ERPN32-200离心泵机械密封失效原因分析

通过对ERPN32-200离心泵机械密封失效原因的分析,发现机械密封的实际密封效果不仅与机械密封自身的性能有关,而且与相关零部件的加工尺寸的精度等级以及维修时的装配质量有着重要的关系,同时针对不同的问题提出了相应的措施,延长了机械密封的使用寿命。     

埋地天然气管道泄漏数值模拟

给出了天然气管道泄漏几何区域图形,建立了天然气泄漏控制方程,基于控制体积原理和多孔介质理论,利用计算流体力学软件对埋地天然气管道泄漏过程进行了数值模拟。通过模拟,得到了天然气在土壤和空气中泄漏浓度分布,并分析了风速对天然气组分的扩散影响规律,确定了安全区域,为天然气管道泄漏应急救援和安全管理提供了理论依据。     

突发重金属水污染事故环境风险评价模型研究

为降低我国重金属突发水污染事故发生频率、减轻事故危害,针对目前突发水污染事故环境风险评价缺乏系统性研究的现状,构建了基于蒙特卡洛模拟法的突发水污染事故环境风险评价模型,提出了一套计算突发水污染事故环境风险的方法。该模型由突发水污染事故概率分析模型、重金属迁移转化分相模型、突发水污染事故损失评估模型耦合而成。应用该模型对佛山市的环境风险进行了评价,结果表明:计算时间段为固定值时,重大风险值和特大风险值之和为8%;计算时间段为区间值时,重大风险值和特大风险值之和为21%,说明该地区的环境风险已经十分严峻。     

我国部分城市供水管网漏损现状分析

对我国620个城市2008年的管网漏损相关数据进行了统计和处理,分析几处典型代表地域管网漏损情况,并对辽宁省和广东省供水管网漏损原因进行了简要分析,发现相比于国外城市我国供水管网漏损严重,珠三角地区的管网漏损情况普遍好于全国平均水平。     

一起电气误操作事故的原因分析及预防

通过马鞍山当涂发电公司发生的一起电气误操作事故,分析事故发生原因,提出预防措施,确保技术措施的落实和安全生产的顺利进行,做到安全生产的预控、可控、在控。     

坪北油田小排量找漏技术探索与应用

针对常规找漏工艺存在的漏点难找、找漏周期长等问题,坪北油田结合平台地面管网的实际情况,在原水泥车找漏技术的基础上探索开发出了适合自己的小排量找漏技术。通过实际应用,取得了良好的效果,不仅缩短了找漏周期,而且节约了作业成本,提高了经济效益。     

二氧化碳捕获与封存技术经济评估

相对于美国与欧洲,台湾天然气价格相对昂贵许多;因此使用燃煤IGCC+CCS在台湾将更具优势.本研究采用IEA参数设定与美国、欧洲及台湾燃料价格,以RETScreen进行技术经济分析,计算2020年IGCC、IGCC+CC(S)与NGCC电厂的上网电价、最适碳价及经济可行的时间.结果显示2020年NGCC上网电价(146.70美元/MWh)高于IGCC+CC电价(111.60美元/MWh)与考虑碳运输与储存成本的IGCC+CCS(127美元/MWh),其代表意义为尽管在没有碳税的前提下,IGCC+CCS在台湾仍较具优势.相比之下,美国因为天然气价格便宜,其IGCC+CCS在2030-2035年才有机会代替NGCC.台湾实证也显示当CO2价格在2020年为60～70USD/t-CO2,IGCC+CC较IGCC加上碳交易划算;当考虑碳运输与储存成本后,CO2价格必须高达90～100USD/t-CO2,IGCC+CCS才划算.本研究建议:1)将CCS技术纳入台湾能源政策的低碳能源选项;2)及早兴建CCS示范电厂;3)发展IGCC+CCS取代NGCC.     

重(特)大泄漏事故统计分析及事故模式研究

对新中国成立以来我国化工系统发生的重（特）大、典型泄漏事故进行了统计分析，总结出应优先进行控制和管理的危险性物质，分析了造成这些重（特）大典型泄漏事故的基本原因。结合对已经发生的重（特）大典型泄漏事故的剖析，总结出泄漏扩散事故的7大影响因素，建立了泄漏事故模式，并对各种事故模式的泄漏机理和发生条件进行了研究分析。     

液氯的危险性及防范措施

介绍了氯的危险性及燃烧爆炸事故的案例。提出了具体的防范措施。     

Electrical properties of Ga2O3-based dielectric thin films prepared by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Ga₂O₃ and Ga₂O₃-TiO₂ (GTO) nano-mixed thin films were prepared by plasma enhanced atomic layer deposition with an alternating supply of reactant sources, [(CH₃)₂GaNH₂]₃, Ti(N(CH₃)₂)₄ and oxygen plasma. The uniform and smooth Ga₂O₃ and GTO thin films were successfully deposited. Excellent step coverage of these films was obtained by chemisorbed chemical reactions with oxygen plasma on the surface. The dielectric constant of GTO thin film definitely increased compared to Ga₂O₃ film, and the leakage currents of GTO films were comparable to Ga₂O₃ films. The leakage current density of a 40-nm-GTO film annealed at 600^∘C was approximately 1×10⁻⁷ A/cm² up to about 600 kV/cm.