渤海渐新统层序地层划分及主要特征

渤海海域渐新统厚度大、发育齐全、地震反射结构清晰。利用层序地层学的理论，对几个典型剖面进行了深入探讨，确定了渐新统的顶底层序界面，层序内的首次泛滥面、最大泛滥面以及Ⅱ类层序界面。依据这些界面，将渐新统划分为四个体系域及若干个准层序，并对不同体系域的主要特征进行了初步研究。     

析氢电催化剂Ni—Mo—Pb合金的研究

用电沉积法得到了非晶态Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐｂ合金，该事金在碱性溶液中对氢的阴极析出具有很好的电催化活性，并有良好的可逆性和稳定性。给出了Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐｂ电极上析氢反应的有关动力学参数。用稳态极化测量和ＸＲＤ对Ｎｉ－Ｍｏ－Ｐｂ电催化剂进行了表征。     

Ⅱ．印刷Vs．滴涂

为了适应6万-8万cph(元件数川、时）高速贴装系统发展的需要，提高印制板上电子元器件的贴装速度就成为解决装配生产线上“瓶颈”的关键。充分利用每小时能形成50万个焊膏点的模板印刷机米涂敷贴装胶和其它粘合剂，其高速性能可为制造商带来丰厚回报。     

盐酸蒸气处理对酞菁氧钛薄膜的影响

用HCl蒸气对真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜进行了处理，并用UV-Vis吸收谱、X射线光电子能谱（XPS）和X射线衍射（XRD）进行了分析，吸收谱结果表明HCl与酞菁氧钛蒸气作用后产生一个新的吸收峰，峰值位于820nm附近，此峰的出现使得酞菁氧钛光吸收带（Q带）加宽进入红外波段，光电子谱分析表明酞菁氧钛薄膜的成分发生了变化，其中Cl和O的含量随HCl蒸气处理的时间的增加而增加，而N和Ti的含量随HCl蒸气处理时间的增加而减小，说明HCl蒸气可与真空蒸发沉积的酞菁氧钛薄膜发生作用。XRD测试结果表明，经HCl蒸气处理后的酞菁氧钛薄膜的衍射谱中出现了若干新的衍射峰，表明酞菁氧钛分子的排列结构也发生了变化。     

电沉积法制备镉靶

对加速器生产^111In所用镉靶制备工艺进行了研究。通过研究电沉积过程中影响Cd靶质量及厚度的各种因素，确定了最佳工艺条件。所研制的镉靶厚度大于57mg/cm^2，表面光亮、致密、牢固。     

PH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响

实验研究了pH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响。表明：在柠檬酸钠作为络合剂的体系中随着溶液中氨水浓度的提高CdS薄膜会发生相变，从立方相变为六方相，即当氨水浓度为0．31M时，得到立方相的CdS薄膜；而当氨水的浓度大于0．51M时，得到六方相的CdS薄膜。氨水浓度的提高也使得CdS薄膜的形貌有了很大的改善，且制备得到的CdS薄膜从富CA变为富S，但是薄膜仍是n型。氨水浓度对CdS薄膜的光学性质也有很大的影响，随着氨水浓度的提高所得到的CdS薄膜的禁带宽度增大。     

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。