有机发光显示技术的进展

有机发光显示被认为是下一代最理想的显示技术,具有自主发光、功耗小、视角宽、成本低和响应速度快等优点。本文在简述有机电致发光器件的电极结构和发光材料的基础上,重点介绍了有机显示器件的驱动技术和面板的研发成果,并展望未来发展的前景。     

三维阻抗方法及并行实现（增刊）

为了拓展阻抗方法在生物电磁学中的应用，重新推导了三维阻抗方法，并给出了三维阻抗方法的并行实现方式。首先基于Maxwell方程，通过离散化网格推导了三维阻抗方法，得到了可计算的电磁波波长和计算网格解析度之间的关系。然后给出了阻抗方法的并行实现的通信方式并建立了并行计算系统平台。最后，计算了暴露在高压输电线下解析度是3mm含196×114×626个网格的人体模型体内的感应电流。计算结果验证了并行阻抗方法的有效性和计算效率。     

LED暖白光照明用(Y_(2.95-x)Gd_xCe_(0.05))Al_5O_(12)系列荧光粉的晶相与三维荧光光谱

采用高温固相法合成(Y2.95-xGdxCe0.05)Al5O12系列荧光粉,研究了(Y2.95-xGdxCe0.05)Al5O12粉体的晶体结构,运用三维荧光光谱全面表征该体系荧光粉的发射光谱,结果表明Gd3+的加入并没有改变荧光粉的原有晶体结构,只是由于Gd3+离子半径大于Y3+离子半径,使得样品晶格常数略有增加,并且导致荧光发射主峰向长波方向移动,有利于降低白光LED器件相关色温和提高显色指数.     

直流道PEMFC的综合三维数学模型Ⅱ单电池机理分析

目的研究质子交换膜燃料电池内部的流动和传质过程及电化学反应过程的机理.方法对直流道质子交换膜燃料电池建立综合的三维多组分数学模型,电化学反应速率采用团聚块模型修正,自主开发程序代码对电池内的复杂物理过程进行数值模拟.模拟得到电池内部反应气体的三维速度场、压力场,以及不同电流密度下的气体组分质量分数、局部电流密度和电极反应过电势的三维分布.结果反应气体在电极中的流速比在流道中小3个数量级以上,压力变化不大;阳极反应速率及氢气的传质速率高,电池的极化过电势主要来自于阴极反应;小电流密度下,阴极内氧的组分质量分数、局部电流密度以及电极反应过电势的分布均匀;随着电流密度的增加,这些量趋于不均匀分布,在传质困难的区域局部电流密度值很小,而局部电极反应过电势增大约0.1V,极化的原因主要由于氧组分的传质限制.结论反应气体在电极内的传质是主要由扩散作用引起,在小电流密度时浓差极化较小,随着电流密度的增加,阴极氧组分的传质速率低是产生电池浓差极化过电势的主要原因.     

Ferroelectric properties of Bi_4Zr_(0.5)Ti_(2.5)O_(12) thin films prepared on LaNiO_3 bottom electrode by sol-gel method

The Bi4Zr0.5Ti2.5O12 (BZT) thin films were fabricated on the LaNiO3 bottom electrode using sol-gel method. The structure and morphology of the films were character-ized using X-ray diffraction, AFM and SEM. The results show that the films have a perovskite phase and dense microstructure. The 2Pr and 2Vc of the Pt/BZT/LaNiO3 capacitor are 28.2 μC/cm2 and 14.7 V respectively at an applied voltage of 25 V. After the switching of 1×1010 cycles, the Pr value decreases to 87% of its pre-fatigue val-ues. The dielectric constant (ε) and the dissipation factor (tanδ) of the BZT thin films are about 204 and 0.029 at 1 kHz, respectively. The films show good insulating behavior according to the test of leakage current. The clockwise C-V hysteresis curve observed shows that the Pt/BZT/LaNiO3 structure has a memory effect be-cause of the BZT film’s ferroelectric polarization.     

基于球坐标的三维静电场曲边四边形边界元方法

为了精确计算三维静电场中球形电极表面的电场强度,基于球坐标变换提出了球面曲边四边形边界元方法.该方法中积分的区域为球面,求解函数采用球面上球坐标线性插值,单元的外法线方向取为严格的球面法线方向.计算结果表明,与平面直边单元相比,在网格剖分节点相同时,球面曲边四边形边界元方法的计算精度明显提高.在计算精度要求相同时,球面曲边四边形边界元方法节点数较少,因而具有计算速度快、占用计算机内存少等优点.     

线结构光双传感器测量系统的标定方法

针对现有线结构光双传感器测量系统标定过程中对设备要求高、标定过程复杂等难题,提出了一种简便的基于平面标定参照物的现场标定方法。该方法不需要设计复杂的校准模型和高精度的辅助调整设备,只需要将一个绘制有棋盘格图案的平面参照物在两个传感器公共的测量范围内任意摆放几个位置,即可完成双传感器标定,并建立两个传感器之间的相互关系,进一步将多个局部世界坐标系下的标定特征点统一到一个全局世界坐标系中,从而建立起两个传感器与线结构光平面间的标定方程。实验验证了该方法的可行性,实测平面高度的均方根(RMS)误差为0.03 mm。     

激光再制造三维运动光束头

基于激光制造技术相关理论，设计并制造了激光同轴转动三维运动光束头。分析了三维运动光束头工艺参数对熔覆效果的影响，并讨论了其在工业应用实验中取得的效果。结果表明，该三维运动光束头能绕竖直轴转动和水平轴摆动;在参数一定的条件下，随着光束头摆动角度的增加，熔覆效果越来越不理想，理想的摆动角度为0°～45°;配合送粉头的粉末流聚焦及焦点可调功能，该光束头可以实现曲轴、螺杆、叶片等复杂型面零件的制造和再制造。     

全光纤热光型可变光衰减器

根据光纤包层中的倏逝场机制,将具有热光效应的聚合物材料直接覆盖在侧边抛磨光纤上,进行了全光纤热光型可变光衰减器(VOA)的研究.根据理论分析,确定了在侧边抛磨光纤的抛磨区上覆盖材料的折射率与纤芯中光衰减量之间的关系,为选择适当折射率的热光材料提供依据.设计适当的侧边抛磨区,利用先进的轮式侧边抛磨技术,制备了侧边抛磨光纤,以达到最佳可变光衰减效果.采用螺绕电极和优化封装,制作出性能优良的全光纤热光型可变光衰减器.性能测试表明,器件插入损耗小于0.1 dB,衰减范围为0~80 dB,偏振相关损耗小于0.02 dB,背向反射大于70 dB.该方法制作的全光纤热光型可变光衰减器具有可用电驱动调控、可靠性高等优点.     

Organic thin-film field-effect transistors with MoO3/Al electrode and OTS/SiO2 bilayer gate insulator

An organic thin-film transistor (OTFTs) having OTS/SiO₂ bilayer gate insulator and MoO₃/Al electrode configuration between gate insulator and source–drain (S–D) electrodes has been investigated. Thermally grown SiO₂ layer is used as the OTFT gate dielectric and copper phthalocyanine (CuPc) for an active layer. We have found that using silane coupling agents, octadecyltrichlorosilane (OTS) on SiO₂, surface energy of SiO₂ gate dielectric is reduced; consequently, the device performance has been improved significantly. This OTS/SiO₂ bilayer gate insulator configuration increases the field-effect mobility, reduces the threshold voltage and improves the on/off ratios simultaneously. The device with MoO₃/Al electrode has similar source–drain current (I_DS) compared to the device with Au electrode at same gate voltage. Our results indicate that using double-layer of insulator and modified electrode is an effective way to improve OTFT performance.