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41.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
42.
氧化锌压敏电阻的老化机理 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了ZnO压敏电阻的老化现象,提出了一种新的老化机理-线性链理论。该理论认为,在外电场作用下,压敏电阻势垒高度降低;当降低到一定值时,晶界可变电阻转化为线性晶界电阻,从而压敏链转化为线性链。线性链是稳定的,因而压敏电阻老化到一定程度后其电性能将不能完全恢复。 相似文献
43.
本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面的偏析,且淀积Cu原子能量越大,Ag原子偏析程度越大,即观察到了淀积Cu原子10~(-1)~1eV量级的平均能量差异对膜层表面偏析行为的影响。对溅射淀积所得膜层进行keV量级的离子束辐照,Ag原子的表面偏析程度更甚。 相似文献
44.
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47.
48.
根据相似性原理,选择不同的相似材料模拟双侧挤压作用下含盐不均匀基底变形对盖层构造的影响。实验表明:(1)双侧挤压背景下,受硬泡沫和凡士林代表的不同性质的基底的影响,上覆细沙盖层中形成的构造样式不同;(2)尽管模型的基底结构左右两侧基本对称,但上覆盖层的变形样式并不完全对称;(3)变形后期,盐脊顶部上覆沙层出现明显的塌陷构造;(4)实验最终结果显示的整个背冲构造的形成是由两个分割开的次级构造逐步合并而成的。 相似文献
50.
日产NHR-90W型催化剂失活原因分析 总被引:1,自引:0,他引:1
对日产NHR -90W催化剂在抚顺石化分公司石油二厂 6万t/a石蜡加氢装置运行情况进行了研究 ,证明该催化剂活性较高 ,对原料的适应性也较强。同时 ,对造成催化剂短期内失活的原因进行了分析 ,认为原料中铁离子含量过高是造成催化剂失活的主要原因。对相关装置生产控制提出了建议 相似文献