左江水利枢纽厂房及闸坝金属结构设计简介

简介左江水利枢纽水电站厂房及闸坝金属结构系统的组成、布置及结构设计。其金属结构设备有各种门(栅)44道,各种闸门、拦污栅28扇,各种启闭机18台套,设备总重2100t。工程建成后,运行情况良好。     

册田水库主坝稳定分析

册田水库是桑千河千流上山西省出境处控制性工程，水库的安危直接关系到北京市和下游人民群众生命的安危。文中对大坝的渗流与坝坡稳定分别进行了计算。分析认为，册田水库主坝存在安全隐患。     

单螺杆挤出机—熔体泵串联挤出系统的性能与应用

从原理与应用方面，分析、探讨了单螺杆挤出机-熔体泵串联挤出系统的优异性能以及在塑料挤出成型领域的高效应用。     

百色水库和龙滩水库淹没土地补偿概算单价比较

通过对百色水利枢纽和龙滩水电站土地补偿概算单价进行比较分析,找出控制土地补偿的关键因素,对 制定广西实施《大中型水利水电工程征地补偿和移民安置条例》办法和编制两工程调整概算,提供参考。     

液动旋冲接头冲击功测试方法研究

液动旋冲接头性能参数是旋冲接头设计的主要依据之一，如何对液动旋冲接头的参数进行检测是非常重要的工作。在分析和比较了测试液动旋冲接头性能参数各种方法的基础上，选择了冲击力法来进行破岩液动旋冲接头的性能参数测试，以YD系列测力传感器为检测元件，建立了一套比较完善的自动检测系统。分析了影响单次冲击功测试的因素，得出了测试旋冲接头的性能参数的影响规律。     

数控螺纹车削的单步插补控制法

分析了运动控制芯片MCX34的控制原理及单步插补实现过程，提出了基于运动控制芯片MCX314实现螺纹切削的单步插补控制法，从而实现快速，高效的螺纹加工。该方法控制过程简单 ，同步实现锥螺纹，控制精度高（0.001mm），响应快（≤1.6MHz)，脉冲确保不丢失，解决了数控螺纹车削存在的一系列关键问题。     

强震区高拱坝抗震措施比较

在拱坝横缝中,设置跨横缝钢筋和阻尼器,可以在一定程度上控制高拱坝在强震作用下的横缝开度,增强拱坝整体性。以国内某高拱坝为例,基于在大型商业有限元分析软件ABAQUS平台上二次开发的拱坝有限元模型,结合已有的计算成果,系统比较了设置跨横缝钢筋和阻尼器的抗震效果,提出了两种措施组合的方案,可供工程应用参考。     

Adsorption and decomposition of H2S on Pd(1 1 1) surface: a first-principles study

Gradient-corrected density functional theory was used to investigate the adsorption of H₂S on Pd(1 1 1) surface. Molecular adsorption was found to be stable with H₂S binding preferentially at top sites. In addition, the adsorption of other S moieties (SH and S) was investigated. SH and S were found to be preferentially bind at the bridge and fcc sites, respectively. The reaction pathways and energy profiles for H₂S decomposition giving rise to adsorbed S and H were determined. Both H₂S_(ad) → SH_(ad) + H_(ad) and SH_(ad) → S_(ad) + H_(ad) reactions were found to have low barriers and high exothermicities. This reveals that the decomposition of H₂S on Pd(1 1 1) surface is a facile process.     

三峡三期大坝工程大体积温控技术综述

葛洲坝集团公司在三峡三期大坝工程大体积混凝土施工中加强过程控制，采用优化减水剂参量、采用低热水泥和高效减水剂控制出机口温度，供料浅降温、仓面降温和保温，通冷水等。并应用新材料、新工艺，实行精细化管理，从2003年8月开工至今，浇筑了200万m^3大体积混凝土术出现一条裂缝，保证了施工质量。     

Bulk growth of Hg0.8Cd0.2Te single crystals by a combined CVT-seeding technique

The growth of high quality Hg_0.8Cd_0.2Te bulk single crystals by CVT, combined with an in-situ seeding technique, is reported here for the first time. For this purpose, a temperature difference of 590° → 540° C with a gradient of 40°-50° C/cm at the solid-vapor interface, and about 0.1 atm of HgI₂ as a transport agent, were employed. The bulk crystals have the expected stoichiometry and compositional homogeneity. Etch pit densities of 10⁴-10⁵ cm⁻² on the (111) face and hitherto unreported etch pits on the (100) face were observed in this work. Possible origins of the sub-grain structure are discussed.