正泰电气LW□-252高压SF6通过西高所型式试验

2005年9月1日，正泰电气股份有限公司LW□-252高压六氟化硫断路器产品，顺利通过国家高压电器质量检测试验中心的全部型式试验，证明产品设计合理、动作可靠，各项性能技术指标均达到设计要求和国家技术标准要求。该产品的成功研发使正泰电气向高压电器领域又迈出了一大步，整个产品系列日趋完善，技术实力显著提高。     

静电感应器件栅源击穿特性的改善

对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究,结果表明,当使用高阻单晶材料作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂深度较高时,器件的击民ｇｓ０基本上局限在１０Ｖ以下,与外延层的厚度没有明显关系,作者指出静电感应器件栅 源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同的。在这种情况下,栅源击穿电压ＢＶｇｚ０与半导体的击穿电场Ｅｂ和沟道宽度Ｗ的关系可表     

功率RF LDMOS的关键参数研究

在功率RF LDMOS器件中,击穿电压、截止频率fT和导通电阻Ron是器件性能的关键参数,为提高这几个器件性能参数可采取的各种措施又往往是互相矛盾和相互制约的.文中研究了几个关键参数之间的关系和优化方案,以及国际上在这方面所开展的研究和取得的进展,为进一步的研究和探索提供参考.     

具有n+浮空层的体电场降低LDMOS结构耐压分析

针对薄外延横向功率集成技术的发展,提出一种降低体内电场REBULF(REduced BULk Field)的新耐压技术,并设计了一例具有n+浮空层的REBULF LDMOS新结构.新耐压机理是通过嵌入在高阻衬底中的n+浮空层的等电位调制作用,提高源端体内低电场而降低漏端体内高电场使纵向电场重新分配,同时使衬底耐压提高.借助二维数值分析,验证了满足REBULF的条件为n+层的位置与衬底浓度的乘积不大于1×1012cm-2;在保证低的比导通电阻条件下,新结构较传统LDMOS结构击穿电压可提高75%以上.     

超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质

利用电子速度饱和概念和比例差值方法（proportional difference operator, PDO）研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质. 实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关. 基于缺陷散射机制，得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.     

高压SOI LDMOS设计新技术——电场调制及电荷对局域场的屏蔽效应在高压SOI LDMOS设计中的应用

针对SOI基LDMOS结构的特殊性，结合高压器件中击穿电压和比导通电阻的矛盾关系，以作者设计的几种新型横向高压器件为例，说明了利用电场调制和电荷对局域场的屏蔽效应来优化设计新型SOI LDMOS的新技术；同时，指出了这种新技术较传统设计方法的优缺点。     

选择正确的MOSFET:工程师所需要知道的

随着制造技术的发展和进步,系统设计人员必须跟上技术的发展步伐,才能为其设计挑选最合适的电子器件.MOSFET是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择.本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET.     

具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件新结构

针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结构.通过该部分n埋层,不仅补偿了由于衬底辅助效应所致的电荷不平衡现象,实现了高的击穿电压,而且该埋层在器件正向导通时为电流提供了辅助通道,减小了器件导通电阻.分析了器件结构参数和参杂对器件击穿电压和导通电阻的影响,结果表明文中所提出的新结构具有高的击穿电压、低的导通电阻以及较好的工艺容差等特性.此外,该结构与智能功率集成技术兼容.     

TFT-LCD工艺与静电击穿

薄膜晶体管液晶显示（thin film transistor—liquid crystal display，TFT—LCD）的制造工艺是一个复杂的过程，各个环节都可能发生静电击穿（electrostatic discharge，ESD）现象，导致TFT-LCD器件被破坏，极大地影响了良品率。本文根据薄膜晶体管（TFT）生产工艺的实际情况，阐述了产线里各类产品型号的ESD发生状况。在此基础上，对各种设计、工艺过程和工艺参数对ESD造成的影响进行了分析研究，为实际的生产提供了指导作用。