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61.
谭民 《控制与决策》1994,9(4):266-270,300
本文对CIMS装配线和拆卸线的可靠性问题进行研究。文中分析了它们的运行状况,求出了两种生产线的稳态可用度,并用一个例子加以说明。  相似文献   
62.
可压缩体的滑移线场理论   总被引:1,自引:0,他引:1  
从理论上建立了可压缩体的滑移线场理论,并给出了解析实例。研究表明:在平面应变条件下,可压缩体内的两族滑移线不仅不正交,而且随着平均正应力的不同而变化;可压缩体的平面应变问题可以直接采用现有的致密体的滑移线场来求出。  相似文献   
63.
疏松桂  谭民 《控制与决策》1994,9(6):451-454
本文利用等效工作站理论和工件流平衡原理,推导出非串行离散事件生产线可以等价于串联系统,并归结为装配和拆卸两条定理,解决了系统的建模、分析与设计问题。  相似文献   
64.
矩形件排样的一种优化算法   总被引:4,自引:1,他引:3  
排样问题是一种总体资源分配问题,这里根据矩形件排样的工艺要求,提出了矩形件排样的一种近似算法,将一块板材分成三部分,每部分排一种零件,使得减料方便,提高了劳动生产率。  相似文献   
65.
A vibration-acoustic method for diagnostics and monitoring of production processes such as cutting metals makes it possible compared with other methods to reduce the requirement for measuring equipment and it provides a computer representation of the results observed. The set of equipment suggested has low cost and it exhibits considerable flexibility compared with existing equipment. __________ Translated from Izmeritel’naya Tekhnika, No. 7, pp. 30–34, July, 2006.  相似文献   
66.
当线路末端故障时,行波在线路末端的反射情况比较复杂,反向电流行波的极性有可能与正向电流行波的极性相反,而此时测距结果又与线路无故障时相同。因此,会造成行波测距式与行波极性比较式合闸保护的不正确动作。根据行波的折、反射理论,分析出当线路无故障时正向电流行波仅在线路末端发生反射,且电流行波的反射系数为-1,而当线路存在故障时,正向电流行波将在故障点发生反射,无论故障是否在线路末端,电流行波的反射系数都不会是-1。根据这一特征,提出了一种新的行波合闸保护方法。从原理上保证了在各种情况下保护都可以正确动作,大量的电磁暂态仿真结果也证明了这一点。  相似文献   
67.
介绍了邯钢200万t链箅机-回转窑酸性氧化球团生产线的工艺特点和主要设备,以及建成投产后试生产的有关情况。通过周密的部署和安排,该生产线实现了40天快速达产的目标。  相似文献   
68.
钻井技术水平的不断提高和PDC钻头的广泛使用给现场录井作业带来了新问题。与传统的三牙轮钻头相比,PDC钻头突出的特点是产生的岩屑稀少、细小甚至失真,给地质录井的岩屑采集、鉴定、识别以及油气层级别的判定、解释、评价带来了一系列困难。为此,结合PDC钻头在新疆塔河、松辽盆地、鄂尔多斯等地油田的使用及录井经验,从PDC钻头条件下岩屑特征和岩性特征的分析入手,阐述使用PDC钻头对气测录井、荧光录井的影响,总结了在PDC钻头条件下搞好录井作业的应对措施,并列举了提高录井技术水平的可行途径。  相似文献   
69.
刘志勇  张焕祥 《轧钢》2007,24(3):33-36
较系统地介绍了我国第1条国产化的中宽带钢冷连轧生产线,即唐山建龙钢铁控股有限公司900mm冷连轧生产线的工艺流程、主要设备组成及技术特点。重点介绍了900mm 4机架六辊轧机的技术参数、性能特点及自动控制系统。该生产线投产以来,取得了较好效果。  相似文献   
70.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀   总被引:2,自引:2,他引:0  
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。  相似文献   
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