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91.
基于倾斜换能器结构,采用112°XY-LiTaO3基片材料,加入群延时波动优化。同时对器件孔径、膜厚、占空比、换能器、反射器的波长及指对数进行优化,得到通带波动小于0.2dB,群延时波动小于22ns,矩形系数小于1.6的高性能声表面波滤波器。该文研制的器件具有通带平坦,群延时波动小和矩形度高等特点,有很好的实用性。  相似文献   
92.
针对CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)图像传感器成像系统中普遍存在的动态范围小和响应线性度差的问题,提出了一种兼顾图像传感器动态范围及响应线性度的方法——多斜率积分线性恢复.该方法在固定复位电压值的多斜率积分基础上,通过测得传感器的分段响应临界值,得出分段响应与线性响应映射关系,根据该映射关系对实测图像数据进行线性恢复.通过采用具体成像系统,对比使用该方法前后的成像质量和直方图统计后得出:不同的分段积分参数对线性恢复的影响不同,在合适的参数下,该方法能够有效地提高CMOS图像传感器的动态范围及响应线性度.  相似文献   
93.
论述了一全固化 Cr3 :L i Sr Al F6激光实验装置 ,用连续二极管激光器对 1mm晶体薄片纵向抽运 ,在平行平面腔结构中 ,产生 5.2 m W的激光输出 .自由振荡光谱范围为 832~ 84 5nm,斜率效率为 15% .  相似文献   
94.
为了改善激光打标系统中图像解算的拐点检测率,提高激光标刻质量,采用一种基于斜率差的拐点检测算法,进行了理论分析和实验验证。该算法计算出图像数据中相邻两点间偏移坐标的斜率,并以此相邻坐标点连线斜率之差作为判决条件检测提取拐点。结果表明,新算法较传统算法而言,在拐点检测更为准确的同时,具有较小的运算复杂度;应用该算法能够修正传统打标系统中存在的拐点工艺问题,使图像拐点在提取过程中能够更节省存储空间,减少了运算量。  相似文献   
95.
广义极限平衡理论在地基与边坡稳定分析中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文提出了复杂介质广义极限平衡理论,并应用于分析各种复杂地基的极限承载力,各种复杂边坡的稳定安全条件,同时定量地研究了各向异性等因素对地基、边坡稳定性的影响。  相似文献   
96.
关于箱形框架的计算   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文概述箱形框架的计算,并对考虑节点刚性影响的弹性地基梁的形常数和载常数进行了推导。  相似文献   
97.
由于黄河多泥沙的特性和特殊的自然条件,黄河下游河道在历史上决口频繁。人民治黄50年来,黄河下游的防洪减灾措施确保了黄淮海太平原的安全,取得了巨大的社会经济效益。,采用“实际发生年法”对黄河下游防洪减灾效益进行了分析。结果表明,人民治黄以来,黄河下游防洪工程减免大堤决口、减少滩地淹没、减少凌汛决口及河道淤积所取得的直接经济效益分析另3400.1、65.8、120.0、45.0亿元,由于黄河问题的复杂  相似文献   
98.
本文就河渠防渗防冻害复合衬砌结构进行了现场试验,并提出了设计和施工方法,可供相关工程参考  相似文献   
99.
半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时,会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早期的GaAs LD到量子阱LD和量子点LD)在辐照效应实验方面的研究进展,梳理了国际上开展不同辐射粒子或射线(质子、中子、电子、伽马射线)诱发LD辐射敏感参数退化的实验规律,分析总结了当前LD辐照效应实验方法研究中亟待解决的关键技术问题,为今后深入开展LD的辐照效应实验方法、退化规律、损伤机理及抗辐射加固技术研究提供理论指导和实验技术支持。  相似文献   
100.
A high performance white light emitter diode (LED) driver based on boost converter with novel single-wire serial-pulse digital dimming (SWSP) is proposed. The driver uses external serial programmed pulses and internal clock to simplify brightness control. By embedding a 5-bit digital analog converter (DAC) into the driver, wide dimming range is achieved. Moreover, a new dynamic slope compensation circuit is presented and other key circuits of the driver are optimized to get higher efficiency and fast transition response. A practical circuit is implemented with 0.6 um bipolar complementary-metal-oxide-semiconductor double-diffused-metal-oxide-semiconductor (BCD) technology. The simulation results show that the driver can provide both wide output current from 1.3 mA to 42 mA with 32-level digital dimming and higher efficiency up to 83% while it works at 1 MHz switching frequency with the input voltage variation from 2.7 V to 5.5 V.  相似文献   
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