电子束抽运高重复率KrF激光系统

为了发展惯性约束聚变能驱动装置所需的技术，在日本电子技术实验室，建立了高重复率电子束抽运的KrF激光放大器，样机放大器的脉冲电源系统巳建成，以1Hz重复率产生-300KV、80ns的脉冲。用脉冲变压器、磁开关和水介质脉冲形成线代替通常的带有球隙开关的Marx发生器，得到高压电短脉冲，这个系统的关键技术这一是强制冷却方法和HIBACHI结构中的阳极箔增加了其寿命。设计采用辐射和传导作为主要冷却过程，并允许箔加温到高温。选择HAVAR和钼分别作承压箔和阳极箔，代替通常的钛箔。箔的最高温度通过数字计算表明本设计是可用的。     

单片机激光衍射测径系统

电荷耦合器件 CCD,在影像传感、信号处理和数字存贮等领域中已得到广泛应用,而 CCD 应用到衍射计量技术有其独到的优越性,将提高衍射计量的精度,具有一定的先进性和实用性。激光衍射测径仪为非接触、快速、高精度线径测量系统,可进行静态定点检测和动态实时测量,并可对连续生产的系统自动监测,测量范围20—510μm,精度在小于200μm 时为±0.5μm。200—510μm 时为±0.5%,其中 CCD 信号的接收全部采用 Apple-Ⅱ计算机软件编程。本文介绍的是以 MCS-51系列单片微机取代系统机,为微小尺寸计量提供了一种新的检测手段和方法。     

激光热处理技术应用前景广阔

激光是一门高新技术，应用领域很广。激光热处理的技术关键有三：高功率的激光器；多自由度的加工设备并与计算机配套；不同应用的激光热处理工艺。经过我国激光科技人员十几年的努力，这三个方面都有了很快的发展，为激光热处理技术的推广创造了条件。近几年来，激光产业以两位数的速度增长，     

激光技术支持三星WSP技术

三星最新的晶圆级堆叠封装（WSP）包含4块512Mb DDR2 DRAM芯片，藉以提供容量2GB的高密度内存。利用TSV处理的2GB DRAM，三星还能开发出首款基于高级WSP技术的4GB DIMM。     

激光区熔再结晶SOI的杂质分布与迁移率研究

本文介绍一种确定ＳＯＩ／ＭＯＳ结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法（其掺杂剖面是随机不均匀的）。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的ＳＯＩ结构和ＳＯＳ结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见，在包含有晶粒间界和子晶粒间界的ＳＯＩ薄膜中，沿膜厚的载流子迁移率是恒定的，而且远远超过ＳＯＳ膜中的迁移率。