IGBT芯片静态输出曲线连续测量方法

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片的静态输出曲线是考核其能量损耗及指导多芯片并联设计的重要指标之一。现有测量IGBT静态输出曲线的方法多采用商用化的功率器件分析仪,然而商业化功率器件分析仪存在价格昂贵、夹具单一的问题。亟需开发一种简单、快速、有效的静态输出曲线测量方法。面向高压IGBT芯片,提出一种新的静态输出曲线连续测量方法及测试电路,有效减小了IGBT芯片的电导调制效应和温升效应对静态输出曲线的影响。通过实时测量动态过程中的电压及电流,可以快速得到IGBT芯片静态输出曲线。通过对比本文连续法与功率器件分析仪的测量结果,证明了所提方法的有效性。     

5G 功放DPD 的FPGA 宽带实现及自动优化

5G 宽带功放数字预失真器(DPD)的FPGA 实现过程中,常遇到数字处理带宽不够和资源有限问题,对 此,文中提出一种基于双路并行数据流的数字预失真带宽扩展方法和基于Zynq Ultrascale+ MPSoC 的自动化模型优化 验证方法,可快速实现对5G 宽带功放线性化方案的优化。使用该并行处理结构的数字预失真器,克服了数字电路最 大时钟频率造成的对FPGA 线性化带宽的限制,使得数字预失真电路在每个时钟周期内可以处理更多的数据,不仅有 效地增加了数字处理带宽,而且降低了DPD 的功耗。然而,这种带宽增加以消耗更多硬件资源为代价,对此,文中同时 提出了对预失真非线性模型的在线自动优化方法,以简化非线性模型、降低DPD 的硬件资源开销。最后,在Zynq Ultrascale+ FPGA 实验平台上实现了具有两路并行数据处理的I-MSA 自优化数字预失真电路,采用100 MHz 的5G 新无 线电(NR)信号在2. 6 GHz 功率放大器上进行线性化实验验证,获得了满意的预失真性能,验证了所提方法的有效性。     

Flexible Nonvolatile Transistor Memory with Solution‐Processed Transition Metal Dichalcogenides

Nonvolatile field‐effect transistor (FET) memories containing transition metal dichalcogenide (TMD) nanosheets have been recently developed with great interest by utilizing some of the intriguing photoelectronic properties of TMDs. The TMD nanosheets are, however, employed as semiconducting channels in most of the memories, and only a few works address their function as floating gates. Here, a floating‐gate organic‐FET memory with an all‐in‐one floating‐gate/tunneling layer of the solution‐processed TMD nanosheets is demonstrated. Molybdenum disulfide (MoS₂) is efficiently liquid‐exfoliated by amine‐terminated polystyrene with a controlled amount of MoS₂ nanosheets in an all‐in‐one floating‐gate/tunneling layer, allowing for systematic investigation of concentration‐dependent charge‐trapping and detrapping properties of MoS₂ nanosheets. At an optimized condition, the nonvolatile memory exhibits memory performances with an ON/OFF ratio greater than 10⁴, a program/erase endurance cycle over 400 times, and data retention longer than 7 × 10³ s. All‐in‐one floating‐gate/tunneling layers containing molybdenum diselenide and tungsten disulfide are also developed. Furthermore, a mechanically‐flexible TMD memory on a plastic substrate shows a performance comparable with that on a hard substrate, and the memory properties are rarely altered after outer‐bending events over 500 times at the bending radius of 4.0 mm.     

“网河”非稳定流模型在洪泛区洪流演进中的应用

将宽阔的溃口洪水行进范围概化成由河道水塘和联系河道组成的网河,用一维非恒定流方程组来描述主要的水充运动状态,通过简化和变换,改写成统一的四点线性隐式有限差的方程组形式,再用双消除法求解,全部计算在微机上实现,参数用实测资料率定,成果具有较好的精度,在一定程度上反映出横水流方向的水位流量变化,为防洪水利计算开辟一条新的途径。     

有约束的登机门分配问题混合遗传算法

为解决机场航班对登机门有约束的分配问题,提出一种遗传算法与模拟退火算法相结合的混合算法。设计一种编码方法,采用一个向量作为一种登机门分配方案,向量的元素位置表示飞机,元素表示分配给该航班的登机门,同时设计了与编码相应的不需再修正的杂交和变异算子。为了增加算法的局部搜索能力,且尽量不增加计算的复杂度,将模拟退火算法和遗传算法并行作用于相应的子群,并探讨该算法的收敛性。模拟实验结果表明,该算法在计算结果与稳定性方面均优于其他算法。     

波门设计对多频连续波雷达航迹起始的影响

针对多频连续波雷达航迹起始问题,提出一种引入径向速度量测的航迹起始新方法.首先从理论上分析航迹起始波门的设计方法;然后详细阐述了引入径向速度量测后的航迹起始算法;最后通过Monte Carlo仿真验证了该算法的有效性,并结合多频连续波体制雷达的测距特点,分固定测距误差与变测距误差两种情况比较了不同波门设计对多频连续波雷达航迹起始效果的影响.     

便携式时域反射仪硬件系统设计

介绍了用于土壤参数测量的时域反射仪硬件系统的设计与实现方案,并研制出样机TDR-I。该样机使用DSP做主控板,利用阶跃恢复二极管(SRD)产生140ps上升沿的快沿发射脉冲,采用快慢斜波比较法获得等效采样步进精度为8.7ps的取样脉冲。经过实验数据获取验证,该系统测量效果良好。     

Lithium doping and gate dielectric dependence study of solution‐processed zinc‐oxide thin‐film transistors

Abstract— The effects of lithium (Li) doping concentration and gate dielectrics on the performance of solution‐processed zinc‐oxide (ZnO) thin‐film transistors (TFTs) has been investigated. ZnO films with strong c‐axis orientation and lower background conductivity was obtained with 15 at.% of Li. Different crystallization behavior of ZnO was observed in the case of various dielectric surfaces. The 15‐at.% Li‐doped ZnO films (thickness ～20 nm) prepared on SiO² and SiN^x were found to be present in crystalline form, whereas the film prepared on aluminum titanium oxide (ATO) was found to be amorphous. A field‐effect mobility of 1.81 cm²/V‐sec and an Ion/Ioff ratio of 2 × 10⁶ were obtained for the 15‐at.% Li‐doped ZnO TFTs with a bilayer gate dielectric of SiO² and SiN^x. The comparison of dielectric studies showed that the performance of TFTs prepared on SiN^x and ATO are higher than that of the TFTs prepared on SiO².     

高速脉冲信号源的设计与实现

高速脉冲信号源是数据采集系统的重要组成部分,常用于系统的自检与测试中.根据实际要求,提出了高速运放调理和高速电子开关两种方案.分别对高速运放、信号幅值调理、驱动电路和高速电子开关的选择进行了研究,给出了具体的硬件电路设计.并结合相关理论,分析了信号在传输过程中出现的反射现象,提出了符合要求的解决方案.此高速脉冲信号源已成功应用于某采集设备的自检和测试中,效果良好.     

一种基于TDC的相对频差测量方法

提出了一种基于时间/数字转换器( TDC)的频率差测量方法.该方法使用延迟链和参考时钟结合的TDC直接数字量化频率差.测量系统与非线性标定模块均在现场可编程门阵列( FPGA)中实现.为了对频率差检测精度进行评估,使用振荡器作为仿真输入信号进行了实验.结果显示:所提出的测量方法对ΔF/F的测量噪声可以达到1 ×10-8/ 槡Hz.在实验结果的基础上,对测量噪声的来源进行了分析.