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21.
提取地震信号高频信息方法的若干问题 总被引:1,自引:0,他引:1
王西文 《石油地球物理勘探》2006,41(1):67-75
岩性油气藏勘探已成为当代油气勘探的重要组成部分,因此提取地震资料高频信息已成为一个重要研究课题。文中对分辨率、分频处理地震信号、波阻抗反演中的一些问题进行了较深入的讨论,并得出以下认识:1要提高垂向和横向分辨率,必须设法提高野外采集地震资料的频率;2地震分频处理是偏移后提高分辨率的常用方法之一,这种方法应该限定在地震波的有效频带内,而超出有效频带,可能会带来很多假像;3低频合成地震记录中高频反射系数存在不确定性。在基于模型波阻抗反演的方法中,反演结果受初始模型的影响非常大,初始模型是依据测井资料建立的,初始模型与实际情况越接近,反演效果就越好;否则,会产生模型化的现象;4在相对波阻抗数据体(相当于地震数据体)作为约束条件下的SP测井参数协克里金插值是正演过程,消除了模型化的问题,使反演结果更接近真实情况,提高了砂层真实的分辨率。 相似文献
22.
23.
对爆炸效应在淤泥软基工程中的应用问题进行了探讨,并首次提出了爆炸在淤泥软基中的分界应力特征以及排水固结及破坏分区的基本模式。为采用动力加速对淤泥软基工程的处理,提供了试验依据,具有实用价值和指导意义。 相似文献
24.
研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。 相似文献
25.
本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。 相似文献
26.
根据MUSCL格式的基本思想,对格式进行了部分修改,数值模拟了超音速燃气射流流场的结构和发展过程。给出了流场谐波系的变化趋势,得到了流场达到稳定状态的时间和稳定后的流动图形。 相似文献
27.
Li Yu-cheng He Ming Dept.of Civil Engineering Dalian Univ.of Technology Dalian P.R.China 《水动力学研究与进展(B辑)》1993,(4)
Based on model test,the statistical distribution of extreme values of wave-current in-line forces acting on vertical circular cylinder is analyzed in this paper.It is shownthat the results calculated by the simplified method,proposed by authors,agree well with the testdata;Weibull distribution is also adoptable in the region of high KC number, and the shapeparameter a and scale parameter β are related well with KC number respectively. 相似文献
28.
29.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献
30.
用超声波技术测量螺栓轴向紧固应力 总被引:6,自引:0,他引:6
超声波速度会因材料中加载应力而产生微小的变化,这一现象特别适用于测量螺栓的轴向应力。根据螺栓的轴向应力与超声波传播时间变化率的关系,作者研究了一种可直接测量螺栓轴同应力的仪器。实验结果显示,本项技术十分适合现场的实际应用。 相似文献