基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。     

正交数字上变频器AD9857的使用

介绍数字正交上变频器AD9857的原理、功能和基本使用方法以及如何通过单片机8051实现对它的编程控制。     

东深供水改造工程2600HTEXJ泵组安装新方法探讨

1工程简介东深供水工程是向香港、深圳市以及工程沿线东莞城镇提供饮用水源、农田灌溉用水的跨流域大型调水工程.其改造工程中金湖、旗岭泵站的水泵采用了沈阳水泵厂生产由奥地利安德里兹公司提供技术及部分关键部件的2600HTEXJ型水泵.该水泵为目前世界最大的全调节抽芯式混流泵.电机为上海电机厂生产的YLK(TLK)5000-24型电动机.2泵组结构特点水泵从结构上可分为:基础框架、外筒体、内筒体、转动部分和叶片调节机构五大部分.整个泵组的重量通过设于电机层的基础框架传递到混凝土.水泵吸入端设有呈120°分布的3个十字头支撑以固定水泵下…     

一种新的SDH开销处理方法

文章提出了一种较为实用的SDH系统方案，并在系统中采用了一种新型的、便于系统升级的开销处理方法，该系统已通过了电路实现和硬件的测试，     

合理选择射孔层段和增产技术提高Khuff气藏中的天然气采收率

沙特阿拉伯-美国石油公司(APAMCO)已着手一项酸化压裂计划，该计划用于处理沙特阿拉伯东部加瓦尔气田内的Khuff碳酸盐岩气藏。Khuff气藏产层系二叠系碳酸盐岩，平均埋深约11，500英尺。该气藏的两个主要生产层段为KhuffB和KhuffC，经测试均为高品质的富凝析气层。Khuff气藏的储层主要由白云岩层和石灰岩层组成，夹页岩和硬石膏薄层，该薄层构成非渗透性的和可能裂缝性的阻挡层。储层厚度延伸达数百英尺，其品质和生产潜力具多变性。精心设计完井技术和选择增产措施对于获得有效裂缝控制范围和提高天然气采收率而言，是重要的。本文重点选择射孔层段和增产技术，目的是开发和提高Khuff碳酸盐岩气藏的产能。     

IP组播技术在视频中的应用

随着流媒体、视频等业务在Intemet上的相继开展，IP组播技术和应用开始快速发展。本文主要分析IP组播技术的产生、概念和特点，以及相关技术，最后介绍了IP组播技术在视频业务中的应用。     

合成丁苯嵌段共聚物的影响因素

采用负离子溶液聚合方法制备了丁苯嵌段共聚物，研究了引发剂、活化剂、偶合剂、终止剂对聚合产物性能的影响。     

SDH性能告警机理

广播电视工程技术人员掌握SDH基本知识，熟悉SDH性能告警机理，对维护SDH传输网尤为重要。介绍SDH帧结构、段开销、通道开销、同步复用和映射基本结构、定位与指针、SDH设备功能模块组成，井根据段开销功能、帧定位与指针功能和SDH组成模块功能分析SDH性能告警信号产生机理。     

高邮凹陷北斜坡阜宁组储层物性下限标准研究

高邮凹陷北斜坡阜宁组油藏储集层孔隙度主要分布范围在11%~24%之间(图1),渗透率主要分布范围在(5~500)×10-3μm2(图2),属中低孔、中低渗储层。结合储集层的特征和资料情况,通过综合研究分析,采用了4种方法确定了该区带的储集层物性下限,综合4种方法,确定高邮北斜坡阜宁组E1f2 1储集层的物性下限,孔隙度为10·7%;渗透率为1·1×10-3μm2,从而划清了储集层与干层。该标准的建立对开发生产、试油试采具有指导性作用。     

适合软件无线电片上系统的可重构处理器

在当今消费电子产品开发中日益凸显的一些问题，如市场要求和标准制定的不确定性、不可重复的工程开发成本、以及缺乏针对具体应用的IP资源等，都使得下一代嵌入式计算平台的完全可编程化成为必然趋势。然而，如果仅采用传统的可编程器件开发技术将很难达到低成本、高效率的要求。本文将介绍一种可集成于标准微处理器平台之上的可编程专用加速器解决方案。该解决方案不仅能够实现各种系统应用的开发，并且具有高度的实时性、灵活性、以及较低的成本。本文将介绍该可编程加速器的结构、编程方法及软件库的设计，并简要举例该方案在数字无线广播系统中的应用。