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金属-半导体-金属光电探测器的瞬态特性分析 总被引:2,自引:0,他引:2
给出了金属—半导体—金属光电探测器(MSM—PD)高频特性的等效电路模型,在此模型基础上编写模拟分析程序,分析了探测器相关器件参数对器件截止频率的影响,为探测器与前置放大器的优化匹配提供了理论依据。 相似文献
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随着高速半导体器件的发展,高电子迁移率晶体管(HEMT)的工作频率已经达到亚太赫兹波段,所以无法简单地通过传统电学方法进行检测。鉴于此,必须采用超快光学方法测定HEMT器件的截止工作频率。利用持续时间更短的飞秒脉冲激光瞬时关断处于饱和工作状态下的HEMT器件,并且采用太赫兹时域光谱技术测量在器件被关断后电流的变化情况(时间是皮秒量级),最后,利用所测量到的太赫兹波形(即源漏电流随时间变化的曲线)和截止工作频率的关系,直接推算出可达到亚太赫兹波段的HEMT器件的截止工作频率。 相似文献
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<正>问题1什么是行波?答:行波的定义:某一物理量的空间分布形态随着时间的推移,在振幅不变的情况下,向一定的方向行进(不断向前推进)所形成的波,且其传播方向为无限,故称行波。电力线路在输送电能时是以电磁波的形式传播的,在忽略电阻和电导的情况下,其线性行波传播速度接近于光速。行波波长是指行波相位差正好等于2π的两点之间的距离。问题2什么是导行波?答:相对于自由空间中的电磁波而言,导行波是指 相似文献
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应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到495mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.19V时的最大非本征跨导gm为1032mS/mm,截止频率ft达到156GHz,最大振荡频率fmax大于150GHz。 相似文献
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