掺富勒烯SiO2气凝胶的制备与发光性质研究

本文利用溶胶－凝胶工艺成功地将富勒烯掺入了ＳｉＯ２气凝胶的纳米孔洞中，在Ａｒ＾＋离子激光激发下，观察到了很强的可见光发射，对该现象作了初步的解释。     

炉内高温化学反应制备SiO2粉末研究

本文分析了光纤工艺中制备ＳｉＯ２粉末的化学反应，并在此基础上进行了实验研究。     

SAPO-34/SiO_2催化甲醇制烯烃

采用水热法合成了SAPO-34分子筛,并用X射线粉末衍射仪和扫描电子显微镜对SAPO-34分子筛的结构进行了表征,同时探讨了黏合剂种类、甲醇分压、催化剂粒径和硅源等对SAPO-34分子筛催化甲醇制烯烃(MTO)反应性能的影响。实验结果表明,在MTO反应中,三烯(乙烯、丙烯和丁烯)选择性在反应初期存在明显的诱导期;以S iO2为黏合剂合成的SAPO-34/S iO2催化剂不但可缩短MTO反应的诱导期,三烯选择性也较未添加黏合剂或以A l2O3为黏合剂时高1~2个百分点;且当催化剂活性明显下降时,三烯选择性下降的幅度较小。催化剂粒径、甲醇分压及硅源对催化剂的诱导期也有明显的作用。在甲醇分压低于19kPa、催化剂粒径0.25~0.38mm、S iO2为黏合剂、硅酸四乙酯为硅源时,SAPO-34/S iO2催化剂的MTO性能明显提高。     

采用带加热炉身的交流电弧炉碳热还原二氧化硅生产高纯度硅

为了生产价廉的太阳能级高纯度硅,基于用二氧化硅碳热还原成金属硅的热力学研究,开发出了一台交流电弧炉。炉子的特点是有封闭型炉身和带有电弧电极和加料喷管的炉缸。作为还原剂用的碳球团从炉顶加入炉内,二氧化硅粉被加到炉缸内温度最高区域内。在炉身下部,反应 SiO_2+C→SiO+CO 和 SiO十2C→SiC+CO 所产生的 SiO 和 SiC,由反应 SiO+SiC→2Si+CO 而得到 Si。熔融的 Si 积蓄在炉缸中并从出铁口排出。炉子的生产率约为2kg/h,硅收得率一般为83%。分析表明,硅中杂质 B<0.1ppmw(百万分之一,重量,以下同),Fe<12ppmw,其他元素<5ppmw,用此种硅脱碳提纯和单方向凝固之后制造的单晶太阳电池的光电转化率是16.5%,此值与用半导体级硅制成太阳电池的光电转化率相等。     

溶胶－凝胶二氧化硅驻极体薄膜的物理化学改性

实验研究了由溶胶－凝胶法制备二氧化硅驻极体薄膜的工艺。用红外透射谱、扫描电子显微镜以及驻极体等温表面电位测量和热刺激放电等实验考察了热处理和化学表面修正两个关键工艺对溶胶－凝胶二氧化硅样品驻极体性能的影响。结果表明经过高温条件下一定时间的热处理和化学表面修正，可以制备出性能优良的驻极体薄膜     

MgO—B2O3—SiO2系晶化分形的计算机模拟

采用两段热处理技术，利用Ｘ射线衍射分析、扫描电镜观察等方法研究了ＭｇＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ３系的晶化过程。晶化析出相２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３的微观形貌具有分形特征，采用密度－密度相关函数法计算其分形维数为１．６３。为揭示２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３生长机制，采用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法及改进的ＤＬＡ模型对生长过程进行计算机模拟。模拟结果与实际分形结构、分形维数相符，表明２ＭｇＯ·Ｂ２Ｏ３生长是扩散控制凝聚过程。可     

以DRE系列ICP发射光谱仪测定液碱中的CaO及SiO2含量

介绍以DRE系列ICP发射光谱仪测定液碱中CaO及SiO2含量的方法及其产生过程，验证了该方法的灵敏度和准确性。     

无机涂料

200707040含粒径0．1-1mm的中空二氧化硅和，或泡状氧化铝多孔粉末、粒径不超过0．075mm的中空二氧化硅和，或泡状氧化铝多孔粉末、无机基料和水的隔热无机涂料.     

草酸二甲酯加氢合成乙二醇反应的研究

在微型管式反应器中,采用Cu/SiO2催化剂,在温度190～210℃、压力1～3MPa、草酸二甲酯(DMO)与氢气的摩尔比(氢酯比)40～120、DMO空速6.0～25.0mmol/(g.h)的条件下,对DMO加氢制乙二醇的反应进行了研究。实验结果表明,高温、高压、高氢酯比和低DMO空速都能提高DMO的转化率和乙二醇的收率,但同时也增加了副产物的选择性。较适合的反应条件为:压力2MPa,温度205～210℃,氢酯比80～100,DMO空速10.0mmol/(g.h)。动力学研究表明,DMO加氢反应符合Langmuir-Hinshelwood吸附反应动力学模型,表面反应为速率控制步骤,氢气不解离吸附,由此得到了相应的动力学方程及参数。统计检验结果表明,该模型对DMO加氢反应高度适定。     

SiH_4－O_2体系LPCVD SiO_2薄膜的工艺及其应用

本文研究了ＳｉＨ４—Ｏ２体系ＬＰＣＶＤＳｉＯ２的工艺及设备。为了得到厚度均匀性好的薄膜，改进了反应气体的进气方式和装片舟的结构，获得了每炉１００片、直径为１００ｍｍ的硅片的膜厚不均匀性≤士５％的结果。