光分组交换中的波长变换器配置研究

首先对波长变换器的功能及分类进行详细的论述,然后,对波长变换器的配置进行分析,总结出两种波长变换器配置方法,即独占式配置方法和共享式配置方法.针对独占式配置方法,本文使用仿真实验的方法研究了在不同类型的波长变换器下交换节点丢包性能的差异.本文还对独占式配置方法和共享式配置方法进行对比研究.     

充气飞行时间探测方法分析

本工作涉及充气飞行时间探测器的工作原理和实验测量结果。在不同能量(64、48和33MeV)下，利用充气飞行时间探测方法对同量异位素³⁶S和³⁶Cl进行鉴别，并与用传统的ΔE－E方法在相同能量下的鉴别结果进行比较。实验结果表明，在入射能量较高（E_i＞40MeV）时，ΔE－E法的鉴别能力比充气飞行时间法的稍好些；在E_i＜40MeV时，充气飞行时间法的鉴别能力比ΔE－E法的好，入射能量为20～40MeV时，充气飞行时间法能明显将³⁶S和³⁶Cl区分出来。     

一种具有域名解析功能的按需路由协议

由于缺乏固定架构，传统Internet中的域名系统在移动adhoc网络中不能正常工作．本文选取按需式移动adhoc网络为研究对象，提出一种具有域名解析功能的按需路由协议-REDN（Routing Extensionby Domain Name）.REDN在路由发现分组中捎带域名解析报文，并有效地利用缓存机制，降低由于引入域名系统而导致的网络开销．网络仿真结果显示，REDN所表现的业务时延和路由负载均优于直接使用域名解析．     

一种提高CCD空间分辨力的方法研究

基于多次移位成像的原理,提出了一种提高红外电荷耦合器件(CCD)空间分辨力的方法.在不改变CCD像元尺寸的前提下,使各相邻像元对应的地面目标进行局部多次采样,提高采样频率,达到将CCD空间分辨力提高多倍的目的.仿真试验显示了其良好的性能.     

一种基于DHT的动态网格命名解析方案

在分布异构的网格环境下，如何有效地查找网格资源是一个必须解决的问题，网格命名协议是利用全局统一的命名空间来发现网格资源的。该文在网格命名协议中采用了一种查找路由算法DHT的解决方案，可解决网格命名解析服务的可扩展性和灵活性。     

高速运动目标测试数据处理精度的方法研究

在利用微波干涉进行高速运动目标参数测试过程中,噪声是影响测试数据处理精度的关键因素,文章通过分析微波干涉信号的基本特点,利用小波变换与精确时域处理相结合的方法,对运动目标干涉信号进行了处理,得到了平滑的测试曲线,提高了数据处理结果的精度.同时该方法也可用于其他高噪变频数据的频率提取,具有通用性.     

基于KQML的协同CAD系统的通讯模型及冲突解决

设计基于KQML的代理的通讯模型，提出了基于多代理的协同设计系统中冲突解决方法，并给出其过程框架，详细说明了基于实例的推理的决策过程。     

RIBLL终端光纤矩阵探测单元时间分辨测量

本文描述了兰州放射性束流线(RIBLL)终端大面积闪烁光纤矩阵探测装置的结构。用两种方法测量了该光纤矩阵单元的时间分辨,得到的最佳时间分辨为520ps(FWHM)。光纤矩阵探测装置的角分辨为?φ≈0.39°,?θ≈0.79°。同时,实验研究了探测器所用光导的传输效率和对时间分辨的影响。     

红外AOTF调谐关系及其衍射光波长特性研究

对红外AOTF的分光原理和两级衍射光波长特性进行了理论与实验分析.结果表明:AOTF的驱动频率与衍射光波数基本成线性关系;入射角小于57.6°时,两级衍射光波长不等,波长差随驱动频率的增加而减小.分析了影响AOTF分辨率的主要因素,提出了改进方法.     

Optical and microstructural investigations of porous silicon

Raman scattering and photoluminescence (PL) measurements on (100) oriented n-type crystalline silicon (c-Si) and porous silicon (PS) samples were carried out. PS samples were prepared by anodic etching of c-Si under the illumination of light for different etching times of 30, 60 and 90 min. Raman scattering from the optical phonon in PS showed the redshift of the phonon frequency, broadening and increased asymmetry of the Raman mode on increasing the etching time. Using the phonon confinement model, the average diameter of Si nanocrystallites has been estimated as 2.9, 2.6 and 2.3 nm for 30, 60 and 90 min samples, respectively. Similar size of Si crystallites has been confirmed from the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). Using 2TO phonon mode intensity, we conjectured that the disordered Si region around the pores present in 30 min PS dissolved on etching for 90 min. The photoluminescence (PL) from PS increased in intensity and blue shifted with etching time from 2.1–2.3 eV. Blue shifting of PL is consistent with quantum confinement of electron in Si nanocrystallites and their sizes are estimated as 2.4, 2.3 and 2.1 nm for 30, 60 and 90 min PS, respectively which are smaller than the Raman estimated sizes due to temperature effect. Unambiguous dominance of quantum confinement effect is reported in these PS samples.