在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

气隙隔板在国产氢内冷发电机上的应用

该文叙述了氢内冷发电机气隙隔板的作用原理，对国内电机不同容量，不同结构的电机造成转子过热的原因进行了分析，提出了不同容量、不同结构加装何种类型的隔板才是合理的。指出了在２００ＭＷ电机上只装轴向隔板是不合理的，虽降低了平均温度，但由于没有改变风量的分布，局部温度高的现象可能仍然存在。     

约束放电激励千瓦级基模CO2激光器

本文研究了约束放电激励千瓦级基模CO2激光器。约束放电激励的思想核心是:利用正交或基本正交的电场或者电磁场在阴极位降区附近形成对带电粒子的捕集阱,由此产生对放电过程中从阴极发出的带电粒子的约束作用从而影响整个气体放电激励过程。     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

EFFECT OF HYDROGEN ON THE MICROSTRUCTURE OF SUPER-α2 ALLOY WITH β SOLUTION AND AGEING TREATMENT

借助透射电镜和Ｘ射线衍射仪探讨了氢对Ｓｕｐｅｒ－α２合金β固溶后时效组织的影响，结果表明，氢使时效组织显著细化，使析出相呈细小板条状规则排布，此外，氢还促进Ｂ２相转变为Ｏ相。