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小型腔式微波离子源的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
研制了1种用在离子束细胞刻蚀装置中的小型腔式微波离子源,它由石英放电管、同轴谐振腔和封装在管一端的二电极引出系统组成。该源由同轴腔激发起的表面波在石英管内产生等离子体柱。为了提高柱末端等离子体离子引出流密度,选用了在内径7.0mm直管的一端加上一内径5.0mm衬管的放电管。在微波频率为2.45GHz,输入功率为93W下,氮的引出流密度分别为48.4mA/cm2和91.7mA/cm2。这种表面波放电等离子体源体积小、结构简单,可在较宽的压强范围内产生重复性好、工作稳定的等离子体柱。 相似文献
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青城子矿田小佟家堡子金银矿床地质特征及成矿物质来源探讨 总被引:6,自引:1,他引:5
小佟家堡子金银矿床赋存在辽河群大石桥组PtLd^5 3和PtLd^4 3的互层带之中。矿体受层间滑脱构造控制。容矿岩石以自云石大理岩和硅质岩为主,矿体呈层就、似层就。矿石中的金以不可见金为主,金古量与毒砂关系最密切。成矿物质来源于地层——即海底火山喷气和喷流作用形成含矿热卤水,经运移在海盆边缘沉积形成矿源层或维集区,经区域变质作用和岩浆作用的改造,在印支期就位。矿床成因类型为同生沉积-变质一岩浆热液叠加再造型金银矿床。 相似文献
213.
本文介绍了PROTEL元件符号图形库和点阵汉字库的结构,以及怎样将点阵汉字库转换到PROTEL元件符号图形库的方法。从而提出一种在利用PROTEL设计电路原理图时,加入汉字标注的途经。 相似文献
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Fei Xu Zhisong Xiao Guoan Cheng Zhongzhen Yi Tonghe Zhang Lanlan Gu Xun Wang 《Thin solid films》2002,410(1-2):94-100
In this work, high concentration erbium doping in silicon-rich SiO2 thin films is demonstrated. Si plus Er dual-implanted thermal SiO2 thin films on Si substrates have been fabricated by using a new method, the metal vapor vacuum arc ion source implantation with relatively low ion energy, strong flux and very high dose. X-Ray photoelectron spectroscopy measurement shows that very high Er concentrations on the surfaces of the samples, corresponding to 10 at.% or the doping level of 1021 atoms cm−3, are achieved. This value is much higher than that obtained by using other fabrication methods such as the high-energy ion implantation and molecular beam epitaxy. Reflective high-energy electron diffraction, atomic force microscopy and cross-section high-resolution transmission electron microscopy observations show that the excess Si atoms in SiO2 matrix accumulate to form Si clusters and then crystallize gradually into Si nanoparticles embedded in SiO2 films during dual-ion implantation followed by rapid thermal annealing. Er segregation and precipitates are not formed. Photoluminescence at the wavelength of 1.54 μm exhibits very weak temperature dependence due to the introduction of Si nanocrystals into the SiO2 matrix. The 1.54-μm light emission signals from annealed samples decrease by less than a factor of 2 when the measuring temperature increases from 77 K to room temperature. 相似文献
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