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991.
针对复合板结构中弯曲板波谐振频率计算相对复杂的问题,建立并分析了基于弯曲板波延迟线振荡器的理论模型,计算得到A0(0阶反对称)模式板波的谐振频率为41 MHz;为了验证理论分析的结果,利用有限元软件ANSYS建立了基于弯曲板波的延迟线振荡器的3D有限元模型,并对其进行了谐响应分析以及瞬态动力学分析。谐响应分析得到A0模式的谐振频率为37.2 MHz,与理论计算结果的相对误差为9.3%;瞬态动力学分析得到A0模式的谐振频率为39.1 MHz,与理论计算结果的相对误差为4.6%。计算和仿真为基于弯曲板波的延迟线振荡器的结构设计提供了重要的依据。 相似文献
992.
993.
DAI Hong-quan CHEN Hai-yan 《半导体光子学与技术》2007,13(3):206-209
Addressed is the calculation of millimeter wave attenuation on coplanar waveguide(CPW). A novel conformal wavelet finite-difference time-domain(CWFDTD) algorithm is proposed with emphasis on its application in calculation of millimeter wave attenuation on CPW, which is the combination of conformal algorithm dealing with the deformed cell with Wavelet-FDTD using multi-resolution analysis(MRA). Derived is the difference formulation for multi-resolution time domain(MRTD) based on Daubechies wavelets, and also given is the stability conditions for wavelet-FDTD algorithm. To validate its accuracy and efficiency, this novel method is applied to calculate the millimeter wave attenuation on lithium niobate CPW. Numerical results demonstrate that this new CWFDTD algorithm has the same accuracy with the conformal finite-difference timedomain(CFDTD) and conformal finite-difference time-domain based on alternating-direction implicit method (ADI-CFDTD), but saves computational time and computer memory. 相似文献
994.
铁电180°畴结构在超声波作用下将被诱导出沿畴壁传播的铁电畴层波,其电场导致了构成铁电180°畴结构的晶体的电光效应,畴结构的光率体发生了改变,晶体的主折射率受到激发铁电畴层波的超声波的调节。这一效应在声光控制和超声检测方面有应用价值。 相似文献
995.
996.
997.
998.
针对未来智能驾驶和无人驾驶对毫米波传感器多模式、多场景感知需求,设计并实现了一种77GHz多模毫米波雷达收发机芯片。芯片采用65nm CMOS工艺,集成了3路雷达发射机和4路接收机、调频连续波(FMCW)波形发生器、模数转换器以及高速数据接口等电路。利用交叉耦合中和电容技术提升了CMOS工艺上毫米波低噪声放大器、毫米波片上功放等电路性能,采用两点调制锁相环技术提升了FMCW信号带宽和调制速率。收发机的发射功率、波形样式、接收增益和带宽等参数具有较好的可配置性,满足未来多模式、小型化和低成本汽车雷达传感器需求。芯片测试结果显示,在76~81GHz频率范围内,接收机实现50dB的增益控制,最小噪声系数11dB,FMCW信号调频带宽达4.2GHz,调制速率达233MHz/μs,线性度优于0.1%,-45~+125℃全温范围内发射机典型输出功率大于13dBm。 相似文献
999.
1000.
The pulsed laser annealing (PLA) is used to assist nickel silicide transformation for Schottky barrier height reduction and tensile strain enhancement and the effect of different laser power are investigated. In this report, a two-step annealing process which combine the conventional rapid thermal annealing with pulsed laser annealing is proposed to achieve a smooth silicon-rich NiSix interfacial layer on (1 0 0) silicon. With optimized laser energy, a 0.2 eV Schottky barrier height (SBH) modulation is observed from Schottky diode electrical characterization. Furthermore, PLA provides sufficient effective temperature during silicidation which also lead to increased tensile stress of silicide film than the two-step RTA silicide is also investigated. The SBH modulation and tensile stress enhancement benefits of PLA silicidation are considered as an alternative to the conventional rapid thermal annealing for ultra-scaled devices performance enhancement. 相似文献