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61.
采用离子束增强沉积(IBED)技术,在不同能量氮离子的轴助轰击下制备了Cr-N薄膜,通过SEM观察、XRD分析和显微硬度测定,发现离子轰击能量对Cr-N薄膜的表面形貌、相组成和硬度有显著的影响;随着能量的升高,膜表明形貌由岛形颗粒状转变成蜂窝状;一定能量轰击下获得的Cr2N和CrN混相结合有最高的薄膜硬度;高达16keV的氮离子轰击可诱发非晶化的出现,并对膜有一定的强化作用。在此基础上探讨了离子轰 相似文献
62.
离子束辅助沉积技术及其进展 总被引:9,自引:0,他引:9
本文介绍了离子束辅助沉积技术的基本原理,主要工作特点,设备及主要影响因素,综 利用该技术在制备各种新膜层方面研究的新进展,并指出该技术的不足及未来发展方向。 相似文献
63.
薄膜生长的计算机模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
薄膜技术在现代科技领域中有着广泛的应用。人们对薄膜的生长过程通过理论和实验进行了深入的研究,其中计算机模拟是重要的方法,本文概述了对薄膜生长过程的实验观察结果及其理论分析,主要讨论了薄膜生长的计算机模拟中经常采用的方法-蒙特卡罗法和分子动力学方法、描述衬底上成膜粒子运动的一些模型以及在计算机模拟中需注意的一些问题,其中主要包括粒子间的相互作用,入射粒子的能量和粒子上的衬底上的扩散运动。 相似文献
64.
化学沉积法制备的Ni(P)、Ni(B)纳米薄膜的结构与磁性 总被引:3,自引:0,他引:3
用化学沉积法制备了系列Ni(P),Ni(B)合金薄膜样品,用X射线衍射结构分析方法证明样品由尺寸为纳米量级的颗粒组成,样品在磁性上表现出超顺磁性,对热磁处理前后的磁学参数进行了比较研究。 相似文献
65.
66.
制备高强度高导电材料的新途径 总被引:2,自引:0,他引:2
指明了发展高强度高导电率材料过程中存在的主要问题,通过对喷雾共沉积工艺过程的特殊性和高导电材料的强化机制两方面较为详尽的分析,指出采用喷雾共沉积的工艺可望制备出高强度高导电率的材料 相似文献
67.
综述了国外离子束刻蚀和沉积系统的研究进展,指出了离子束系统在半导体技术研究,开发和生产中的重要性。 相似文献
68.
电沉积Co—Ni合金的原子探针场离子显微分析 总被引:2,自引:0,他引:2
用位置敏感原子探针场离子的显微镜(PoSAP)、TEM、SEM等方法研究了电沉积工艺参数对Co-Ni合金微观结构的影响,结果表明,低频脉冲直流电沉积的Co-Ni合金的平均晶粒尺寸为70nm,恒稳直流电沉积的晶粒尺寸为100nm。Co原子在沉积层中呈均匀分布,且Co含量随电解中Co离子浓度增加而显著增加。当电解液中CoSO4含量为17.5g/L时,沉积层由εCo和αCo两相组成,PoSAP数据的三维 相似文献
69.
采用双离子束动态混合技术,对模具材料的表面进行改性处理。经测试发现,材料 表面经该技术改性处理后,显微硬度和抗磨损性能均有很大提高。现场使用表明,经该 技术处理后的模具,其使用寿命较未经处理模具的使用寿命,提高2—4倍.使用俄歇 (AES)、X射线(X-ray)和透射电镜(TEM)技术对改性层的主要元素分布,含量及 其成份和结构进行了分析,并讨论了该双离子束混合技术对材料表面改性的机理. 相似文献
70.