全文获取类型
收费全文 | 22412篇 |
免费 | 2900篇 |
国内免费 | 1941篇 |
专业分类
电工技术 | 2176篇 |
综合类 | 2025篇 |
化学工业 | 2377篇 |
金属工艺 | 2884篇 |
机械仪表 | 1643篇 |
建筑科学 | 3636篇 |
矿业工程 | 1328篇 |
能源动力 | 489篇 |
轻工业 | 828篇 |
水利工程 | 938篇 |
石油天然气 | 992篇 |
武器工业 | 323篇 |
无线电 | 1059篇 |
一般工业技术 | 3828篇 |
冶金工业 | 1132篇 |
原子能技术 | 258篇 |
自动化技术 | 1337篇 |
出版年
2024年 | 133篇 |
2023年 | 359篇 |
2022年 | 736篇 |
2021年 | 884篇 |
2020年 | 935篇 |
2019年 | 831篇 |
2018年 | 745篇 |
2017年 | 983篇 |
2016年 | 971篇 |
2015年 | 1029篇 |
2014年 | 1480篇 |
2013年 | 1595篇 |
2012年 | 1712篇 |
2011年 | 1796篇 |
2010年 | 1369篇 |
2009年 | 1379篇 |
2008年 | 1175篇 |
2007年 | 1346篇 |
2006年 | 1358篇 |
2005年 | 996篇 |
2004年 | 874篇 |
2003年 | 758篇 |
2002年 | 686篇 |
2001年 | 519篇 |
2000年 | 424篇 |
1999年 | 384篇 |
1998年 | 326篇 |
1997年 | 283篇 |
1996年 | 207篇 |
1995年 | 179篇 |
1994年 | 144篇 |
1993年 | 122篇 |
1992年 | 100篇 |
1991年 | 79篇 |
1990年 | 68篇 |
1989年 | 54篇 |
1988年 | 41篇 |
1987年 | 22篇 |
1986年 | 14篇 |
1985年 | 32篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 18篇 |
1982年 | 13篇 |
1980年 | 9篇 |
1979年 | 14篇 |
1963年 | 4篇 |
1961年 | 5篇 |
1960年 | 6篇 |
1959年 | 7篇 |
1955年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 8 毫秒
271.
272.
张延伟 《电子产品可靠性与环境试验》2005,23(4):48-50
破坏性物理分析(DPA)作为一种有效的电子元器件批质量评价方法,近年来对促进我国元器件制造工艺的提高起到了很大的作用,对当前DPA技术所面临的一些问题进行了分析,并提出解决这些同题的方法和建议。 相似文献
273.
274.
SnSb4.5CuNi/Cu焊点在175℃进行等温时效,分析了不同时效时间的SnSb4.5CuNi/Cu焊点中金属间化合物(IMC)组织形貌演变,通过纳米压痕法测量SnSb4.5CuNi/Cu焊点界面IMC的硬度和弹性模量,对焊接接头进行拉伸强度和低周疲劳测试。结果表明,时效48 h的焊缝中Cu6Sn5呈曲率半径均匀的半圆扇贝状特征,IMC的弹性模量与铜基板很接近,在恒幅对称应变条件下焊点的抗低周疲劳的性能最佳,焊点的抗拉强度高;当时效时间大于48 h,焊接接口的抗疲劳性能和抗拉伸强度逐渐变差。 相似文献
275.
276.
绝缘体上张应变锗材料是通过能带工程提高锗材料光电性能得到的一种新型半导体材料,在微电子和光电子领域具有重要的应用前景.采用微电子技术中的图形加工方法以及利用锗浓缩的技术原理,在绝缘体上硅(SOI)材料上制备了绝缘体上张应变锗材料.喇曼与室温光致发光(PL)测试结果表明,不同圆形半径的绝缘体上锗材料张应变均为0.54%.对于绝缘体上张应变锗材料,应变使其发光红移的效果强于量子阱使其发生蓝移的效果,总体将使绝缘体上张应变锗材料的直接带发光峰位红移.同时0.54%张应变锗材料的直接带发光强度随着圆形半径的增大而减弱,这主要是因为圆形半径大的样品其晶体质量较差.该材料可进一步用于制备锗微电子和光电子器件. 相似文献
277.
为研究爆炸冲击波和破片联合作用下复合夹芯结构的防护能力和毁伤机理,采用TNT和预制破片开展了冲击波和破片联合作用下玻璃纤维夹芯结构的联合毁伤实验。研究玻璃纤维复合夹芯结构的毁伤特性,将其防护能力与芳纶、高强聚乙烯复合夹芯结构进行了量化对比,并分析了冲击波和破片联合作用下复合夹芯结构前面板、芯层、后面板的破坏模式及相应破坏机理。结果表明:选用复合夹芯结构抗冲击波和破片联合毁伤时,同等防护能力所需E玻璃纤维芯层重量分别为芳纶芯层、高强聚乙烯芯层的1.37倍、2.50倍;前面板破坏模式主要由冲击波载荷、破片载荷、芯层约束3方面因素共同决定;破片载荷对芯层破坏模式起主要作用,后面板破坏模式与芯层碰撞、破片载荷两方面因素有关,其中冲击波载荷和芯层碰撞为面载荷,使前后面板产生整体弯曲变形,破片载荷为点载荷,使面板和芯层产生局部的穿甲破孔,芯层约束限制了前面板变形空间。 相似文献
278.
279.
In order to gain insight into the relationship between the failure probability and the spectrum efficiency,both failure probability (FP) and load balancing (LB) were attempted to minimize in flexible bandwidth optical networks.An optimized FP-LB algorithm was developed to reduce failure probability and to improve the spectrum efficiency,and a traditional algorithm was further introduced for comparison in flexible bandwidth optical networks.Simulation results show that the optimized FP-LB algorithm reduces 69.8% blocking probability,45.3% spectrum occupancy rate,and 41.9% average failure probability compared to the traditional algorithm.Obviously,the optimized FP-LB algorithm achieves the joint optimization of both failure probability and load balancing. 相似文献
280.
GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理 总被引:6,自引:1,他引:6
黄云 《电子产品可靠性与环境试验》2002,(3):9-14
从可靠性物理角角度,深入分析了引起砷化镓微波单片机集成电路(GaAs MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要的失效部位是MMIC的有源器件。 相似文献