500 kV变压器绝缘击穿事故防范措施

对500kV变压器运行时经常发生的绝缘击穿事故提出了防范措施。     

试品绝缘电阻值测试改进方法

0引言 测量电气设备的绝缘电阻是检查其绝缘状态最简单的辅助方法,在现场一般采用手摇式兆欧表来测量绝缘电阻.由于选用的兆欧表电压低于被试物的工作电压,因此,此项试验属于非破坏性试验,操作安全、简便.通过所测的绝缘电阻值可发现影响电气设备绝缘的异物,绝缘局部或整体受潮和脏污,绝缘击穿和严重热老化等缺陷,因此测量电气设备绝缘电阻是电气检修、运行过程中,试验人员都应掌握的基本方法.但传统的测试方法存在一些缺陷.     

一种沟槽型SGTMOSFET终端结构

为了在提升终端耐压的同时减少终端的使用面积,基于屏蔽栅沟槽型MOSFET (shielded gate trench MOSFET,简称SGTMOSFET)设计了一种沟槽型终端。通过Sentaurus TCAD软件对终端结构进行仿真,仅改变沟槽和P型环参数,最终使终端的耐压达到了135V,有效终端长度仅为18.5μm。此终端结构适用于中低压领域,且在SGTMOSFET元胞工艺步骤的基础上仅增加了一层掩膜,终端结构工艺和元胞工艺兼容,易于实现。     

基于激光诱导击穿光谱技术定量分析煤中元素的研究

作为重要的工业能源,煤质分析指标具备重大的需求和价值。煤炭中的非金属元素是影响煤炭热值的主要因素,其还与其它行业指标有着密切关系,因此,对煤炭资源进行有效利用和清洁生产十分重要。利用图像处理中的数学形态学和迭代权重最小二乘法,建立了一种利用形态学算法获得原始粗基线的基线修正算法;运用仿真频谱资料对此方法进行了检验,以评价基线的准确性和健壮性。实验证明,所提出的基线修正方法能够对基线漂移进行有效识别,并且具有良好的抗干扰性。     

芳纶/玄武岩纤维复合绝缘纸的制备及性能研究

以芳纶纤维和玄武岩纤维为原料,通过造纸湿法抄造制备复合绝缘纸,系统地研究了复合绝缘纸的力学性能、绝缘性能、热稳定性、胶液渗透性等.结果表明,复合绝缘纸的击穿电压在玄武岩纤维含量低于50％时基本保持不变;玄武岩纤维含量越高,复合绝缘纸的热稳定性、胶液渗透性越好;当玄武岩纤维含量50％时,复合绝缘纸的抗拉强度达1.67 M...     

静电喷涂防锈油的应用

静电喷涂防锈油具有较好的防锈性能、合适的粘度和高的击穿电压,实际应用表明能完全满足静电喷涂防锈的工艺要求.     

FSM deconposition VLSI architecture for dynamically reconfiguration

WiththestaticRAMtechnologyitispossibletochangethefunctionalityandwiringofhardwareovertimesomanyapplicationsarecandidatesofdynamicreconfiguration[1-6].Reconfigurabilityisachievedwiththehelpofpasstransistorandmultiplexers.ThevaluestocontroltheprogrammablepointsarestoredinastaticRAM,whichcanbealteredaccordingtospecificre quirements.Thisisthebasicprinciplebeingusedinfieldprogrammablearrays.AllarchitecturesforareconfigurablefinitestatemachineintheliteraturewereFPGAbasedplatforms.Refs.[8,10]des…     

超级结IGBT击穿特性仿真分析与横向参数优化

在传统IGBT结构中引入超级结结构,可缓解击穿电压与导通电阻之间的矛盾,有效减小器件体积,其中,横向参数对器件击穿特性影响很大,为研究此类横向参数对超级结IGBT击穿特性的影响,通过Silvaco软件对超级结IGBT的击穿特性进行仿真.仿真结果表明,漂移区宽度、浓度的变化改变了超级结IGBT漂移区内二维电场分布,从而影...     

聚丙烯纳米复合电介质的陷阱分布特性与储能性能提升研究

为探究纳米复合电介质的陷阱分布特性及其对储能性能的提升机理,本文制备三种聚丙烯纳米复合电介质,并测试其理化、介电及储能特性。测试结果表明,掺杂氮化硼纳米片的试样具有更高的熔融温度、结晶度、极化强度、电阻率、击穿强度及储能密度。分析发现,聚丙烯纳米复合电介质电导率的电场依赖性符合指数陷阱下的跳跃电导模型,其温度依赖性满足Meyer-Neldel补偿规则,这表明纳米复合电介质中的指数型分布陷阱与基体的机理相同。同时,拟合结果表明纳米掺杂主要改变最深陷阱能级,其与结晶度成正比,并基于缨状微束模型解释了陷阱能级增大和储能密度提升的机理。纳米粒子引入的有序紧密的界面区会束缚分子运动,进而阻碍电荷输运和能量积累,表现为电导率下降和击穿强度提高,最终实现储能性能的提升。     

多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究

研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实验结果都表明:多块场极板是提高LEDM O S击穿电压的一种有效方法,而且场极板对导通电阻的影响很小。研究结果还表明:由于金属铝引线下面的氧化层很厚,所以铝引线几乎不会影响到LEDM O S的击穿特性。