基于有限元法分析设计双奇异脊波导

本文应用电磁场有限元法分析了双奇异脊波导的传输特性,编程分析计算了不同横截面的双奇异脊波导的主模工作带宽。并比较了脊的尺寸和间距不同时,其主模截止波长和单模带宽的变化规律,得到了相应的数值解。讨论了网格划分对计算结果的精确度的影响。为双奇异脊波导的设计和研究提供了参考。     

截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管,这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管,器件直流特性也很优异：跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm,文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发。     

2D—FDTD法计算了波导截止频率的激励源设计

用二维时域有限差分法（２Ｄ－ＦＤＴＤ０计算波导截止频率时，激励源必须与模声匹配，本文以阵波导为例，分析了面源、线源和点源的激励作用，给出２Ｄ－ＦＤＴＤ法计算波导截止频率的激励源的设计方法，此法可在一次计算中给出所有低阶模的截止频率。     

三星石墨烯FET截止频率达到202GHz

2010年12月,韩国三星尖端技术研究所（SAIT）宣布,该研究所使用直径150mm的硅基板制作了栅长180nm的石墨烯FET,并验证能以202GHz的截止频率工作。石墨烯的成膜采用了半导体制造技术,以及亲和性较高的电浆辅助方式低温CVD法,成膜温度为650℃。     

采样率不变提高高截频的可行性研究

文章研究了采样率和高截止频率的关系，提出在采样率不变的条件下，提高高切滤波截频是可行的。在2ms采样的条件下，可以将高截频提高到160Hz左右。产生的微量假频，可通过计算机在数据处理过程中采用数字滤波滤除。     

振动测试用传感器低频特性分析与补偿

针对低频振动环境对航天产品结构的影响和危害,提出了基于正弦压力动态系统的一种振动测试用压电传感器低频动态研究方法,该方法应用双向双通道进出口同步技术的正弦压力动态系统对PCB公司的某压电传感器低频特性进行了实验研究,得到其下限截止频率为0.26 Hz。研究发现,当被测振动或冲击信号频率在1～200 kHz时,信号的正压作用时间的误差范围为4.87%～0.03%。并针对测振传感器低频响应进行了补偿,补偿效果良好。     

低通滤波器对电容成像系统实时性影响研究

电容层析成像系统的实时性是一个重要的性能指标，其中用于对解调信号进行滤波的低通滤波器的稳定时间是影响系统实时性的主要因素，而低通滤波器的截止频率决定其稳定时间。为提高系统的实时性，文中给出了低通滤波器截止频率的优化设计方法。     

156 GHz 0.15 μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制

应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到495mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.19V时的最大非本征跨导gm为1032mS/mm,截止频率ft达到156GHz,最大振荡频率fmax大于150GHz。     

含半导体超常媒质的矩形波导的导模研究

采用改进后的马可梯里方法推导出了半导体超常媒质矩形波导中体模和表面模的色散方程,讨论了最低阶TM模的截止频率并画出了布里渊图。结果显示不同的波导高度具有不同的导模频带,波导高度大的对应的导模频带较宽,并且彼此之间没有重叠。除此之外,不同模式还存在着简并的趋势。最后采用作图法验证了表面模的存在性。