列车对半圆拱形隧道中电磁波截止频率的影响

在空隧道中电磁波存在着截止频率，列车的存在改变了隧道的截面形状和尺寸，从而影响了电磁波的截止频率。应用有限元方法研究了煤矿井下巷道中列车的高度，宽度和位置对半圆拱形隧道电磁波截止频率的影响，其结果对铁路隧道，公安隧道等有限空间的无线通信也具有重要的意义。     

A low power Gm-C filter with on-chip automatic tuning for a WLAN transceiver

正A sixth-order Butterworth Gm-C low-pass filter(LPF) with a continuous tuning architecture has been implemented for a wireless LAN(WLAN) transceiver in 0.35μm CMOS technology.An interior node scaling technique has been applied directly to the LPF to improve the dynamic range and the structure of the LPF has been optimized to reduce both the die size and the current consumption.Measurement results show that the filter has 77.5 dB dynamic range,16.3 ns group delay variation,better than 3%cutoff frequency accuracy,and 0 dBm passband IIP3.The whole LPF with the tuning circuit dissipates only 1.42 mA(5 MHz cutoff frequency) or 2.81 mA(10 MHz cutoff frequency) from 2.85 V supply voltage,and only occupies 0.175 mm~2 die size.     

一种LC-VCO 1/f3相位噪声优化方法

建立了差分互补型电感电容压控振荡器(LC-VCO)的等效分析模型.采用有效截止频率厂T.e.来表征MOS管的充放电能力,结合振荡器起振后共模输出电压下降的现象,提出了优化1/f3相位噪声的方法.采用该方法并结合跨导效率gm/ID设计方法,实现了LC-VCO 1/f3相位噪声的优化,并在0.18 μm CMOS工艺上获得验证.结果表明,该优化方法可以使频偏在1 kHz以内的相位噪声改善2～3 dB,可用于开环LC-VCO作为本振的低功耗无线收发机及高性能晶体振荡器的电路设计中.     

DOTSEVEN:迈向0.7太赫兹硅锗的异质结(SiGe HBT)技术

正DOTSEVEN是一个欧盟财团非常雄心勃勃的3.5年研发项目,预算经费1.2亿元,目标是截止频率(FMAX)高达700 GHz的硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)技术的开发。特别值得注意的是,它展示了能在CMOS工艺上的制造和集成,以及展示了700GHz的SiGe HBT技术在0.1至1THz(太赫兹)范围内的基准电路和系统应用的功能和优点。     

A millimeter wave linear superposition oscillator in 0.18 μm CMOS technology

This paper presents a millimeter wave （mm-wave） oscillator that generates signal at 36.56 GHz. The ram-wave oscillator is realized in a UMC 0.18 μm CMOS process. The linear superposition （LS） technique breaks through the limit of cut-off frequency （JET）, and realizes a much higher oscillation than Jr. Measurement results show that the LS oscillator produces a calibrated 37.17 dBm output power when biased at 1.8 V; the output power of fundamental signal is -10.85 dBm after calibration. The measured phase noise at 1 MHz frequency offset is -112.54 dBc/Hz at the frequency of 9.14 GHz. This circuit can be properly applied to mm-wave communication systems with advantages of low cost and high integration density.     

基于有限元法的脊波导特征值分析

本文将有限元法引入到双脊、单脊和不对称脊波导特征值的分析中，求解出了三种脊波导的特征值，并给出了截止频率和主模带宽曲线。     

基于FPGA的程控滤波器的设计

以单片机和可编程逻辑器件(FPCA)为控制核心,设计了一个程控滤波器,实现了小信号程控放大、程控调整滤波器截止频率和幅频特性测试的功能.其中放大模块由可变增益放大器AD603实现,最大增益60dB,10 dB步进可调,增益误差小于1%.程控滤波模块由MAX297低通滤波、TLC1068高通滤波及椭圆低通滤波器构成,滤波模式用模拟开关选择.本系统程控调整有源滤波的-3 dB截止频率,使其在1～30 kHz范围内可调,误差小于1.5%.此外,采用有效值采样芯片AD637及12位并行A/D转换器MAX120实现了对扫频信号幅度的测量.     

利用滤波器有效抑制开关电源电磁干扰问题的探讨

引言开关电源广泛应用于计算机及外围设备、通信、自动控制、家用电器等领域,具有功耗低、效率高、体积小等显著优点,是目前最普遍应用于电子设备中的一种电源装置。开关电源的突出缺点是产生极强的电磁干扰(EMI)。EMI信号经传导和辐射会污染电磁环境,影响电网和发电系统的工作效率,干扰通信设备和电子产品,是公认的电力公害。本文将结合开关电源产生EMI的原理,提供滤波抑制的具体方法,帮助大家有效解决电磁干扰问题。开关电源的基本工作原理     

双掺杂多晶Si栅MOSFET的截止频率研究

在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG-LDDMOSFET的截止频率特性.通过MEDICI软件,模拟了栅长、栅氧化层厚度、源漏区结深、衬底掺杂浓度以及温度等关键参数对器件截止频率的影响,并与相同条件下P型单掺杂多晶Si栅(p-SDPG)MOSFET的频率特性进行了比较.仿真结果发现,在栅长90 nm、栅氧厚度2 nm,栅极P,n掺杂浓度均为5×1019cm-3条件下,截止频率由78.74 GHz提高到106.92 GHz,幅度高达35.8%.此结构很好地改善了MOSFET的频率性能,得出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用,在射频领域有很好的应用前景.     

基于InP-DHBT的20 GHz的超高速比较器

采用截止频率fT为170 GHz的InP-DHBT工艺,我们设计并制作了一个超高速主从电压比较器。整个芯片的面积（包括焊盘）是0.75?1.04 mm2,在-4V的单电源电压下消耗的功耗是440mW（不包括时钟产生部分）。整个芯片包含了77个InP DHBTs。比较器的尼奎斯特测试到了20GHz,输入灵敏度在10 GHz采样率的时候是6mV,在20 GHz的时候是16 mV。据我们所知,这在国内还是第一次在单片上集成超过70个InP DHBTs的电路,也是目前国内具有最高采样率的比较器。