类椭圆截面战斗部侵彻混凝土弹道特性研究

为研究类椭圆截面战斗部对混凝土靶板的侵彻问题,获得具有更好的侵彻特性的类椭圆截面战斗部,对 类椭圆截面战斗部侵彻混凝土弹道特性进行研究。定义类椭圆截面战斗部的截面特征参数,利用LS-DYNA 软件对 不同特征参数下的类椭圆截面战斗部建立有限元模型,仿真侵彻过程,并通过young 公式确定数值仿真结果。结果 表明：弹丸在侵彻过程中的纵向偏移量随截面特征系数的增大而减小,弹丸总侵彻深度与截面特征系数反向变动。     

基于最优扫描结构的分形IP核设计

描述平板显示系统中最优扫描结构所对应的自相似分形拓扑结构图,提出分形扫描核心模块架构,分析n位分形扫描的递推结构,研究扫描过程中的子空间码与位码序列的关键特征,推导出序列生成的通用逻辑算法。在此基础上,设计了适合各种灰度等级的参数化的分形IP核并得到仿真结果,同时给出了分形IP核的系统应用,证明所设计的IP核可以有效提高灰度扫描的利用率和FPD画面质量。     

塑性混凝土防渗墙与防渗土工膜联合应用分析研究

该文主要是通过朝面山水库防渗设计采用塑性混凝土防渗墙与防渗土工膜结合使用,根据模型计算分析可知,该方案防渗效果较好,是可行的、有效的防渗措施,可在水库加固中加以推广。     

约束混凝土靶的准静态柱形空腔膨胀理论

针对射弹侵彻约束混凝土靶问题,基于Hoek-Brown(H-B)准则,建立了径向受弹性约束的有限混凝土介质准静态柱形空腔膨胀模型,得到了各种响应模式下的扩孔压力和响应模式转换条件,分析了扩孔过程以及约束效应对扩孔压力和侵彻阻力的影响。结果表明:约束混凝土靶的扩孔压力在扩孔过程中不断变化,约束刚度对响应模式和扩孔压力有显著影响;增大约束刚度可有效提高约束混凝土靶的侵彻阻力,约束混凝土靶的侵彻阻力可比半无限靶提高50%以上。     

考虑侵蚀效应的卵形弹丸侵彻混凝土介质模型研究

建立同时考虑弹丸质量损失和头部钝化的迭代计算模型,在弹体和靶体参数已知的条件下可以预测侵彻深度、质量损失、头部形状变化以及过载等侵彻相关物理量。通过对侵彻实验数据的验证分析,提出了一种考虑混凝土骨料硬度与弹体材料硬度比值的侵蚀修正系数,修正后的模型对侵蚀的计算精度增加明显。在修正后的模型基础上,对常用的Forrestal经验阻力公式中的静态阻力项进行修正,新的静态阻力项更加精确地反映了有侵蚀效应的弹丸侵彻混凝土的静态阻力。实验和模型对比发现:骨料硬度和弹体硬度的比值与弹丸质量损失率呈线性关系。     

混凝土靶中侵彻深度的相似性研究

引入弹头性能参数,采用量纲分析方法,对射弹侵彻混凝土靶的深度进行了分析,得到了无量纲侵彻深度与无量纲侵彻初始速度基本成线性的关系.另一方面,利用轻气炮对素混凝土靶和钢纤维混凝土靶进行了侵彻试验,测量了射弹的击靶速度和侵彻深度.试验结果表明,不同弹头形状射弹侵彻素混凝土靶和钢纤维混凝土靶的无量纲侵彻深度与无量纲速度近似成线性关系.     

悬臂式电磁发射导轨及壁板在发射状态下的强度分析

为进一步研究电磁炮的模型理论,建立了方型电磁发射装置的双层弹性基础悬臂梁模型。简化导轨和壁板为上、下梁,用解析法求解其在工作状态下的动态响应,并使用数值法求解与之比较。研究结果显示：解析法和数值法的计算结果较为吻合,解析法的可靠性在一定程度上得到了验证;双层弹性悬臂梁动态响应的最大值发生在距起始位置0~0.5 m范围内,且上梁的响应比下梁的大。研究结果可为电磁炮的强度分析以及设计提供一定参考。     

全密封超薄碳纳米管玻璃平板字符显示器件制造工艺的初步探讨

利用自制的场助热丝化学气相沉积设备，在不锈钢电极的部分选取表面上，摸索出了直接生长碳纳米管（CNT’s）勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜，研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射（CNT’s／FEA）阴极的新方法。经真空条件下的发射特性测量及SEM等检测手段肯定了这种CNT’s／FEA阴极的实用性。从工艺流程角度出发，初步探讨了静态工作制式下，采用碳纳米管做电极后，实现一种全密封超薄碳纳米管玻璃真空字符（或图像）显示器件的可能性。10多只封离管共显示过3种类型的字型（图像），全部管厚仅为2．7mm。实验结果不仅提供了一种碳纳米管阴极在玻璃真空平板型器件内应用的方法，也摸索出了一条实现小尺寸双色（或多色）字符（图像）静态（或动态）显示的廉价、节能途径。     

表面放电型彩色AC-PDP驱动技术的新进展

制约等离子体显示器件(PDP)发展的两个关键问题是成本和画质,采用不同的驱动技术可以降低PDP的成本和提高画质.主要介绍实现上述目的的最新驱动技术.     

残影不良分析及改善对策研究

通过对大量残影不良样品进行分析,找到了残影不良产生的原因,并基于分析结果设计了改善残影的实验。通过分析发现:残影不良产生的原因是彩膜侧像素与黑矩阵之间的段差过大,在摩擦工程时段差过大区域形成了摩擦弱区,摩擦弱区内的液晶分子配向较弱,导致不良产生。为降低残影不良进行实验,结果显示:在彩膜侧加覆盖层可以有效降低残影不良的发生率,但不适用于量产;通过采用高预倾角的配向膜材料,同时控制配向膜工程到摩擦工程的时间,可使残影不良发生率由28.2%降低至0.2%,为企业的稳定高效生产奠定了基础。