一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准源

本文提出一种高电源抑制比、高阶温度补偿CMOS带隙基准电压源。该基准源的核心电路结构由传统的Brokaw带隙基准源和一个减法器构成。文中采用第二个运放产生一个负温度系数的电流来增强曲率补偿,同时把该负温度系数电流与核心基准源电路产生的正温度系数电流求和得到一个与温度无关的电流给运放提供偏置电流。该电路采用0.35umCMOS工艺实现,仿真结果表明PSRR在1kHz时达到88dB,-40-125℃的范围内温度系数为1.03ppm/℃。     

基于深亚徽米工艺的高速高匹配低功耗ADC的设计

本文介绍了一款基于65纳米工艺研制的、采样频率可达到2GHz的、结构新颖的高速、高匹配、低功耗的ADCIP核设计,文中着重阐述了这款ADC的设计目标、功能要求、设计方法、系统结构和关键技术,对设计中的关键问题进行了分析,并给出了这款FLASHADC中核心模块的设计和仿真结果,现已完成了该ADCIP核的核心模块设计和仿真。这款ADC核可应用于高速互联网、无线数据传输、超高速信号处理等需要高速模数转换和中等处理精度的应用领域。     

基于DMD的高动态图像超高帧频显示方法

数字微镜器件(DMD)在用于高帧频探测系统的功能和性能测试时,必须保证DMD能够超高帧频显示图像,而传统的脉冲宽度调制(PWM)方法的显示帧频受限于DMD加载数据所需的最短耗时,无法满足实际需求.为了解决这一问题,驱动DMD超高帧频显示高动态范围的图像,在结合DMD硬件特性和传统PWM理论的基础上,利用图像叠加背景光显示技术,提出了一种改进的脉冲宽度调制DMD实现灰度图像显示的方法.适用于8位灰度以上的高动态范围图像的DMD超高帧频显示,实验表明,该方法将8位灰度图像的DMD显示帧频提高到1 kHz.     

高清晰度高传输数据线的研究动态和应用及其传输模型

随着科技及社会的发展和进步,家电类数字化电子终端层出不穷,急切需要高质量、宽频的高速传输线来实现数据的高速传输.与HDMI1.3规范相配套的新一代迷你高清晰度高传输数据线(Mini High Definition Multimedia Interface Electronic Cable,简称Mini HDMI)是首个符合也是唯一的由消费电子产业支持的、无压缩全数字音频/视频接口HDMI规范的高清宽频信号传输线,具有巨大的市场潜力.然而,目前Mini HDMI在国内民营食业中尚属空白,因此有必要对其进行研发与制造.基于HDMI1.3规范,对HDMI传输线的传输模型进行了相应的理论分析与建模,主要包括:(1)在信号传输理论方面,采用分布参数电路理论建立传输线的传输模型;(2)在工艺流程方面,研制HDMI传输线并成型,分析工艺对传输线性能的影响;(3)基于上述两点的分析结果,设计降低传输阻抗及传输时延的方法.     

^（60）Co γ-rays irradiation effect in DC performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Unpassivated/passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） were exposed to 1.25 MeV 60Co γ-rays at a dose of 1 Mrad（Si）. The saturation drain current of the unpassivated devices decreased by 15% at 1 Mrad γ-dose, and the maximal transconductance decreased by 9.1% under the same condition; more- over, either forward or reverse gate bias current was significantly increased, while the threshold voltage is relatively unaffected. By sharp contrast, the passivated devices showed scarcely any change in saturation drain current and maximal transconductance at the same γ dose. Based on the differences between the passivated HEMTs and un- passivated HEMTs, adding the C–V measurement results, the obviously parameter degradation of the unpassivated AlGaN/GaN HEMTs is believed to be caused by the creation of electronegative surface state charges in sourcegate spacer and gate–drain spacer at the low dose （1 Mrad）. These results reveal that the passivation is effective in reducing the effects of surface state charges induced by the 60Co γ-rays irradiation, so the passivation is an effective reinforced approach.     

功放线性化的基带数字预失真方案及其测量电路的实现

数字预失真(Digital Predistortion,DPD)技术是改善高功率放大器(HPA)非线性特性的一种性价比较高的方法.提出了一种查表法实现短波窄带HPA线性化的方案.采用DSP Builder工具及IP核模块,在Matlab/Simulink环境下设计与仿真了基于数字下变频器(DDC)的幅度测量电路,成功估计了信号时延,并在FPGA芯片上进行了硬件测试.     

基于地标空间信息的高光谱遥感图像分类

高光谱遥感图像同时具有光谱与空间特征信息,充分利用空间特征能够有效提高分类结果.高光谱图像上同类像素点的邻域空间信息差异较大会影响分类效果,针对这个问题提出了一种新的空间信息利用方法,记作地标空间信息.将光谱信息与地标空间信息结合使用,通过深度信念网络提取特征.实验表明地标空间信息能够有效提高深度信念网络以及对比方法的分类结果.     

一种高选择性的宽带滤波功分器

为了实现无线通信系统的小型化,设计了一种同时具有滤波和功分功能的器件.将传统Wilkinson功分器中的两个四分之一波长传输线替换为两个具有带通响应的滤波器.同时,为了实现两个端口之间良好的隔离,将一个电阻安放在两个输出端口之间.利用奇偶模的分析方法,推导出了该滤波功分器的设计公式.实验结果表明,该器件的3 dB带宽达到了62%,在低频段和高频段的抑制度分别达到了38.4 dB和31.4 dB（2.67f₀）,该器件非常适用于小型化无线通信系统.     

高k电介质及其设备

"2007年11月,英特尔量产高k电介质45nm微处理器"。它表明高k电介质/金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是,ITRS2006修正版指出,高k电介质/金属栅极在低静态功耗(LSTP)逻辑IC的预期应用时间是2008年,高k电介质/金属栅极在高性能和低功耗(LOP)IC的预期应用时间是2010年。制造高k电介质的设备是化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)设备。制造金属栅极的设备是物理气相沉积(PVD)和ALD设备。     

金属外壳封接用双层玻坯的研制

以BH—G/K玻璃为基体,以添加Al2O3粉的DM—308玻璃为表层区研制出与金属外壳封接的双层玻坯。分析了Al2O3粒度及添加量对熟坯致密化和线收缩率的影响。结果表明,表层区使用添加质量分数为20%和30%0.5μm粒径Al2O3粉的DM—308玻璃可以实现熟坯的匹配收缩,用于UP2113—14外壳熔封。电镀后外壳气密性、绝缘电阻均有数量级提高,玻璃沿引线上爬高度只为BH—G/K玻璃的1/3,显著降低外壳盐雾试验后引线根部易锈蚀和引线受力后绝缘子开裂的风险。