锅炉水管发生环向断裂事故的原因简析

水管锅炉设备在使用过程中,水管与下锅筒连接的角焊缝热影响区位置在使用时发生断裂破坏事故原因分析。     

市场推广

E＋H第四届亚台地区ALN会议在上海召开市场推广;全国应变电测与传感器技术研讨会;施耐德电气在岭澳柱电站二期项目中获得1180万欧元订单;“中航”仪表走俏海外市场;     

IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步

“2003年国际电子器件大会”(IEDM)于2003年12月8日至10日在美国华盛顿希尔顿大酒店举行。有关微米和纳米电子器件及工艺方面的进展情况在会上发表的诸多论文中有所涉及。此次展会囊括了硅器件和非硅材料器件技术、光电子、MEMS以及分子电子器件方面的最新成果。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

定向断裂爆破技术在特软岩层巷道中的应用

介绍了大雁矿区特软岩层巷道成型新技术,包括定向断裂爆破技术的机理、爆破参数,以及大雁矿区特软岩层条件下实施定向断裂爆破的技术关键和注意事项。应用该技术不仅提高了巷道成型质量、节约了材料,而且保护了围岩稳定,对软岩巷道维护有重要作用。     

PZT陶瓷的断裂分析

与有限元法相比,无网格法由于只需节点不用单元而在压电分析中具有优越性。采用一个简单的包含有极化反转及电饱和影响的锆钛酸铅系压电陶瓷(PZT)的本构模型,以局部J积分作为断裂准则,应用再生核点法这一无网格数值法导出了作用电场与断裂载荷的关系曲线,该曲线的趋势与Park[1]的实验观察现象一致。计算程序采用面向对象方法实现。     

土壤冲击特性的实验研究

本文利用分离式Hopkinson压杆研究了土体在不同应变率条件下的冲击动态力学性能，发现土体有明显的应变率效应，与静载相比，冲击荷载下土的动强度和动模量均有很大的提高。     

引红济石调水工程地质条件及线路比选

引红济石是将汉江支流红岩河水调入渭河支流石头河中,调水隧洞长19.86km,位于秦岭山脊太白断陷盆地南部边缘。影响线路的主要工程地质问题有:构造断裂对洞室围岩稳定性的影响,巨厚松散岩层的稳定性及富水性,岩溶地层的富水性和突发涌水的可能性,软弱岩层及软弱夹层对围岩稳定性及对TBM施工的影响,岩爆、地温及有害气体的影响。本文对工程方案的地质条件作了分析评价。     

薄壁圆筒试样的扭转断裂曲线

通过比较多种材料的光滑薄圆筒和切口薄壁圆筒试样的扭断裂曲线，测向两种试验的断裂韧性ＫＩＩＣ相同，从而间接证实了利用光滑薄壁筒测定延性金属断裂韧性ＫＣ方法的正确性。