基于虚拟参考面方法的高反射曲面三维形貌测量

针对常规光栅条纹反射三维形貌测量方法中对实际参考面的需求,提出了基于虚拟参考面方法。在系统标定阶段,通过向标定用平面镜投射一幅特殊标记的棋盘格图像,将其在平面镜另一侧成的虚拟像所在的平面定义为虚拟参考面。根据虚拟参考面上各点与编码光栅条纹相位间的对应关系,经计算可直接得到测量所需的两垂直方向的参考相位分布,从而无需在工件测量前首先对实际参考面进行相位提取操作。与常规光栅条纹反射三维形貌测量方法相比,由于避免了对参考平面测量的需求,本文方法获得的参考相位分布,在保证测量精度的同时提高了测量速度,降低了测量的复杂性,有利于系统的集成化。搭建了光栅条纹反射三维形貌测量系统,采用基于虚拟参考面的光栅条纹反射方法对超精密加工平面镜和组合台阶的表面形貌进行测量,建立相位偏移与被测工件表面梯度的对应关系,由梯度恢复工件表面高度,测量精度达到50μm左右。     

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。     

大数据平台安全防护研究

本文首先明确大数据平台的风险,提出大数据平台安全防护目的及防护体系,提供大数据基础设施、大数据接口、大数据存储、大数据计算处理和平台管理等方面的安全防护措施.     

问与答

问与答·问：日本驰电达牌Ｃ２６０型对讲机发生屏幕显示ＣＬ符号，各功能键操作无效的故障，更换锂电池后故障依旧，请提供有关分析及解决方法。答：根据所述故障现象，Ｃ２６０型手持机屏幕出现“ＣＬ”符号，各功能键操作无效，除锂电池电量不足引起数据丢失外，极可能...     

一种中速高精度模拟电压比较器的设计

设计一种中速高精度模拟电压比较器,该比较器采用3级前置放大器加锁存器和数字触发电路的多级结构,应用失调校准技术消除失调,应用共源共栅结构抑制回程噪声干扰;应用数字触发电路获得高性能数字输出信号,设计采用0．35μm5VCMOS工艺实现一个输入电压2．5V、速度1MS／s、精度12位的逐次逼近型MD转换器。Hspice仿真结果表明：在5V供电电压下,速度可达20MHz,准确比较0．2mV电压,有效校准20mV输入失调,功耗约1mW。     

用全光联合变换相关实现目标识别

本文提出了两种改善全光联合变换相关器性能的方法,其一是对输入面上的待识别图像和科像进行图像分割,以得到更高更尖锐的相关峰;其二是用多参考图像,产生一个标准的相关称,为确定待识别图像和参考图像相关程度提供判别依据,使进行目标识别更加简洁方便。通过实验证明了这些改善方法的可行性,并给出了实验结果。     

一种新型偏置电路的CMOS亚阈型电压基准源

文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本无关近似零温度系数的基准电压。为了提高电路的电源抑制比,该电路采用了共源共栅电流镜结构。该结构采用了一种新型的偏置电路．使得电流镜各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区,提高输出电压摆幅,得到有较高恒流特性的基准电流。该电路采用0,6μmCMOS工艺,通过Spectra仿真,可工作在2V电压下,输出基准电压1.4V,温度系数为17×10^-6（V／℃）。     

超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

本文深入研究了P⁺栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO₂界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.     

System View与VC混合编程在通信仿真中的应用

利用SystemView中自定义模块的功能，可实现复杂或专用的算法功能。分析了该功能的生成及调用方法，结合VC^ 6.0设计了一个抑制载波调幅的实例，可作为用户编制自定义模块的参考。     

一种低静态功耗的CMOS集成稳压器的实现

提出了一种静态功耗很低的CMOS集成稳压器的实现方法，详细分析了他的工作原理，并给出了具体电路、仿真波形以及分析数据。