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分析了 Tefernol2D颗粒体积含量为 53 %的环氧基磁致伸缩复合材料的显微结构 , 测试了 Terfenol2D/环氧树脂复合材料及相应 Tefernol2D的动静态磁致伸缩性能及增量磁导率 , 通过阻抗频率谱分析计算得到了2种材料的弹性模量、 磁机械耦合系数和截止频率等重要的性能参数。结果表明 , 由于树脂基体隔断了 Terfenol2D颗粒间的导通 , 与 Terfenol2D相比 , Terfenol2D/环氧树脂复合材料的动静态磁致伸缩性能及磁导率、 弹性模量、 磁机械耦合系数均有不同程度的降低 , 但其许用频率却提高了 2个数量级 , 因此更适用于高频超声领域。 相似文献
144.
S3528B可编程低通滤波器及应用 总被引:2,自引:0,他引:2
简要介绍了集成电路芯片S3528B可编程低通滤波器的特点、用途、结构原理、连接方法及在低通、带通滤波器中的应用。 相似文献
145.
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。 相似文献
146.
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 m S/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度。此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(fT)为109GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz。 相似文献
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