一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容 低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益 频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。     

一种针对FPGA位流的自动化故障注入分析方法

理论上通过篡改FPGA位流,利用其实现的密码算法的错误输出可以分析出密钥,但这种攻击通常需要非常了解目标FPGA的内部结构与位流的对应关系。而位流逆向的难度很大,导致此类攻击的实用性不高。文章提出一种针对FPGA位流的自动化故障注入分析方法,不需要逆向位流,结合张帆等人提出的持久性故障分析理论,把因篡改算法常量导致的出错结果作为可利用的故障。并首次在Xilinx-7系列FPGA开发板上利用Spider进行电压故障注入实验,480条错误密文就可以得到AES-128的密钥,且在10 min内可以完成数据的采集和分析。对于加密位流的情况,可以先利用电磁侧信道分析方法得到明文位流,再结合该文的分析方法来进行密钥破解。     

数码相机面壳注射成型的浇口优化设计

通过运用Moldnow软件对数码相机面壳注射成型进行了流动模拟分析,预测在不同浇口位置和数目的情况下可能存在的气泡和熔接痕位置,确定了最佳的浇口数目和位置.     

2号高炉高冶强下的指标优化措施

在高冶强的生产状态下,高炉如何优化各项技术经济指标,降低其成本,从而提高产品竞争力,是现代高炉操作者积极探索的问题。梅钢2号高炉通过精料、优化操作、改进工艺措施等的实施,实现了高炉高冶强下的指标优化。     

静电感应晶闸管的I-V特性物理分析

考虑到寿命不等时的双注入效应、载流子寿命,特别是少子空穴寿命的变化、电导调制效应、双注入空间电荷限制效应等因素,对静电感应晶闸管(Static Induction Thyristor,简称SITH)在正向阻断态的整个I-V特性进行了分段物理分析,给出了理论解释并进行了计算,得出的结论与实验观测结果相吻合.     

汽车空气流量传感技术现状与发展趋势

电喷系统是汽车的核心控制系统,它以空气流量传感器测量获得的进气量为依据确定喷油量与点火时间,从而使得燃料燃烧在理论空燃比附近,以实现更好的安全性、经济性、动力性以及更低的废气排放。因此,进气量的精确测量对汽车电喷系统具有非常重要的意义。介绍了汽车电喷系统空气流量传感技术的现状、存在的问题及发展趋势,并提出了一种采用平行平板电容原理结合涡街原理的传感方式。     

远程线程注入DLL的检测与卸载方法研究

研究了Windows操作系统下的一种木马检测技术,该木马结合了远程线程注入、动态链接库（DLL）等技术。针对目前最新的远程线程注入实现木马隐藏的关键技术,提出了一种进程被远程注入动态链接库的检测方法和相应动态链接库的卸载方法。实验表明,这种方法对已被远程线程注入DLL的进程检测和恢复效果明显。     

某铀矿井场抽注液控制的数字化技术应用

在地浸采铀生产过程中,控制抽注液平衡和高效识别抽注液异常状态是保障浸出效能和井场的安全重要措施。以内蒙古某铀矿为例,介绍了该铀矿抽注液平衡联动控制与抽注液异常监测方面数字化技术的应用情况,探讨了应用数字化技术前后该铀矿山抽注液管控效能的变化。结果表明,应用数字化技术进行抽注液平衡控制能有效解决抽注液调控过程中人工控制所存在的劳动强度大、调控不及时和精度不足的问题;合理的模型设计能够高效识别抽注液异常状态。建立抽注液数字化管控体系有助于实现精益化管控、提升井场生产效能、降低安全风险。     

十二脉动高压直流输电系统交流滤波器设计

在单极十二脉动高压直流输电系统PSCAD/EMTDC模型的基础上,仿真分析该系统未采取任何滤波装置时交流侧电流的谐波特点,依据谐波分析结果确定滤波方案,设计滤波器相关参数,并且运用MATLAB软件绘制滤波器的阻抗特性曲线,最后通过对比加装滤波器前后交流侧电流快速傅里叶变换分析结果,验证该滤波器设计方案的合理性.     

The effects of process conditions and substrate on copper MOCVD using liquid injection of (hfac)Cu(vtmos)

Copper MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition) using liquid injection for effective delivery of the (hfac)Cu(vtmos) [1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentadionato(vinyltrimethoxysilane) copper(I)] precursor has been performed to clarify growth behavior of copper films onto TiN, <100> Si, and Si₃N₄ substrates. Especially, we have studied the influences of process conditions and the substrate on growth rates, impurities, microstructures, and electrical characteristics of copper films. As the reactor pressure was increased, the growth rate was governed by a pick-up rate of (hfac)Cu(vtmos) in the vaporizer. The apparent activation energy for copper growth over the surface-reaction controlled regime from 155°C to 225°C was in the range 12.7–32.5 kcal/mol depending upon the substrate type. It revealed that H₂ addition at 225°C substrate temperature brought about a maximum increase of about 25% in the growth rate compared to pure Ar as the carrier gas. At moderate deposition temperatures, the degree of a <111> preferred orientation for the deposit was higher on the sequence of <Cu/Si<Cu/TiN<Cu/Si₃N₄. The relative impurity content within the deposit was in the range 1.1 to 1.8 at.%. The electrical resistivity for the Cu films on TiN illustrated three regions of the variation according to the substrate temperature, so the deposit at 165°C had the optimum resistivity value. However, the coarsened microstructures of Cu on TiN prepared above 275°C gave rise to higher electrical resistivities compared to those on Si and Si₃N₄ substrates.