可用于传感领域的环形谐振腔游标效应的研究

为了验证光纤环形谐振腔的游标效应,对不同长度的光纤环形谐振腔进行了研究。实验研究了长度分别为2.24m和2.52m光纤环形谐振腔透射谱频率的对应关系,当谐振频率相同且自由频谱宽度个数差值为1时,根据差值等分测量原理,以其中一个谐振谱线作为标尺、另一个作为游尺,对标尺的自由频谱宽度九等分,得到游尺的最小测量分度为0.01GHz,这与MATLAB理论仿真结果一致。结果表明,通过改变谐振腔尺寸差,增加自由频谱宽度的等分刻度数,可以提高测量精度;基于微谐振腔对外界环境变化的敏感特性,谐振腔游标效应在高灵敏传感领域将具有潜在的应用。     

随机偏振光学加密算法的加密及解密特性分析

为了阐明随机偏振模板在光学加密系统中的作用,采用理论分析与数值模拟相结合的方法,进行了在双随机偏振光学加密系统中偏振模板的特性参量对系统加密效果及解密误差的影响的理论和仿真分析;对比了随机相位模板和随机偏振模板对光学加密系统加密效果及解密误差的不同影响。结果表明,加密方面,采用随机偏振模板或随机相位模板均能生成平稳白噪声分布的密文,但是偏振模板有两个构造参量,密钥空间更大;解密方面,系统对相位模板以及偏振模板中不同参量的解密敏感性有一定差异,随机偏振加密具有更高的应用灵活性。该结果对理解相位及偏振编码光学加密系统的本质属性及设计安全性更高的光学加密系统有一定的帮助。     

高功率光纤激光中模式不稳定性现象研究进展

模式不稳定指高功率光纤激光随着输出功率提升发生的由稳态基模输出突然变为非稳态高阶模式输出的模式突变,会导致光束质量下降,限制着衍射极限光束质量光纤激光输出功率的提升。介绍了高功率光纤激光中模式不稳定现象的产生机理以及相关的实验和理论研究,详细分析了模式不稳定现象的一些性质,总结了解决或抑制高功率光纤激光中模式不稳定现象的方法。最后,对高功率光纤激光模式不稳定现象研究的未来发展趋势进行了初步探讨。     

数字梯度敏感法测量PMMA板裂纹尖端的应力强度因子

用数字梯度敏感法(DGS)测量了聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)板的张开型应力强度因子(SIF)。用DGS方法测量了PMMA板裂纹附近应力集中区的应力梯度(或偏转角)。此方法先用数字图像相关法(DIC)测量了透明试件裂纹尖端附近的全场位移,再根据光弹效应获得光线在透明固体应力集中区的全场偏转角,在平面应力条件下,偏转角可以与应力梯度建立联系从而获得应力集中区的应力梯度。由应力梯度场测量了裂纹尖端的应力强度因子。在应力强度因子的求解过程中提出了一种迭代最小二乘拟合应力梯度场的方法,此方法可同时得出应力强度因子与裂纹尖端位置。将实验结果与理论值进行了比较,结果显示数字梯度敏感方法准确地测量了复合型应力强度因子。     

基于改进型重复控制的三轴转台解耦与控制

针对三轴转台伺服系统位置精度要求不断提高,提出了改进型重复控制与微分前馈控制相结合的复合控制作用于伺服系统的位置回路。根据某型三轴转台伺服系统的组成,分析并建立了电流环、速度环与位置环的模型,并于位置环设计了改进型重复控制器。设计时,考虑了三轴转台的三个框架转动时互相产生的耦合影响,并分析三个框架同时转动时三轴转台的内框快速性与稳定性。仿真结果表明,采用复合控制策略时三轴转台的位置控制响应快、精度高、抗干扰性强,满足系统性能指标。     

基于混沌鲶鱼效应的人工蜂群算法及应用

针对目前人工蜂群算法的早熟收敛、陷入局部极值等问题,提出一种基于混沌鲶鱼效应的改进人工蜂群算法.首先,采用随机性更高的混沌序列初始化蜂群以扩大其遍布范围;其次,集成了鲶鱼效应和混沌理论提出了混沌鲶鱼蜂,并引入了它与跌入局部极值的蜂群之间的有效竞争协调机制,从而增进蜜蜂群体跳出局部最优解、加速收敛的能力.支持向量机的学习能力主要取决于其惩罚因子C和核函数参数的合理选择,对其参数的优化可以提升其学习效果,然而现行算法均存在一定局限性.基于我们提出的改进人工蜂群算法,对支持向量机的参数进行了优化.最后,在UCI（加州大学欧文分校）数据集和行为识别真实数据集上进行了测试,验证基于改进人工蜂群算法的支持向量机具有更强的分类性能.     

中国移动对于100-Gb/s WDM系统的需求和策略

In recent years, the booming bandwidth demands of dedicated mobile services have driven the rapid development of optical transport networks (OTNs). Through the in-novative use of emerging coherent optical communication technology and the advancement of microelectronics technology, the new-generation 100Gb/s transport technology offers a high line rate and unprecedented resilience to optical transmission impairments. This paper overviews the bandwidth demands of China Mobile driven by the upcoming rollout of Time Division-Long Term Evolution (TD-LTE) and presents the 100Gb/s trials at China Mobile that were used to verify the performance of a 100Gb/s system. China Mobile’s considerations, which were based on the trial results, regarding the deployment of 100Gb/s transport systems are introduced, and the requirements of China Mobile for the evolution of 100Gb/s transport systems are summarized.     

基于级联微环谐振器的集成化可重构光学上下路插分复用器

We report on an eight-channel reconfigurable optical add-drop multiplexer based on cascaded microring resonators with a high tuning power consumption and a compact footprint. Microheaters are fabricated on top of the microring resonators and can be modulated using the thermo-optic effect to achieve the reconfigurable functionality of the device. We demonstrate the reconfigurable add-drop multiplexing functionality for channel spacings of 100 GHz and 50 GHz, with the centre wavelengths of the channels aligned to International Telecommunication Union grid specifications. The crosstalk for channel spacings of 100 GHz and 50 GHz are less than..22:5 dB and..15:5 dB, respectively. The average tuning efficiency is about 4.5 mW/nm, and the response speed is about 13.0 kHz.     

大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.     

Electron mobility in n-doped zinc sulphide

A study of the mobility of n-doped wurtzite and zincblende ZnS is reported. We have determined nonequilibrium thermodynamic state of the ZnS—driven far away from equilibrium by a strong electric field—in the steady state. The dependence of the mobility (which depends on the nonequilibrium thermodynamic state of the sample) on the electric field strength is derived, which decreases with the strength of electric field. We analyzed the contributions to the mobility arising out of the different channels of electron scattering, namely, the polar optic, deformation, interactions with the phonons, and with ionized impurities. The case of n-ZnS WZ and ZB have been analyzed: as expected the main contribution comes from the polar-optic interactions in this strong-polar semiconductor. The other interactions are in decreasing order, the deformation acoustic and the one due to impurities.