基于STM32F103ZET6的电路特性测试仪

本电路特性测试仪以单片机STM32F103ZET6为核心,来测量特定放大器电路的特性,包括输入输出电阻,放大倍数和增益,进而判断该放大器由于元器件变化而引起故障或变化的原因。本系统主要由模拟电路组成,由单片机作为控制核心,结合继电器实现换路测试。根据放大电路的等效定理,在放大器的输入输出电路中串入电阻并结合分压原理可测得输入输出电阻。放大倍数的测量则根据输出电压与输入电压的关系实现。本文设计的电路特性测试仪测量电阻与增益时相对误差均不超过10%,且可实时绘制幅频特性曲线并显示截止频率。     

轻质耐弯曲新型射频同轴电缆的研制

介绍了一种轻质耐弯曲新型射频同轴电缆的设计和制造。该电缆突破了传统射频同轴电缆的结构设计局限,生产中使用先进的工艺控制,在保证电缆电气性能的基础上,提高了其弯曲性能,并且极大地减轻了电缆重量,以利于实际的安装需要。该电缆具有表面平整光滑、高抗压、高抗张强度、回波损耗小、衰减小和弯曲性能优异等优点。     

有线电视系统中段电平凸起原因探讨

有线电视网络末端中段电平凸起现象非常普遍，对有线电视信号的传输质量有一定的影响。通常认为均衡特性和频率衰减特性的差异是造成这种现象的主要原因，很难抑制。通过实践和对测试数据的分析，认为电路器件和电缆接头进水是造成这种现象的一个重要原因。     

组合单位加词头的规则

a.通过单位相乘构成的组合单位,通常词头加在第1个单位前面。例如:N.s加词头k,应为kN.s。但常见的法定单位中有2个单位例外。一个是电阻率的单位Ω.m,通常写成kΩ.m,MΩ.m,但当加     

AlN-SiC微波衰减陶瓷在X波段的选频衰减性能

以氮化铝、碳化硅为原料,氧化钇为烧结助剂,在1900℃、氮气气氛中,采用热压烧结工艺制备了AlN-SiC复相微波衰减材料。借助网络分析仪,研究了该材料在8~12GHz的微波衰减性能。结果表明,当SiC质量分数从0增加到9%时,该材料的谐振损耗峰所对应的频率从10.86GHz降低到10.11GHz,所对应的峰值从3.2dB降低到0.7dB,而该材料的有效衰减带增大;在900~1000℃、氢气(纯度≥99.99%)气氛中保温30~50min后,该材料的谐振频率维持在10.65~10.62GHz,谐振峰峰值略微减小;这表明在氢气气氛中的热处理对该材料的微波衰减性能影响较小。     

电磁波在等离子体中的热致非线性衰减

研究了电磁波对等离子体进行加热所产生的非线性效应,分析了电磁波在等离子体中传播的热致非线性衰减,通过与线性衰减的计算结果进行比较,指出当电磁波频率较低且传输距离较远时线性计算产生较大误差,必须考虑电子温度升高引起的非线性衰减,并且分析了非线性衰减随频率、入射电波场强、传输距离等的变化关系,指出在一定条件下,电波对等离子体的加热可使电波的非线性衰减小于线性衰减。     

退火对Ni/3C-SiC欧姆接触的影响

采用溅射法在液相外延 3 C-Si C上制备 Ni电极 ,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响 ,实验表明对于 Ni/n-Si C金半接触 ,经过 80 0～ 1 0 0 0°C高温退火 5分钟后 ,肖特基整流特性退化为欧姆接触 ,表现出良好的欧姆接触特性 ,且随退火温度的提高 ,接触电阻进一步下降 ,1 0 0 0°C退火后 ,可获得最低的接触电阻为 5 .0× 1 0 - 5Ω· cm2。     

卫星链路雨衰估算（上）

众所周知．降雨对卫星通信通常采用的C（6／4GHz）波段影响较小,但对Ku（14/12GHz）及Ka（30／20GHz）波段却影响很大．衰减很大．是影响其传输质量的重要因素之一,不容忽视。     

静电耗散标签在电子产业中的应用分析

一、静电对电子产业的负面影响 由于物体间的接触分离（摩擦、剥离、撕裂和碰撞等）或电场感应，会产生物体之间或物体内部带电粒子的扩散、转移或迁移，从而形成物体表面电荷堆积，即呈现带电现象。这种现象可能导致物体表面电荷对空气中带异性电荷的微粒子尘埃的吸引，造成电子敏感元器件绝缘性能的降低、结构腐蚀或破坏。[第一段]