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991.
992.
Exchange and oxidation of C16O were investigated at 450°C on 18O-predosed Rh and Pt catalysts supported on A12O3, CeO2 and CeO2-Al2O3. In all cases, a rapid exchange of C16O with the surface can be observed. CO oxidation leads to C16O2, C16O18O and C18O2. Significant formation of C16O2 is due to the relatively high 16O coverage in reaction resulting from the C16O exchange and from an exchange between O surface species and 16O internal atoms. Hydrogen is also formed via a water-gas shift reaction (CO + surface OH) in higher proportion on CeO2-containing catalysts than on A12O3. Chlorine inhibits all the reactions (exchange, oxidation and WGS) and particularly the internal exchange. 相似文献
993.
新型重整催化剂的研究——Pt/L中沸石酸碱性的作用 总被引:2,自引:0,他引:2
Pt/KL、Pt/BaKL及Pt/HL上的铂与沸石的酸碱位发生相互作用,导致催化剂上存在不同电子状态和粒度分布的铂位,从而产生有着完全不同催化作用、不同抗硫性能的两类催化剂,即以碱性沸石为载体的“单功能”催化剂和以酸性沸石为载体的“双功能”催化剂。在Pt/KL、Pt/BaKL催化剂上,存在着对硫敏感的具有环化脱氢功能和对硫不敏感的仅具有脱氢功能的两类铂活性位。 相似文献
994.
针对铜鼓县小水电站联网时存在的问题及其不利影响进行了分析,井提出了改进途径,指出小水电站的联网改造应立足安全,争取效益。 相似文献
995.
异质谷间转移电子器件的计算机模拟 总被引:2,自引:1,他引:1
薛舫时 《固体电子学研究与进展》1995,15(2):118-124
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的GaAs/AlxGa1-xAs异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组,得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Gunn器件相反,说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Al组份势垒结构的计算说明了X谷电子注入对器件工作的重要作用。 相似文献
996.
997.
Mgidi Donald Dlamini 《Solar Energy Materials & Solar Cells》1996,43(4):353
In this paper results on surface photovoltage (SPV) and electron beam induced conductivity (EBIC) studies of edge-defined film-fed growth (EFG) and floating zone (FZ) silicon solar cell materials (both p-type) are presented. A systematic comparison based on minority carrier diffusion length and carrier recombination is made between: (i) samples contaminated with Ti and/or Fe, (ii) samples gettered by phosphorous diffusion, and (iii) as-received samples. Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements, together with the iron-boron (FeB) pairing kinetics [1] have successfully been used to detect the presence of Fe in the samples. Even though this process is effective in revealing Fe impurities in p-type FZ silicon it is evidently not suitable for Fe identification in p-type EFG silicon. Ti, like Fe, is found to be a prominent lifetime-limiting metallic impurity in both EFG and FZ silicon. Phosphorous diffusion is proven to be an effective external gettering technique for fast-diffusing impurities such as Fe, but not for Ti. 相似文献
998.
R. Knockaert I. Doghri Y. Marchal T. Pardoen F. Delannay 《International Journal of Fracture》1996,81(4):383-399
Double-edge notched (DENT) steel plates were pulled until complete fracture and several experimental observations were made (using profilometry and scanning electron microscopy). The essential work of fracture (EWF) model was found to be well verified. Numerical simulations—up to the maximum load only—of some experiments were performed using the finite element method (FEM), and incorporating geometric and material non-linearities (large deformation elasto-plasticity). Some experimental measurements were compared with the corresponding numerical computations and excellent agreement was found. 相似文献
999.
主要研究带钛合金连接头硼/铝复合材料管构件中B-Al-Ti间的界面结构与性质。研究表明,在复合工艺条件下,硼-铝界面附近没有检测到任何铝-硼化合物,而钛-铝间形成TiAl有序金属间化合物相。实验证明,硼/铝复合材料与铝合金端环之间采用的固结方法是有效的,且可按照受载类型随意调整斜面搭接长度,达到承受不同载荷的目的。 相似文献
1000.