高强无收缩灌浆料在尾水管钢衬更换中的应用

丰满水电站多台水轮发电机组尾水管钢衬在使用中先后破损脱落,为保证发电机安全稳定运行,需对尾水管钢衬进行更换。新安装的钢衬与周围混凝土之间形成厚度为20~30 cm不等的薄壁封闭空腔,且空腔内钢筋网密集,若回填普通常态混凝土,空间上不能满足浇筑和振捣的要求。经工程实践,采用免振捣的高强无收缩灌浆料进行回填灌浆,较好地解决了此问题,并达到了理想的工程效果。     

汽轮机推力瓦块温度高的分析处理

介绍了某电厂2号汽轮机运行中推力瓦块温度高的分析处理过程,通过对汽轮机推力轴承润滑油相关参数的检查以及推力轴承的解体检查,查出推力瓦块温度高的根本原因并对此进行了有效处理,解决了推力瓦块温度高的问题.     

基于交直轴电流耦合的单电流调节器永磁同步电机弱磁控制

基于交直轴电流耦合的单电流调节器弱磁控制是一种新颖的永磁同步电机弱磁策略,能够解决双电流调节器在电机高速域相互冲突而易于饱和的问题。交轴电压指令如何确定是此方法的研究重点,直接影响电机的电压利用率、效率以及负载能力。该文基于电机电压方程对电流耦合调节弱磁控制基本原理进行描述,并提出改进的控制方法。利用id-iq坐标平面上的定子电流轨迹,对现有方法的缺点和所提出方法的预期控制效果进行了分析。在小信号范围内,对所提出方法的动态控制过程和可控性进行了阐述。所提出的电流耦合调节变交轴电压弱磁控制策略,交轴电压指令根据电机工况自行调节,无需查表,且不依赖电机参数,易于实现。仿真和实验结果验证了所提方法的可行性和性能优势。     

模块化多电平变换器模拟仿真技术

为降低实时仿真器的成本,提高仿真性能,提出了一种针对功率变换器的实时模拟仿真方法,该方法具有天然的实时处理开关信号及模拟信号的能力,且其仿真速度与系统规模及复杂性无关。以电子模拟开关和运算放大器为核心,分别模拟实现了功率变换器数学模型中的开关函数和数学运算,并针对模块化多电平变换器(MMC)设计了MMC模拟仿真方法及电路,同时研发了MMC模拟仿真平台。通过仿真和实验验证表明了所提方法的可行性和有效性。     

基于点识别的自动报靶系统

设计分为激光枪打靶和激光枪着落点识别两个部分。在正式打靶前,需要手动按键进行靶心和靶环间的距离校准,校准完成后可正式打靶。正式打靶时,手动按键控制激光枪上下左右移动并发射激光束,通过按键控制摄像头采集激光点的信息。采集完成后,通过按键控制在液晶显示屏上显示相应的闪烁点,同时在显示屏上显示激光点的方位信息和环数信息。     

单相多线圈中频变压器DC/DC控制方法研究

多端直流电网是未来分布式输配电网的关键技术,不同电压等级的直流电网通过中频变压器隔离互联。目前变压器采用多电平移相控制技术因触发不同步存在器件发热不均衡、可靠性不稳定等问题。针对现有技术缺陷,提出了一种单相多线圈中频变压器级联式DC/DC控制方法,拓扑结构主要包括控制器、滤波电感和多线圈变压器。将单相变压器的每一绕组拆分为多个线圈,再将每个线圈的半桥控制模块串联,这样可以有效改善功率器件电压和电流的应力,实现电容电压自动均衡。MATLAB/Simulink仿真结果表明所设计的拓扑结构和控制方法是可行的。     

一类环长至少为10的准循环LDPC码

为扩展性能优良、易于工程实现的LDPC码的构造方法,提出了一类环长至少为10的准循环低密度奇偶校验(quasi-cyclic low-density parity-check, QC-LDPC)码的构造方法。该方法首先基于基矩阵和 准则[11]构造出环长至少为10的校验矩阵;然后,利用掩蔽矩阵对得到的校验矩阵进行变换;最终,构造出满秩的准循环LDPC码。理论分析和仿真结果表明,该类QC-LDPC码字构造灵活,在AWGN信道下具有优异的性能。     

基于粗波分复用技术的LTE-CRAN光缆网设计

为缓解LTE网络建设压力,转变机房式基站建设模式,CRAN技术正式投入使用。CRAN模式下,BBU集中部署,远端RRU拉远,实现快速建站目标,但同时星型的端到端组网模式对传送网资源需求达到前所未有的高度。为缓解传送网压力,提升纤芯使用效率与组网合理性,引入粗波分复用技术对传送网配线与纤芯应用模式做出革新,最终实现了光缆网网络能力的本质提升,为LTE-CRAN模式的拓展提供了坚实的基础。     

基于拉锥光纤优化的光纤环镜滤波器特性研究

为了将拉锥光纤的光学特性和光纤环镜的滤波特性相结合,提出了一种用拉锥光纤优化的光纤环镜滤波器结构.实验研究发现,在级联的2阶高双折射光纤环镜滤波器中接入拉锥光纤,滤波器输出谱的主峰3dB带宽得到显著压缩,品质因数进一步提高,其Q值很容易达到5.2,滤波器在10dB~35dB调制深度范围内调谐更灵活,输出波形更加稳定.结果表明,该结构改善了高双折射光纤环镜滤波器特性,使调谐更为灵活.     

一款800V VDMOS终端结构的设计

设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。