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MEMS螺线管型电感器正负胶结合的加工工艺 总被引:1,自引:2,他引:1
MEMS螺线管型电感器由于具有很多优点,其用途或潜在用途相当广泛 。为了获得高质量的MEMS螺线管型电感器,在充分利用SU-8特点的基础上,结合使用正胶AZ-4000系列和负胶SU-8系列,新开发了UV-LIGA多层微加工工艺,它主要包括:在基片上溅射Cr/Cu作为电镀种子层,涂布正胶,紫外光刻得到电镀模具,电镀Cu和FeNi分别得到线圈的下层、中层和上层以及铁芯;在完成下层和中层后,分别进行一次负胶工艺以形成电绝缘层和后续结构的支撑平台,即涂布负胶覆盖较下层结构,光刻开通往较上一层的通道并使SU-8聚合、交联以满足性能要求。实验表明该工艺是可行和实用的。它除了可用于螺线管电感器的加工,还可以用来加工其它三维结构的MEMS器件。 相似文献
83.
Organic electroluminescent thin film using Znq2(Znq2) as the emitting layer material with structure of glass/ITO/Znq2/Al(cell) was fabricated.The V-I curve ,V-B curve and electroluminescent spectra of the cell were measured.Meanwhile the fluorescent spectra, excited spectra and absorption spectra of Znq2 with power and film states were also measured. 相似文献
84.
八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究表明,衬底温度升高,薄膜表面形貌越均匀有序,质量变好.MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现,衬底温度升高导致反蒸发增强,薄膜生长速率减小,随着入射光波长的增加,薄膜的折射率和消光系数逐渐减小.随着衬底温度升高,因薄膜晶粒尺度增大,折射率和消光系数也增大;并给出了它们的变化范围. 相似文献
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研究了非晶态As2S8半导体薄膜在热作用下的结构变化效应.采用棱镜耦合技术、喇曼光谱测试技术,确认了As2S8薄膜经热处理后,薄膜密度增高和折射率增大的现象.实验表明,淀积态非晶As2S8半导体薄膜经紫外光饱和照射后,再经退火处理,当光折变在退火温度不低于160℃时,出现不完全可逆现象,可逆程度跟退火温度有关.实验显示,退火态非晶As2S8半导体薄膜在玻璃转化温度130℃时退火处理,光折变存在完全可逆现象.光传输实验显示,热处理后的非晶态As2S8半导体薄膜波导,其传输损耗减小了约4dB/cm. 相似文献
86.
本文阐述了DTTL全数字符号定时恢复算法在8PSK评调系统中的实现,文中结合8PSK解调系统,对DTTL算法中插值器、定时误差检测器、环路滤波器以及数控振荡器等进行了详细的分析。系统仿真显示了该算法稳定的跟踪性能。 相似文献
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弹药除锈后质量关系到弹药储运和使用安全,传统的除锈质量检测方法使用千分尺和通样圈检查,由于弹药外形不规则,检测速度低、精度低、劳动强度大、可靠性差。近年来,CCD成像在测量技术领域得到广泛运用,本文提出一种利用线阵CCD拼接技术对除锈后弹药进行非接触质量检测方法,介绍线阵CCD拼接检测弹药除锈质量的原理,并对所采用的线CCD拼接、He-Ne激光光源、双路分光系统等关键技术进行了论述。使用线阵CCD技术对弹药除锈质量进行检测,能够满足除锈弹药检测的要求,达到了高效率、高精度的效果。 相似文献
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本文在对ATSC信道编码标准的总结基础上,在AGWN信道中对纠错编码的性能进行了分析.得到RS编码的编码增益,交织编码和RS编码结合的纠错能力.并分析了TCM-8VSB对4VSB性能的改善.得到ATSC信道编码参数是一组优化的参数的结论. 相似文献
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