金属-半导体-金属光电探测器的瞬态特性分析

给出了金属—半导体—金属光电探测器(MSM—PD)高频特性的等效电路模型，在此模型基础上编写模拟分析程序，分析了探测器相关器件参数对器件截止频率的影响，为探测器与前置放大器的优化匹配提供了理论依据。     

截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管

报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管,这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管,器件直流特性也很优异：跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm,文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发。     

一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件特性研究

对一种结构新颖的锗硅NPN HBT器件的特性进行了研究。通过分析器件发射极窗口宽度W和长度L对器件直流和交流特性的影响,对器件在结构上和制作工艺上进行了优化,得到性能与业界可比的三种不同耐压水平的器件(高速器件、标准器件和高压器件),并且成功地被应用于光通讯和射频功放等商业产品中。     

用于LTE的宽带有源RC低通滤波器设计

本文介绍了一种高线性带宽可配置(10/50MHz)的低通滤波器。该滤波器为六阶切比雪夫-Ⅰ有源RC结构。采用了一种新型的运算放大器补偿技术,使得滤波器在合理的功耗和较高截止频率(50MHz)下仍有很好的邻带抑制特性。采用0.18um CMOS工艺流片验证,测试结果表明：在10MHz截止频率下,12.5MHz处邻带抑制15.3dB;在50MHz截止频率下,60MHz处邻带抑制8.3dB,3倍频带外抑制大于60dB,带内纹波小于1dB。     

太赫兹时域光谱法测定高电子迁移率晶体管的截止工作频率

随着高速半导体器件的发展,高电子迁移率晶体管(HEMT)的工作频率已经达到亚太赫兹波段,所以无法简单地通过传统电学方法进行检测。鉴于此,必须采用超快光学方法测定HEMT器件的截止工作频率。利用持续时间更短的飞秒脉冲激光瞬时关断处于饱和工作状态下的HEMT器件,并且采用太赫兹时域光谱技术测量在器件被关断后电流的变化情况(时间是皮秒量级),最后,利用所测量到的太赫兹波形(即源漏电流随时间变化的曲线)和截止工作频率的关系,直接推算出可达到亚太赫兹波段的HEMT器件的截止工作频率。     

用FDTD法分析双脊波导的单模带宽

提出用时域有限差分(FDTD)方法分析双脊波导的主模单模带宽,并与相关文献报道的计算结果进行比较,结果表明:FDTD法具有较高的计算精度,可以很方便地用于波导传输特性分析。用FDTD法分析了双脊波导中,由于制造工艺造成的双脊之间不对称对主模单模带宽的影响,给出了主模单模带宽分别在脊位置变化、脊宽变化及脊高变化时的变化规律,为双脊波导的设计和工程应用提供参考数据。     

导行波检测新技术专题(二)——导行波检测新技术一百问

<正>问题1什么是行波?答:行波的定义:某一物理量的空间分布形态随着时间的推移,在振幅不变的情况下,向一定的方向行进(不断向前推进)所形成的波,且其传播方向为无限,故称行波。电力线路在输送电能时是以电磁波的形式传播的,在忽略电阻和电导的情况下,其线性行波传播速度接近于光速。行波波长是指行波相位差正好等于2π的两点之间的距离。问题2什么是导行波?答:相对于自由空间中的电磁波而言,导行波是指     

156GHz 0.15μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制

应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到495mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.19V时的最大非本征跨导gm为1032mS/mm,截止频率ft达到156GHz,最大振荡频率fmax大于150GHz。     

截止波导管在腔体屏蔽中的应用研究

依据波导管的高通滤波性能,设计了一种带有波导管结构的金属屏蔽腔体.采用HFSS有限元仿真软件,分别仿真了矩形孔和加了一段矩形波导管的腔体模型,分析了在1.0～2.0 GHz频率范围内屏蔽效能和电磁场强度变化.并进一步研究了平面波不同极化方向以及波导管长度对腔体屏蔽效能的影响,得出E0沿Y轴(沿短边)极化整体屏蔽效能最好...