纳米粒子几何结构对膨胀型防火涂料阻燃和抑烟性能的影响

为了研究纳米粒子几何结构对膨胀型防火涂料阻燃和抑烟性能的影响,以聚磷酸铵(APP)-季戊四醇(PER)-三聚氰胺(MEL)-硼酸三聚氰胺(MB)为阻燃体系,硅丙乳液为成膜物质,分别添加球形纳米二氧化硅(Si O2)、经硅烷偶联剂KH560改性的管状碳纳米管(KH560–CNT)和片状水滑石(LDH)制备了3种水性膨胀型防火涂料。采用小室法、隧道法及模拟大板法研究了涂层的防火阻燃性能,再结合热重分析、扫描电镜分析和能谱分析,考察了涂层的热解性能和炭层结构。结果表明,球形Si O2和片状LDH能有效增强防火涂料的阻燃和抑烟性能,表现出较好的协效作用;管状KH560–CNT则会恶化防火涂料的阻燃和抑烟性能,表现出对抗作用。当纳米填料的质量分数为0.5%时,片状LDH表现出最优的协效作用,火焰传播比值为12.5,烟密度等级为14.1%。这是因为它能促进涂层在燃烧过程中形成更多的含磷和含硼交联结构,有效增强了炭层的致密性、连续性和隔热性能。     

提高铝电解净化系统烟气收集效率的实践

结合实际生产,针对铝电解净化系统烟气收集效率问题,提出一些有利于提高净化系统烟气收集效率的生产实践,以探讨提高铝电解净化系统烟气收集效率的有效方法。     

石英半球型微谐振器的仿真与加工

该文对石英半球型微谐振器进行了模态仿真,分析了前十阶振型及适合陀螺工作的模态,讨论了谐振器壁厚变化对四波腹模态谐振频率的影响。利用吹玻璃法和湿法腐蚀制作了石英半球型微谐振器,跟踪不同的腐蚀速率得出湿法腐蚀可精确控制壁厚的结论。测试腐蚀后的谐振器表面粗糙度仅为0.581nm,保留了原子级别的光滑度。     

CO2激光器在光学元件表面处理中的应用

介绍了CO2激光修复光学元件表面损伤用其对基片表面缺陷进行抛光的原理、内容以及最新进展,分析了CO2激光修复光学元件表面损伤对元件抗损伤阈值的提高所起的重要作用,并指出技术巾存在的问题。     

基于级联光纤的拉曼光纤放大器的研究

文章利用光子转换理论给出了两种光纤的任意信道间隔、N信道单向受激拉曼散射(SRS)的稳态分析结果,提出了一种新型的具有平坦增益的宽带拉曼光纤放大器(FRA).对64信道的波分复用(WDM)系统进行了仿真,为FRA增益平坦化提供了一种新的实现方法.     

硅微粉对环氧树脂灌注料性能的影响

分析了环氧树脂内应力的形成原因及硅微粉增韧环氧树脂灌注料的机理,通过各项实验获得硅微粉增韧环氧树脂灌注料时环氧树脂的力学性能、电学性能及热学性能的变化规律,得到高性能硅微粉增韧环氧树脂,有效地降低了环氧树脂固化物的内应力,提高了环氧树脂固化物的力学性能和热学性能。     

飞秒激光背部湿刻石英玻璃微通道的研究

为了获得飞秒激光背部湿刻石英玻璃微通道的最佳参量,通过分别改变飞秒激光的功率、刻蚀速率和显微物镜的放大倍数进行了实验。采用超景深显微镜对加工样品进行观察和测量,并分析了微通道的形貌。结果表明,在飞秒激光功率为50mW、刻蚀速率为0.010mm/s、20×显微物镜聚焦的实验条件下,可以制备出深度为1466μm、深宽比为32的石英玻璃微通道。此研究对3维结构维纳制造技术有一定的应用价值。     

丁二酸改性电子墨水用球形SiO2颗粒的FTIR及XPS分析

采用丁二酸对球状亚微米级SiO2颗粒进行表面改性,以提高SiO2颗粒于四氯乙烯溶剂中的电泳性能,制备适于电子墨水用的白色电泳颗粒。利用傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子谱(XPS)和Zeta电位粒度仪,研究了丁二酸改性SiO2颗粒的表面键合情况及其在四氯乙烯溶剂中的Zeta电位变化情况。研究发现,丁二酸仅有一端的羧基与SiO2颗粒表面的羟基发生酯化反应,而且当丁二酸的用量为3g(50mL乙腈中)时,接枝于SiO2颗粒表面的丁二酸的量达到最大值,此时C1s(O—CO)/Si(原子比)有最大值为5.77×10-2。Zeta电位测试结果表明,丁二酸改性后的SiO2颗粒在四氯乙烯中的Zeta电位比改性前的SiO2颗粒提高了约5.5倍。     

熔石英表面损伤修复点上气泡特征及控制方法的研究

损伤修复点上的气泡是诱导修复点在激光辐照下再次损伤的主要因素,研究了蒸发式和非蒸发式两种损伤修复方式在修复过程中产生的气泡的类型和特征。结果表明,无论哪种修复方式在修复过程中得到的气泡都可以分为球形和非规则椭形气泡两种类型,且气泡的类型与损伤点周围裂纹的形状和尺寸有极大关系。损伤考核结果表明,修复点的损伤阈值会随着气泡数量的增加而呈指数递减趋势变化。讨论了在修复过程中控制和消除气泡的方法和措施,给出优化的处理参数。     

在二氧化硅衬底上制备磁光Ce：YIG薄膜用于磁光波导型器件

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究．用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片．上淀积Ce1YIG薄膜,再对此薄膜进行晶化处理,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜．本文讨论了晶化过程中,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响．结果表明：采用波长为630nm的可见光测量,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为0．8deg／μm．同时,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向,其居里温度点为220℃．所得Ge1YIG薄膜的参数表明：所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器．