
994.
成形反射面天线的设计与综合是近年来卫星天线发展的一个热点问题 ,本文对日本、北美和欧洲成形反射面天线的技术发展和综合方法作了介绍和比较。 相似文献
995.
996.
激光束的相干合成技术 总被引:4,自引:0,他引:4
本文可实现激光束相干合成的一些有用的技术作了总结,对由Schuster等人 掾联MOPA系统进行成对共线光束合成的功率定标模型作了分析,最后,对与位相控制概念有关的作了讨论。 相似文献
997.
光束变换光学和光束质量研究的某些新进展 总被引:4,自引:0,他引:4
本对光束变换光学和光束质量研究的某些新进展,包括二维和三维非高斯光束通过一阶光束系统的传输,一般光束的分类及其光束质量的描述作了评述和分析,并对这一领域中需要解决的困难和问题作了讨论。 相似文献
998.
光学薄膜,光电子薄膜及光学有机薄膜 总被引:4,自引:1,他引:4
本文评介了新技术,新材料和新工艺在薄膜技术的应用及其最新发展。 相似文献
999.
通过求解Poisson方程,对热平衡态金属:p-n-CdTeSchotky势垒薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。嵌入的p型层增大传统金属:n-CdTe结的有效Schotky势垒高度与p型层厚度、掺杂浓度以及n-CdTe本底电阻率有依赖关系。最后讨论嵌入p型层增强CdTeSchotky势垒太阳能电池对光生载流子的收集作用。 相似文献
1000.