聚4-乙烯基吡啶微凝胶的绿色合成

以4-乙烯基吡啶为单体,N,N’-亚甲基双丙烯酰胺为交联剂,在超临界二氧化碳(scCO2)中,通过沉淀聚合方法制备了交联聚(4-乙烯基吡啶)的干燥粉末。考察了反应体系的引发剂浓度、交联剂浓度、反应压力、反应时间等因素对聚合反应的影响。通过红外光谱(FT-IR)和扫描电镜(SEM)对聚合物组成及形貌进行了表征。实验表明,反应压力为14MPa,温度为70℃时,在适当交联剂用量下,可获得粒径约为0.5μm-1μm的干燥粉末,所得聚合物的产率大于90%。     

抑制阴离子聚合副反应条件下苯乙烯/丁二烯多嵌段共聚物的反应挤出聚合

基于通过限制正负离子对之间通道尺度,实现抑制阴离子聚合副反应的设想,在反应挤出制备苯乙烯/丁二烯多嵌段共聚物的过程中引入了一种P-配合物,分别采用一次加料法及二次分段加料法合成了两种不同结构的多嵌段共聚物。结果表明,P-配合物对抑制高温阴离子本体聚合中出现的交联副反应有显著效果,且有利于增加共聚物中聚苯乙烯多嵌段的长度。1H-NMR、GPC、TEM及力学性能的测试表明,所得嵌段共聚物中丁二烯含量均在18%以上,其无缺口冲击强度达45 kJ/m2,与KR03树脂相当。样品PSB-2的弯曲强度从后者的34 MPa提高至56 MPa,同时其弯曲模量及拉伸断裂延伸率的提高幅度也均在40%以上。     

Investigation of ductile damage development in ferritic steel subject to uniaxial deformation

The object of this investigation is the influence of uniaxial deformation on both the formation of voids and ductile damage in ferritic steel. Specimens are prepared by means of a method which, to a large extent, is free of manipulation and permits the crystal's interior to be observed. These specimens were investigated using a scanning electron microscope (SEM). Anisotropic void formation and growth behaviour were exhibited which is correlated with the material texture using an EBSD investigation. Observing the crystalline structure by means of transmission electron microscopy (TEM) enables the effects of the pore formation and growth to be examined in more detail.     

2μs低损耗声体波微波延迟线

通过优化换能器拓扑结构,探索长延时传声介质的双面光刻及探针提取S参数进行网络匹配等技术,改进了声体波微波延迟线换能器设计及制作工艺.研制出中心频率为4.3 GHz,带宽为200 MHz,延迟时间为1.999 7μs,插入损耗仅26 dB,直通抑制45 dB,3次渡越抑制42 dB的声体波微波延迟线.     

板状Fe-基大块非晶合金的制备及其断裂韧性测定

采用电弧熔炼母合金、普通铜模吸铸工艺 ,制备出尺寸规格为 2 0mm× 10mm× 1mm的板状Fe -Co -Zr -Mo -W -B系Fe -基大块非晶合金。经DTA检测 ,所制备的Fe -基非晶合金具有明显的玻璃转变温度和较宽的过冷液相区 (Tg=884K ,ΔTx≥ 6 0K)。采用压痕试验法测定了该板状Fe -基大块非晶合金的断裂韧性 ,其铸态断裂韧性在 1.6MPa·m1/ 2 量级。     

改善块体金属玻璃室温脆性的研究进展

块体金属玻璃有许多优良的性能,如高强度、高硬度、高比强度、好的耐腐蚀抗力以及优良的软磁性能等。然而,近乎于零的室温塑性应变严重限制了其作为结构材料的实际应用。总结了近年来改善块体金属玻璃室温脆性的最新研究进展,并对这些方法的优缺点进行了分析。     

利用光电子能谱研究氧化锌压敏电阻界面电输运特性

采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性。结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 祄,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长。界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97佟m。价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充。     

栅控二极管正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性

使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究 .通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布 ,得出了相应的 P+ P-N+ 栅控二极管的正向 R- G电流的变化 .同时 ,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化 ,分析了这种转化对 R- G电流大小和分布的影响     

利用CMOS技术实现pH-ISFET传感器集成化的设计

在对离子敏场效应晶体管(ISFET)基本结构及电学特性分析的基础上,提出了一种基于CMOS技术实现ISFET与信号处理电路集成化的设计方法.模拟仿真的结果表明,所采用的ISFET/MOSFET"互补对"结构的信号读取电路形式能够抑制"温漂"和克服"硅衬底体效应"对器件测量灵敏度的影响,是一种适用于ISFET集成设计的信号读取方式.