首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   284篇
  免费   32篇
  国内免费   55篇
电工技术   38篇
综合类   27篇
化学工业   2篇
金属工艺   7篇
机械仪表   15篇
建筑科学   2篇
矿业工程   6篇
轻工业   2篇
石油天然气   12篇
武器工业   3篇
无线电   205篇
一般工业技术   27篇
冶金工业   1篇
原子能技术   3篇
自动化技术   21篇
  2024年   2篇
  2023年   5篇
  2022年   13篇
  2021年   8篇
  2020年   3篇
  2019年   3篇
  2018年   3篇
  2017年   10篇
  2016年   6篇
  2015年   16篇
  2014年   15篇
  2013年   16篇
  2012年   27篇
  2011年   22篇
  2010年   33篇
  2009年   17篇
  2008年   30篇
  2007年   22篇
  2006年   20篇
  2005年   22篇
  2004年   9篇
  2003年   8篇
  2002年   6篇
  2001年   2篇
  2000年   7篇
  1999年   2篇
  1998年   9篇
  1997年   2篇
  1996年   3篇
  1995年   12篇
  1994年   4篇
  1992年   6篇
  1991年   3篇
  1990年   3篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
排序方式: 共有371条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
《信息技术》2015,(11):69-72
随着计算机的发展,各式各样的图像载体无处不在。数字图像被动取证技术在不需要其它辅助信息的条件下,仅根据接收到的数字图像,即可判断图像资源的真实性和完整性。其中针对数字图像滤波盲检测算法就是新兴的研究热点之一。通过在频域对滤波图像进行详细研究,发现不同滤波器在频域表现不一样的频率特性,尤其在方向上具有很大的差异。文中提出一种针对线性滤波器的盲检测算法,通过对待测图像的频域变换系数进行编码,用局部异或算子LXP(Local Xor Pattern)进行加权,提取编码图像局部特征,从而判断待测图像是否经过了滤波操作以及相应的滤波参数。  相似文献   
142.
一种新型的跟踪低通滤波器   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
李敏  刘京诚  刘俊  罗勇   《电子器件》2007,30(4):1239-1241,1245
介绍了一种新型的跟踪低通滤波器的原理及实现方法.该跟踪低通滤波器用八阶椭圆型开关电容滤波器MAX293构成低通滤波电路,输入信号的频率通过单片机的测量、修正、倍频处理后输出作为MAX293的时钟控制频率,用以控制MAX293的截止频率从而实现跟踪滤波.实验证明,对于0.1 Hz~25 kHz的信号,跟踪低通滤波器的截止频率相对误差小于1%.  相似文献   
143.
分析了 Tefernol2D颗粒体积含量为 53 %的环氧基磁致伸缩复合材料的显微结构 , 测试了 Terfenol2D/环氧树脂复合材料及相应 Tefernol2D的动静态磁致伸缩性能及增量磁导率 , 通过阻抗频率谱分析计算得到了2种材料的弹性模量、 磁机械耦合系数和截止频率等重要的性能参数。结果表明 , 由于树脂基体隔断了 Terfenol2D颗粒间的导通 , 与 Terfenol2D相比 , Terfenol2D/环氧树脂复合材料的动静态磁致伸缩性能及磁导率、 弹性模量、 磁机械耦合系数均有不同程度的降低 , 但其许用频率却提高了 2个数量级 , 因此更适用于高频超声领域。  相似文献   
144.
S3528B可编程低通滤波器及应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
简要介绍了集成电路芯片S3528B可编程低通滤波器的特点、用途、结构原理、连接方法及在低通、带通滤波器中的应用。  相似文献   
145.
蓝宝石衬底AlGaNöGaN 功率HEM Ts 研制   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
基于蓝宝石衬底的高微波特性 Al Ga N/Ga N HEMTs功率器件 ,器件采用了新的欧姆接触和新型空气桥方案。测试表明 ,器件电流密度 0 .784A/mm,跨导 1 97m S/mm,关态击穿电压 >80 V,截止态漏电很小 ,栅宽 1 mm的器件的单位截止频率 ( f T)达到 2 0 GHz,最大振荡频率 ( fmax) 2 8GHz,2 GHz脉冲测试下 ,栅宽 0 .75 mm器件 ,功率增益1 1 .8d B,输出功率 3 1 .2 d Bm,功率密度 1 .75 W/mm。  相似文献   
146.
在SiC衬底上制备得到了表面钝化氮化硅(SiN)的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMTs)。采用高电子浓度的AlGaN/GaN异质结材料、90 nm T型栅、100 nm SiN表面钝化、低欧姆接触以及较短漏源间距等方法来提升器件性能。在Vgs=4 V时器件的最大漏源饱和电流密度为1.72 A/mm,最大跨导为305 m S/mm,此结果为国内报道的AlGaN/GaN HEMT器件最大漏源饱和电流密度。此外,栅长为90 nm T型栅器件的电流增益截止频率(fT)为109GHz,最大振荡频率(fmax)为144 GHz。  相似文献   
147.
148.
本文采用ANSYS对某柴油机连杆进行模态分析,得到该连杆的前五阶振型以及固有频率,再对该连杆进行瞬态动力学分析得到一个工作循环内连杆危险点的应力值。通过谐响应分析得到危险点应力与截止频率的关系,证明了该连杆的截止频率的合理性以及工作频率与危险点应力值误差的关系,并且说明了当工作频率接近连杆固有频率时,连杆危险点的应力值急剧增大。  相似文献   
149.
研究了4H-SiCMESFET的频率特性与器件几何及物理参数的关系。发现常温300K时,4H-SiCMESFET的截止频率随沟道掺杂浓度增加而上升;随沟道厚度的增加而降低;随栅长的增加而下降;随工作温度的增加变化很小,500K以上时略有降低。300K下,在沟道掺杂为4×1017cm-3、沟道厚度为0.25mm、栅长0.30mm、栅压偏置为-5V时,模拟得到的截止频率fT达到18.62GHz,显示该器件在高频、高温、大功率领域的极大优越性和应用前景。  相似文献   
150.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号