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11.
基于对比折射法的三维静校正技术及其应用 总被引:7,自引:0,他引:7
在地形起伏剧烈、速度和厚度横向变化大的地区,折射静校正技术的应用受到诸多限制,主要表现在不能准确地识别和拾取来自于地下连续地质界面的折射波,使得精确求取的长波长静校正量困难。为此,提出了一种基于对比折射法的三维静校正技术。介绍了这种静校正技术的方法原理和特点,基于对比折射法的折射波至拾取实质上是一个折射层的对比分析解释过程,因此能准确地拾取折射波至,精确地求解低速带的绝对延迟时;然后利用延迟时和近地表速度模型(等效,时深,空变)反演表层模型,最终一次性完成基准面静校正(包含低速带校正和高程校正)。在黄土塬、沙漠以及沙漠和山地的接合部等地区,利用基于对比折射法的三维静校正技术进行静校正处理,使资料的品质得到了明显改善,反射同相轴连续性好,信噪比和分辨率高,构造形态清晰可靠,提高了勘探精度。 相似文献
12.
大型弧形闸门静力特性有限元分析 总被引:5,自引:0,他引:5
以某水电站溢洪道弧形闸门为例,建立了大型弧形闸门的有限元分析模型,应用ANSYS软件对其在各种工况下的支铰反力、闸门应力、位移挠度以及屈曲失稳等静力特性进行了计算分析,为完善闸门结构的设计提供了依据,对同类闸门结构的设计计算有参考意义。 相似文献
13.
沙漠地区高精度地震资料处理技术 总被引:1,自引:1,他引:0
受静校正及各种类型干扰的影响,西部沙漠地区地震资料的高精度处理较东部地区有更大的难度。对准噶尔盆地中部Ⅱ区、Ⅲ区、Ⅳ区、顺托果勒等区块地震资料在振幅恢复、静校正、去除各类噪音、高精度速度分析及叠前、叠后子波处理等方面进行了大量的试验与研究,形成了较为系统的高精度地震资料处理技术,在西部不同区块地震资料处理中取得了较好的应用效果。 相似文献
14.
A method of measuring and identifying the static parameters of a bipolar transistor is considered. The characteristic of the transistor, from which the parameters of the model are determined, is chosen depending on what group the calculated parameters belong to. The characteristics are measured in such a way that the equations of the model describing them can be reduced to the simplest form. 相似文献
15.
16.
地震资料常规处理中的速度分析、动校正、剩余静校正等均是以反射点为基本反射单元进行研究,对于复杂地质界面来说,地下反射点的信息分布在临近多个CDP点上,用常规方法处理无疑会损失许多有用信息。CRS叠加技术是在地震资料处理中利用邻近多个反射点组成的共反射面信息进行动校叠加。介绍了利用CRS叠加技术进行叠加成像及剩余静校正的基本原理及应用。 相似文献
17.
Woo‐Seok Cheong 《ETRI Journal》2003,25(6):503-509
Selective epitaxial growth (SEG) of silicon has attracted considerable attention for its good electrical properties and advantages in building microstructures in high‐density devices. However, SEG problems, such as an unclear process window, selectivity loss, and nonuniformity have often made application difficult. In our study, we derived processing diagrams for SEG from thermodynamics on gas‐phase reactions so that we could predict the SEG process zone for low pressure chemical vapor deposition. In addition, with the help of both the concept of the effective supersaturation ratio and three kinds of E‐beam patterns, we evaluated and controlled selectivity loss and nonuniformity in SEG, which is affected by the loading effect. To optimize the SEG process, we propose two practical methods: One deals with cleaning the wafer, and the other involves inserting dummy active patterns into the wide insulator to prevent the silicon from nucleating. 相似文献
18.
19.
自适应阵对角线加载研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文分析了对角线加载对自适应阵性能的影响,提出了加载门限的概念,以及加载门限的计算公式,为加载量的选取提供了方法和依据,并将加载研究的结果加以推广,提出了有效的LS自适应波束形成算法的非零初始化方法。 相似文献
20.